一种HJT电池不良片的返工工艺制造技术

本发明专利技术提供一种HJT电池不良片的返工工艺，该返工工艺包含步骤：P1收集不良片进入专门返工的清洗机，去除表面薄膜，P2.将P1所得到的硅片进入清洗机重新制绒。该HJT电池不良片的返工工艺适用于已镀ITO、ATO或Cu等半导体或金属类膜层后产生的不良片的返工。首先使用盐酸和双氧水的混合溶液去除电池片表面薄膜及电池栅线；再使用硝酸和氢氟酸的混合液对非晶硅薄膜进行处理去除非晶硅膜层，再重新对硅片进行制绒得到返工后可重新投产的硅片。因此，该返工工艺有效解决了HJT电池生产中产生的多种不良片的返工问题；可对HJT电池不良片批量化生产，返工后A级良率可达到98％，且电池片效率与正常流程电池片相当；有效提高生产良率，节约＞50％以上硅片原材料成本。节约＞50％以上硅片原材料成本。节约＞50％以上硅片原材料成本。

【技术实现步骤摘要】
一种HJT电池不良片的返工工艺


[0001]本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种HJT电池不良片的返工工艺。

技术介绍

[0002]在太阳能电池
中，异质结电池由于其非晶硅层优异的钝化效果，使其具备了高效率、高开压、温度特性良好等显著优势，同时异质结制程中工艺简单，整个制程中只需要几个步骤即可完成。现今，HJT产业已逐具规模化，生产中所需的多种物料成本持续下降，硅片作为整个电池制造中的核心原材料，其成本占比可高达50
‑
60％，而在电池生产过程中不可避免的会出现诸如外观不良、电性能指标较差等不良电池片，这些不良电池片的存在会降低电池片的生产良率，增加了硅片原材料成本，因此如果能将生产过程中产生的该不良电池片返工为可再次投入使用的硅片，对进一步降低HJT电池的生产成本具有重大意义。现有技术中，针对已镀ITO、ATO或Cu等半导体或金属类膜层后产生的HJT不良电池片的返工工艺中，使用含有臭氧的工艺去除薄膜，臭氧工艺虽然清洁，不会产生二次污染，但是其设备造价及运行费用较高，同时返工过程中除使用臭氧外还需其他多种化学品进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种HJT电池不良片的返工工艺，其特征在于：所述HJT电池不良片的返工工艺包含步骤：P1收集不良片进入专门返工的清洗机，去除表面薄膜，具体过程包含：P1.1水洗：用纯水进行水洗，洗去不良片表面杂质脏污；P1.2酸洗：用盐酸和双氧水的混合液对不良片进行酸洗，去除表面金属栅线、透明导电膜等；P1.3水洗：用纯水进行水洗，洗去表面残留酸液；P1.4预清洗液洗：用氨水和双氧水混合液对不良片进行清洗，去除薄膜后残留的杂质脏污；P1.5水洗：用纯水进行水洗，洗去不良片表面溶液；P1.6 CP酸洗：用硝酸和氢氟酸的混合溶液对不良片进行酸洗，去除非晶硅薄膜层；P1.7水洗：用纯水进行水洗，洗去不良片表面酸液，得到硅片；P1.8 SC2液洗：用SC2液洗P1.7所得硅片，进一步去除残留物；P1.9水洗：用纯水进行水洗，洗去表面溶液；P1.10酸洗：用氢氟酸溶液对硅片进行酸洗，达到脱水目的；P1.11水洗：用纯水进行水洗，洗去表面酸液；P1.12慢提拉：用纯水进行慢提拉；P1.13烘干：将所得硅片进行烘干处理；P2.将P1所得到的硅片进入清洗机重新制绒；所述重新制绒温度为70
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80℃，比常规制绒温度低5
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10℃；重新制绒蚀刻量<0.5g。2.根据权利要求1所述HJT电池不良片的返工工艺，其特征还在于：所述P1.1水洗步骤中，所述水洗时间为30
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120s。3.根据权利要求1所述HJT电池不良片的返工工艺，其特征还在于：所述P1.2酸洗步骤中，所述高浓度盐酸和双氧水的混合液中，盐酸质量分数为不低于30％，双氧水质量分数为不低于20％，所述清洗时间为400
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2000s，所述清洗温度为30

【专利技术属性】
技术研发人员：庄辉虎，许海堂，林烟烟，
申请(专利权)人：福建钜能电力有限公司，
类型：发明
国别省市：