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本发明提供一种HJT电池不良片的返工工艺，该返工工艺包含步骤：P1收集不良片进入专门返工的清洗机，去除表面薄膜，P2.将P1所得到的硅片进入清洗机重新制绒。该HJT电池不良片的返工工艺适用于已镀ITO、ATO或Cu等半导体或金属类膜层后产生...
该专利属于福建钜能电力有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建钜能电力有限公司授权不得商用。

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