【技术实现步骤摘要】
半导体工艺部件及其形成方法、以及半导体工艺设备
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体工艺部件及其形成方法、以及半导体工艺设备。
技术介绍
在以半导体元件制造过程中采用的等离子体处理装置、电子曝光装置、离子注入装置等为代表的液晶面板制造中采用的离子掺杂装置等中，要求在不损伤被处理物即半导体晶片或玻璃基板等的情况下可靠地保持这些基板。特别是最近，对处理对象即半导体晶片或玻璃基板等的污染被严格管理，因此传统采用的机械地夹持基板的方式的大部分替换为利用电吸附力的静电吸盘方式。静电吸盘是一种适用于大气或真空环境的超洁净薄片承载体、抓取搬运设备的总称，其所使用的静电吸附技术是一种替代传统机械夹持、真空吸附方式的优势技术，在半导体、面板显示、光学等领域中有着广泛应用。当一个带有静电的物体靠近另一个不带静电的物体时，由于静电感应，没有静电的物体内部靠近带静电物体的一边会集聚与带电物体所携带电荷相反极性的电荷(另一侧产生相同数量的同极性电荷)，由于异性电荷互相吸引，就会表现出“静电吸附”现象。然而，目前制作具有静电...
【技术保护点】
1.一种半导体工艺部件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供第一基板；/n在所述第一基板内形成第一沟槽；/n在所述第一沟槽内形成第一导电层；/n在所述第一导电层上和第一基板上形成第一介质层；/n提供第二基板；/n将第一基板朝向第二基板进行第一键合处理，且所述第一介质层位于第一基板和第二基板之间。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种半导体工艺部件的形成方法，其特征在于，包括：
提供第一基板；
在所述第一基板内形成第一沟槽；
在所述第一沟槽内形成第一导电层；
在所述第一导电层上和第一基板上形成第一介质层；
提供第二基板；
将第一基板朝向第二基板进行第一键合处理，且所述第一介质层位于第一基板和第二基板之间。
2.如权利要求1所述的半导体工艺部件的形成方法，其特征在于，还包括：将第一基板朝向第二基板进行第一键合处理之前，在所述第二基板表面形成第二介质层；将第一介质层朝向第二介质层进行第一键合处理。
3.如权利要求1所述的半导体工艺部件的形成方法，其特征在于，所述第一基板的材料包括：氧化铝或者氮化铝；所述第二基板的材料包括：氧化铝或者氮化铝。
4.如权利要求1所述的半导体工艺部件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括：氧化硅或者氮化硅。
5.如权利要求2所述的半导体工艺部件的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材料包括：氧化硅或者氮化硅。
6.如权利要求1所述的半导体工艺部件的形成方法，其特征在于，所述第一导电层的材料包括：钼、钨、铜、镍、铝或者铬中的一种或者几种组合。
7.如权利要求1所述的半导体工艺部件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层表面的粗糙度范围为0微米～1微米。
8.如权利要求2所述的半导体工艺部件的形成方法，其特征在于，所述第二介质层表面的粗糙度范围为0微米～1微米。
9.如权利要求1所述的半导体工艺部件的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽的形成方法包括：提供第一掩膜版，所述第一掩膜版内具有贯穿所述第一掩膜版的掩膜开口，所述掩膜开口的位置对应第一沟槽的位置和尺寸；将第一掩膜版放在第一基板上，对所述第一基板进行喷砂处理，在所述第一基板内形成所述第一沟槽。
10.如权利要求1所述的半导体工艺部件的形成方法，其特征在于，所述第一导电层的形成方法包括：在所述第一沟槽内、以及第一基板表面形成第一导电材料膜；平坦化所述第一导电材料膜，直至暴露出第一基板表面，在所述第一沟槽内形成所述第一导电层。
11.如权利要求1所述的半导体工艺部件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的形成方法包括：在所述第一导电层表面和第一基板表面形成第一介质材料膜；平坦化所述第一介质材料膜，在所述第一导电层表面和第一基板表面形成所述第一介质层。
12.如权利要求2所述的半导体工艺部件的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的形成方法包括：在所述第二基板表面形成第二介质材料膜；平坦化所述第二介质材料膜，在所述第二基板表面形成所述第二介质层。
技术研发人员：蒋维楠，余兴，
申请(专利权)人：芯盟科技有限公司，浙江清华长三角研究院，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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