对半导体基板赋予拒醇性的表面处理方法技术

根据本发明专利技术可以提供一种半导体基板的表面处理方法，其中，所述表面处理方法为使液体组合物与半导体基板接触、对半导体基板赋予拒醇性的半导体基板的表面处理方法，所述液体组合物的特征在于，包含：选自下述式(1)～(6)所示的表面活性剂或其盐中的2种以上各0.01～15质量％和水。(式(1)～(6)中，R

Surface treatment of semiconductor substrate with alcohol repellency

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对半导体基板赋予拒醇性的表面处理方法
本专利技术涉及对半导体基板赋予拒醇性的半导体基板的表面处理方法。
技术介绍
半导体元件的制造工序中，有用剥离液和清洗液完全去除由于干蚀刻处理而产生的残渣物的工序，为了将该剥离液和清洗液从表面去除，进行使用了溶剂的冲洗。此时，存在由于冲洗中使用的溶剂的毛细管力而图案坍塌的问题。作为解决该图案坍塌问题的方法，已知的是如下方法：使用表面张力小于水的醇作为冲洗溶剂的手法、或进一步将图案表面进行疏水化、疏油化，使图案与冲洗中使用的溶剂的接触角接近于90度，从而防止冲洗时的图案坍塌。例如，专利文献1、专利文献2和专利文献3中记载了具备如下工序的半导体元件的表面处理方法：用硅烷系化合物，在半导体基板表面上形成拒水性保护膜后用纯水冲洗半导体基板并干燥。然而，对于所公开的拒水性保护膜，无法充分增大形成于半导体基板上的各种材料与醇类的接触角，无法用于醇类。专利文献4中记载了具备具有氟化碳基的硅烷系化合物、酸催化剂、液态或固体状介质的表面处理剂。然而，对于所公开的拒水性保护膜，无法充分增大形成于半导体基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体基板的表面处理方法，其中，所述表面处理方法为使液体组合物与半导体基板接触、对半导体基板赋予拒醇性的半导体基板的表面处理方法，所述液体组合物的特征在于，包含：选自下述式(1)～(6)所示的表面活性剂或其盐中的2种以上各0.01～15质量％、和水，/nR

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170526 JP 2017-1044111.一种半导体基板的表面处理方法，其中，所述表面处理方法为使液体组合物与半导体基板接触、对半导体基板赋予拒醇性的半导体基板的表面处理方法，所述液体组合物的特征在于，包含：选自下述式(1)～(6)所示的表面活性剂或其盐中的2种以上各0.01～15质量％、和水，
RFR1RHP·······(1)



RFR1(OCH2CH2)aOR2···(6)
式(1)～(6)中，
RF选自由碳数2～10的烷基的氢被氟所取代的取代基、碳数2～10的烯基的氢被氟所取代的取代基、碳数2～10的炔基的氢被氟所取代的取代基、芳基的氢被氟所取代的取代基和碳数2～10的烷基醚基的氢被氟所取代的取代基组成的组，
R1选自由共价键、碳数1～6的亚烷基、碳数1～6的亚烯基、碳数1～6的亚炔基、亚芳基、碳数1～6的亚烷基醚基、和这些基团的氢被羟基、羧基、或氨基所取代的取代基组成的组，
RHP选自由羟基、磺酸基和羧基组成的组，
R2、R3和R4选自由氢或碳数1～6的烷基、碳数1～6的烯基、碳数1～6的炔基、芳基、碳数1～6的烷基醚基、RFR1、和这些基团的氢被羟基、羧基、NR...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛田宪司，普林安加·柏达那·普特拉，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP