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提供芯片制造方法，抑制芯片的制造成本增大并防止芯片的品质降低。该方法将包含Si的晶片分割而制造芯片，该晶片在正面侧具有器件和金属层，该器件形成于由多条分割预定线划分的区域内，该金属层包含Cu，形成于分割预定线上，该芯片制造方法包含如下步骤：...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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