半导体结构制造技术

本实用新型专利技术实施例涉及一种半导体结构，包括：第一半导体单元以及位于第一半导体单元内的第一TSV结构，第一半导体单元顶部表面露出第一TSV结构；位于第一半导体单元顶部表面的层间接合层，层间接合层内具有互连结构，互连结构包括至少一层导电层，互连结构具有顶端和与所述顶端相对的底端，且第一TSV结构与所述互连结构的底端相接触；位于层间接合层表面的第二半导体单元，第二半导体单元与第一半导体单元分别位于层间接合层相对的两侧，第二半导体单元内具有第二TSV结构，第二TSV结构与互连结构的顶端相接触。本实用新型专利技术实施例提供的半导体结构的整体厚度薄，且有利于减小半导体结构的电阻值，改善半导体结构的性能。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本技术实施例涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构。
技术介绍
随着集成电路设计和制造水平的不断发展，在封装
，普通的2DIC封装结构会带来线路过长的问题，致使电路的运算速度降低且功耗增加，3D封装结构应运而生。3D封装结构可以有效的减小线路长度，提高运算速度，降低功耗。3D封装结构中，主要通过在垂直方向上放置多个芯片以减小芯片的平面面积，并且，多层芯片(die)或晶圆(wafer)之间可以通过TSV(Trough-SiliconVia，穿透硅通孔)结构实现不同层间的互连。TSV结构的作用主要包括：一方面，通过TSV结构实现上层芯片或晶圆与下层芯片或晶圆之间的互连；另一方面，由于TSV结构的材料热导率通常高于硅等半导体材料的热导率，因而在3D封装结构中设置TSV结构有诸如电路的散热。然而，现有的具有TSV的封装结构的性能仍有待提高。
技术实现思路
本技术实施例解决的技术问题为提供一种半导体结构，提供一种全新的半导体结构，改善半导体结构性能。为解决上述技术问题，本技术实施例提供一种半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n第一半导体单元以及位于所述第一半导体单元内的第一TSV结构，所述第一半导体单元顶部表面露出所述第一TSV结构；/n位于所述第一半导体单元顶部表面的层间接合层，所述层间接合层内具有互连结构，所述互连结构包括至少一层导电层，所述互连结构具有顶端和与所述顶端相对的底端，且所述第一TSV结构与所述互连结构的底端相接触；/n位于所述层间接合层表面的第二半导体单元，所述第二半导体单元与所述第一半导体单元分别位于所述层间接合层相对的两侧，所述第二半导体单元内具有第二TSV结构，所述第二TSV结构与所述互连结构的顶端相接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一半导体单元以及位于所述第一半导体单元内的第一TSV结构，所述第一半导体单元顶部表面露出所述第一TSV结构；
位于所述第一半导体单元顶部表面的层间接合层，所述层间接合层内具有互连结构，所述互连结构包括至少一层导电层，所述互连结构具有顶端和与所述顶端相对的底端，且所述第一TSV结构与所述互连结构的底端相接触；
位于所述层间接合层表面的第二半导体单元，所述第二半导体单元与所述第一半导体单元分别位于所述层间接合层相对的两侧，所述第二半导体单元内具有第二TSV结构，所述第二TSV结构与所述互连结构的顶端相接触。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第一半导体单元指向第二半导体单元的方向上，所述互连结构的厚度在0.4μm～10μm范围内。


3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述互连结构包括：底层导电层，所述底层导电层位于所述第一半导体单元顶部表面，所述底层导电层具有第一正面和与所述第一正面相对的第一背面，且所述底层导电层的第一背面与所述第一TSV结构相接触。


4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述底层导电层的第一正面与所述第二TSV结构相接触。


5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述互连结构还包括：顶层导电层，所述顶层导电层具有第二正面和与所述第二正面相对的第二背面，其中，所述第二背面与所述第一正面相...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34