【技术实现步骤摘要】
半导体器件本申请要求于2018年7月23日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0085553号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
专利技术构思涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种具有改善的可靠性的半导体器件。
技术介绍
最近，在诸如移动电话和膝上型计算机的电子工业中对轻、小、快、多功能、性能优异和高度可靠性的产品的需求已经日益增长。为了满足这些要求，需要增加集成度并且也需要改善半导体存储器器件的性能。使电容器的容量最大增加是改善高度集成的半导体存储器器件的可靠性的一种途径。电容器底电极的纵横比越高，电容器的容量越大。因此，已经对用于形成高纵横比的电容器的工艺技术进行了各种研究。
技术实现思路
专利技术构思的一些示例实施例提供了一种具有改善的可靠性的半导体器件。专利技术构思的一些示例实施例提供了一种制造具有改善的可靠性的半导体器件的方法。专利技术构思的特征和/或效果不限于上面提及的特征和/或效果，本领域技术人员将通过下面的描述清楚地理解上面...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n基底；/n底电极，位于基底上，底电极包括第一部分，第一部分包括从第一部分的侧壁突出的多个突起；/n第一支撑层，靠近底电极的侧壁位于基底上，底电极的第一部分位于第一支撑层上；/n介电层，覆盖底电极的侧壁和底电极的顶表面；以及/n顶电极，位于介电层上。/n
【技术特征摘要】
20180723 KR 10-2018-00855531.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
基底；
底电极，位于基底上，底电极包括第一部分，第一部分包括从第一部分的侧壁突出的多个突起；
第一支撑层，靠近底电极的侧壁位于基底上，底电极的第一部分位于第一支撑层上；
介电层，覆盖底电极的侧壁和底电极的顶表面；以及
顶电极，位于介电层上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
第二支撑层，位于底电极的侧壁上，第二支撑层位于第一支撑层上，其中，
第一部分包括下部段和上部段，
下部段位于第一支撑层与第二支撑层之间，上部段位于下部段上，
所述多个突起沿下部段的侧壁布置。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，上部段的侧壁是平坦的。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，底电极的侧壁具有从底电极的顶表面凹陷的凹部段，
凹部段位于底电极的上角处。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
底电极还包括位于第一部分下方的第二部分，
第二部分的侧壁是平坦的。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
底电极还包括位于第一支撑层下方的第二部分，
第二部分的侧壁与基底的顶表面垂直。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个突起具有凸状弯曲表面。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，底电极在剖面图中的形状是柱形形状或U形形状。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
第二支撑层，靠近底电极的侧壁位于第一支撑层上，其中，
第二支撑层的顶表面位于与底电极的顶表面的水平相同的水平处。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个突起与第一支撑层分隔开。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个突起在与基底的顶表面垂直的方向上彼此分隔开。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个突起具有彼此不同的尺寸。
13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个突起中的每个突起的竖直厚度为3nm至7nm。
14.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
基底；
底电极，位于基底上，底电极包括从底电极的侧壁突出的多个突起，所述多个突起具有凸状弯曲表面；
介电层，覆盖底电极的表面；以及
顶电极，位于介电...
【专利技术属性】
技术研发人员：权赫宇，李河英，崔炳德，秋成旼，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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