【技术实现步骤摘要】
一种低功耗芯片及其制备方法
本专利技术涉及芯片
，特别涉及一种低功耗芯片及其制备方法。
技术介绍
在低功耗芯片设计中，存在可断电区域，在低功耗模式下，把不需要的功能进行电源关断，从而降低耗电量，实现低功耗设计。在低功耗芯片设计中，给N阱电位供电的设计非常重要，关系到低功耗芯片工作的稳定性，在可断电区域N阱电位的供电，更是直接关系到低功耗芯片是否能完全工作在低功耗模式下。通常，芯片中的N阱需要接常开电源VDD，然而，现有技术中经常会将低功耗芯片中可关断电源区域的N阱误接可关断电源VDDG。
技术实现思路
本专利技术提供了一种低功耗芯片及其制备方法，用于改善现有技术中经常会将低功耗芯片中可关断电源区域的N阱误接可关断电源的问题。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：一种低功耗芯片，包括：衬底、供电单元列、常开电源网络VDD和标准单元行，其中:多个所述供电单元列形成于所述衬底一侧，每一个所述供电单元列包括多个供电单元，每一个所述供电单元具有N阱部；所述常开电源...
【技术保护点】
1.一种低功耗芯片，其特征在于，包括衬底、供电单元列、常开电源网络VDD和标准单元行，其中:/n多个所述供电单元列形成于所述衬底一侧，每一个所述供电单元列包括多个供电单元，每一个所述供电单元具有N阱部；/n所述常开电源网络设置于所述供电单元列背离所述衬底的一侧，包括与所述供电单元列一一对应的电源走线，每一对相互对应的电源走线和供电单元列中，所述电源走线与所述供电单元列中的供电单元电连接；/n每相邻两个所述供电单元列之间设置有多个所述标准单元行，每一个所述标准单元行包括多个标准单元，且每一个所述标准单元行中：/n每一个所述标准单元具有N阱部，沿行方向，每相邻的两个所述标准单元...
【技术特征摘要】
1.一种低功耗芯片，其特征在于，包括衬底、供电单元列、常开电源网络VDD和标准单元行，其中:
多个所述供电单元列形成于所述衬底一侧，每一个所述供电单元列包括多个供电单元，每一个所述供电单元具有N阱部；
所述常开电源网络设置于所述供电单元列背离所述衬底的一侧，包括与所述供电单元列一一对应的电源走线，每一对相互对应的电源走线和供电单元列中，所述电源走线与所述供电单元列中的供电单元电连接；
每相邻两个所述供电单元列之间设置有多个所述标准单元行，每一个所述标准单元行包括多个标准单元，且每一个所述标准单元行中：
每一个所述标准单元具有N阱部，沿行方向，每相邻的两个所述标准单元的N阱部电连接，且位于所述标准单元行两端的标准单元的N阱部与对应的所述供电单元列中的供电单元的N阱部电连接。
2.根据权利要求1所述的低功耗芯片，其特征在于，所述供电单元列中每相邻两个所述供电单元之间电连接，且至少一个所述供电单元与对应的所述电源走线电连接。
3.根据权利要求1所述的低功耗芯片，其特征在于，所述供电单元列中各所述供电单元均与对应的所述电源走线电连接。
4.根据权利要求1-3任一项所述的低功耗芯片，其特征在于，所述电源走线的覆盖长度为所述供电单元的长度与对应的所述供电单元列中所述供电单元的个数的乘积，所述电源走线的覆盖宽度为所述供电单元的宽度的1～3倍。
5.根据权利要求1-3任一项所述的低功耗芯片，其特征在于，每相邻的两个所述供电单元列之间设置的标准单元行中，至少一个所述标准单元行中标准单元的N阱部与同该标准单元行相邻的标准单元行中标准单元的N阱部相邻且连接。
6.一种如权利要求1-5任一项所述的低功耗芯片的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底一侧设置多个供电单元列，其中，每一个所述供电单元列包括多个供电单元，每一个所述供电单元具有N阱部；
在每相邻的两个所述供电单元列之间设置多个标准单元行，每一个所述标准单元行包括多个标准单元，每一个所述标准单元行中：
每一个所述标准单元具有N...
【专利技术属性】
技术研发人员：张馨然，杨卫平，李耿民，刘俊涛，何林飞，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，珠海零边界集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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