互连结构和包括该互连结构的电子器件制造技术

提供了一种互连结构和包括该互连结构的电子器件。该互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。

Interconnection structure and electronic devices including the interconnection structure

【技术实现步骤摘要】
互连结构和包括该互连结构的电子器件
本公开涉及互连结构，更具体地，涉及包括由纳米晶石墨烯制成的盖层的互连结构和/或包括该互连结构的电子器件。
技术介绍
近年来，半导体器件的尺寸为了半导体器件的高度集成而逐渐减小，并且互连结构中的铜布线的线宽减小。同时，当铜布线的线宽减小时，铜布线中的电流密度增大，结果，铜布线的电阻增大。铜布线的电阻的增大可能引起铜原子的电迁移，导致铜布线中的缺陷。因此，为了降低铜布线的电阻并且限制和/或防止电迁移，可能需要能够改善铜布线中的抗电迁移性(electromigrationresistance)的盖层。
技术实现思路
提供了包括由纳米晶石墨烯制成的盖层的互连结构和包括该互连结构的电子器件。额外的方面将在以下描述中部分地陈述且将部分自该描述明显，或者可以通过对所给实施方式的实践而被了解。根据一实施方式的一方面，一种互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层可以包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯可以包括纳米尺寸的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种互连结构，包括：/n包括至少一个沟槽的电介质层；/n填充所述至少一个沟槽内部的导电布线；以及/n在所述导电布线的至少一个表面上的盖层，所述盖层包括纳米晶石墨烯，所述纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。/n

【技术特征摘要】
20180724 KR 10-2018-00860131.一种互连结构，包括：
包括至少一个沟槽的电介质层；
填充所述至少一个沟槽内部的导电布线；以及
在所述导电布线的至少一个表面上的盖层，所述盖层包括纳米晶石墨烯，所述纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。


2.根据权利要求1所述的互连结构，其中所述纳米尺寸的晶体具有0.5nm至100nm的尺寸。


3.根据权利要求1所述的互连结构，其中所述纳米晶石墨烯中具有sp2键合结构的碳与总碳之比在从50％至99％的范围内。


4.根据权利要求1所述的互连结构，其中所述纳米晶石墨烯包含1at％至20at％的氢。


5.根据权利要求1所述的互连结构，其中所述纳米晶石墨烯的密度为1.6g/cc至2.1g/cc。


6.根据权利要求1所述的互连结构，还包括：
衬底，其中
所述电介质层在所述衬底上。


7.根据权利要求6所述的互连结构，其中所述电介质层中的所述至少一个沟槽包括以下中的至少一个：
在所述电介质层中不到达所述衬底的第一沟槽，以及
在所述电介质层中到达所述衬底的第二沟槽。


8.根据权利要求1所述的互连结构，其中所述导电布线包括金属、金属合金或其组合中的一种。


9.根据权利要求1所述的互连结构，还包括：
阻挡层，其中
所述阻挡层在所述至少一个沟槽中覆盖所述导电布线。


10.根据权利要求9所述的互连结构，其中所述阻挡层暴露所述导电布线的上表面。


11.根据权利要求10所述的互连结构，其中所述盖层覆盖所述导电布线的所述上表面。


12.根据权利要求11所述的互连结构，其中所述盖层覆盖在所述导电布线周围的所述阻挡层的上表面。


13.根据权利要求12所述的互连结构，其中所述盖层覆盖在所述阻挡层周围的所述电介质层的上表面。


14.根据权利要求11所述的互连结构，还包括：在所述导电布线与所述盖层之间的含金属层。


15.根据权利要求11所述的互连结构，其中
所述盖层包括第一盖层和第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：卞卿溵，申建旭，金勇勋，申铉振，宋伣在，李昌锡，金昌炫，赵连柱，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR