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提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括基底、位于基底上的底电极、靠近底电极的侧壁位于基底上的第一支撑层、覆盖底电极的侧壁和顶表面的介电层以及位于介电层上的顶电极。底电极包括第一部分。底电极的第一部分可以位于第一支撑层上。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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