一种半导体晶圆加工过程中抛光液循环利用的方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体晶圆加工过程中抛光液循环利用的方法，一种半导体晶圆加工过程中抛光液循环利用的方法，包括以下步骤：步骤S1、将抛光晶片所产生的抛光液中通入可挥发性氧化剂；步骤S2、进行粗滤；步骤S3、进行精滤；步骤S4、进行搅拌；步骤S5、pH调节，对抛光液桶中的回收液，用磷酸或氢氧化钠进行pH酸碱调节到适用的酸碱度；步骤S6、电解，用电极棒探测电极，将抛光液导入电解槽，电解提取金属收集，金属物质；步骤S7、清洗抛光液桶；步骤S8、检测。采用上述方案后，本发明专利技术通过重复使用回收的浆料，过滤大颗粒减少微划痕比例，对于质量有着明显的改善大幅度的提高抛光液的利用率。

A method of polishing fluid recycling in semiconductor wafer processing

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆加工过程中抛光液循环利用的方法
本专利技术涉及抛光液后处理领域，尤其是涉及一种半导体晶圆加工过程中抛光液循环利用的方法。
技术介绍
氮化镓基LED(LightEmittingDiode)的问世，打开了照明市场的新纪元，相比于传统的白炽灯和日光灯，LED具有寿命长、节能、安全等诸多优点，因此被广泛认为是第四代光源。在氮化镓外延过程中，晶格失配是外延层产生缺陷的主要原因，因此为了得到较好品质的外延层，现阶段通常使用与氮化镓晶格常数接近的单晶蓝宝石作为衬底。制备蓝宝石衬底的流程主要分为切割、研磨、抛光三大领域。其中抛光(简称CMP)制程中最重要的两大组件便是抛光液和研磨垫。抛光液通常包含一些很细的氧化物粉末分散在溶液中，在CMP制程中，先让抛光液填充在研磨垫的空隙中，并提供了高转速的条件，同时控制下压的压力等其它参数，让晶圆在高速旋转下和研磨垫与抛光液中的粉粒发生作用而被研磨。此过程中，会产大量的直径比较大的杂质或其他固态颗粒溶入在抛光液中，导致抛光液不能直接再重复使用。因此，作为化学机械研磨工艺的最为主要的消耗材料，目前还没有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶圆加工过程中抛光液循环利用的方法，其特征在于：包括以下步骤：/n步骤S1、将抛光晶片所产生的抛光液中通入可挥发性氧化剂，用于氧化抛光液中的杂质，使杂质进行氧化而生成颗粒较大的氧化反应物；/n步骤S2、进行粗滤，将S1的废液倒入沉淀槽，沉淀槽里有三层滤网，分别为A层、B层、C层，每层滤网为双层结构，上层孔径大于下层孔径，A、B、C层滤网之间间隔3mm，如：/n第一层过滤网的孔径200-400μm，上层网孔400μm，下层网孔200μm，/n第二层过滤网的孔径150-100μm，上层网孔径150μm，下层网孔径100μm，/n第三层过滤网的孔径40-20μm，上层网孔40μm，下层...

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆加工过程中抛光液循环利用的方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤S1、将抛光晶片所产生的抛光液中通入可挥发性氧化剂，用于氧化抛光液中的杂质，使杂质进行氧化而生成颗粒较大的氧化反应物；
步骤S2、进行粗滤，将S1的废液倒入沉淀槽，沉淀槽里有三层滤网，分别为A层、B层、C层，每层滤网为双层结构，上层孔径大于下层孔径，A、B、C层滤网之间间隔3mm，如：
第一层过滤网的孔径200-400μm，上层网孔400μm，下层网孔200μm，
第二层过滤网的孔径150-100μm，上层网孔径150μm，下层网孔径100μm，
第三层过滤网的孔径40-20μm，上层网孔40μm，下层网孔径20μm，
用于初步过滤大颗粒物；
步骤S3、进行精滤，将S2过滤后的废液，分别用800目、1000目、1500目、2000目的筛网进行过滤，在过滤过程中进行超声微震动，以得到浆料所需的颗粒大小；
步骤S4、进行搅拌，将S3的过滤后的废液收集到抛光液桶中放入搅拌器进行搅拌，转速为30rpm/min，搅拌时间为10min，然后将转速降低...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵斌，陈俊辉，杨柳，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35