可控硅故障自测试方法、电路、连接器及电器设备技术

本发明专利技术涉及漏电检测技术领域，公开了一种可控硅故障自测试方法、电路、连接器及电器设备。本发明专利技术技术方案通过可控硅测试控制模块接收半波整流电路的交流同步信号，判断所述交流同步信号的交流幅值小于零时，开始对可控硅进行检测；在第一预设时间内输出开启信号至可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第一目标电压；在第二预设时间内输出开启信号至所述可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第二目标电压；根据第一目标电压及第二目标电压计算差值与阈值比较，判断所述可控硅是否失效，在所述可控硅失效时输出故障信号警示用户，实现了漏电检测电路中可控硅自检测，不需要人为控制检测。

【技术实现步骤摘要】
可控硅故障自测试方法、电路、连接器及电器设备
本专利技术涉及漏电检测
，特别涉及一种可控硅故障自测试方法、电路、连接器及电器设备。
技术介绍
随着家用电器的迅速普及，现代设备负载电流中高频分量增多，漏电保护标准日趋严格。漏电检测保护电路被要求进行周期性测试，以确保正常工作，避免失误情况对人体的可能伤害。新一代的漏电保护标准要求在漏电保护电路中的关键电路或者器件失效时，漏电保护芯片能够检测出，并能启动声光报警。这样可以避免因为漏电保护电路失效导致的严重事故。目前漏电保护电路中可以通过可控硅来进行漏电保护，但是可控硅在使用中易发生可控硅引脚之间短路或开路，这种情况称为可控硅失效，可控硅将不受控制，无法通过触发信号开通或关断，使得漏电保护电路无法正常工作，而目前在进行漏电保护的同时对可控硅进行检测，需要采用额外的一路交流信号专门提供同步信息，需要额外的高压隔离电路和整流电路，在电路设计上会在成本和复杂度上均存在较大的代价。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种可控硅故障自测试方法、电路、连接器及电器设备，旨在实现漏电保护电路中进行漏电保护的同时实现可控硅自检测。为实现上述目的，本专利技术提出一种可控硅故障自测试方法，所述可控硅故障自测试方法包括：可控硅测试控制模块接收半波整流电路的交流同步信号，判断所述交流同步信号的交流幅值小于零时，开始对可控硅进行检测；在第一预设时间内输出开启信号至可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第一目标电压；在第二预设时间内输出开启信号至所述可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第二目标电压；根据所述第一目标电压及所述第二目标电压，判断所述可控硅是否失效，在所述可控硅失效时输出故障信号。优选地，所述根据所述第一目标电压及所述第二目标电压，判断所述可控硅是否失效，在所述可控硅失效时输出故障信号的步骤，具体包括：将所述第一目标电压的电压值和所述第二目标电压的电压值进行比较，基于其中较大的电压值减去较小的电压值，将所述第一目标电压和所述第二目标电压的差值作为可控硅检测值；将所述可控硅检测值与预设阈值进行比较，当所述可控硅检测值小于所述预设阈值时，判断所述可控硅失效，在所述可控硅失效时输出故障信号。优选地，所述在第一预设时间内输出开启信号至可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第一目标电压的步骤，具体包括：在第三预设时间内输出开启信号至所述可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第一起始电压；在第四预设时间内输出关断信号至所述可控硅的受控端，以使所述可控硅关断，获取第一结束电压；在第五预设时间内，根据所述第一起始电压及所述第一结束电压确定所述第一目标电压。优选地，所述在第二预设时间内输出开启信号至所述可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第二目标电压的步骤，具体包括：在第六预设时间内输出开启信号至所述可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第二起始电压，此时确认可控硅测试控制模块接收所述半波整流电路的电压大于所述第二起始电压值；在第七预设时间内确认可控硅测试控制模块接收所述半波整流电路的电压小于所述第二起始电压值，此时开始第八预设时间计时；在第八预设时间内，获取第二结束电压，根据所述第二起始电压及所述第二结束电压确定所述第二目标电压。本专利技术还提出一种可控硅故障自测试电路，所述可控硅故障自测试电路包括：半波整流电路、可控硅及可控硅测试控制模块，所述半波整流电路分别与电源及所述可控硅测试控制模块连接，所述可控硅分别与所述半波整流电路及所述可控硅测试控制模块连接；其中，所述半波整流电路，用于给所述可控硅测试控制模块供电；所述可控硅测试控制模块，用于接收所述半波整流电路的交流同步信号，判断所述交流同步信号的交流幅值小于零时对可控硅进行检测，在第一预设时间内输出开启信号至所述可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第一目标电压；在第二预设时间内输出开启信号至所述可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第二目标电压；根据所述第一目标电压及第二目标电压，判断所述可控硅是否失效，在所述可控硅失效时输出故障信号。优选地，所述可控硅故障自测试电路为独立测试电路或所述可控硅故障自测试电路集成于漏电检测芯片内或所述可控硅故障自测试电路集成于自测试集成芯片内。优选地，所述半波整流电路包括第一二极管、第一电阻及动作线圈，所述动作线圈第一端与所述电源的火线连接，所述动作线圈第二端与所述第一二极管的阳极连接，所述第一二极管的阴极与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述可控硅测试控制模块连接；所述半波整流电路还包括第一电容及第二电容，所述第一电容的第一端与所述可控硅的受控端连接，所述第一电容的第二端接地；所述第二电容的第一端与所述第一电阻的第二端连接，所述第一电容的第二端接地。优选地，所述可控硅的受控端与所述可控硅测试控制模块连接，所述可控硅的输入端与所述第一电阻的第一端连接，所述可控硅的输出端接地。本专利技术还提出一种连接器，所述连接器应用如上文所述的可控硅故障自测试方法。本专利技术还提出一种电器设备，所述电器设备应用如上文所述的可控硅故障自测试方法，或者所述电器设备包括如如上文所述的可控硅故障自测试电路。本专利技术技术方案通过可控硅测试控制模块接收半波整流电路的交流同步信号，判断所述交流同步信号的交流幅值小于零时，开始对可控硅进行检测；在第一预设时间内输出开启信号至可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第一目标电压；在第二预设时间内输出开启信号至所述可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第二目标电压；根据所述第一目标电压及所述第二目标电压计算差值与阈值比较，判断所述可控硅是否失效，在所述可控硅失效时输出故障信号警示用户，实现了漏电保护电路中进行漏电保护的同时实现可控硅自检测，不需要人为控制检测。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本专利技术可控硅故障自测试方法第一实施例的流程示意图；图2为本专利技术可控硅故障自测试方法第二实施例的流程示意图；图3为本专利技术可控硅故障自测试方法第三实施例的流程示意图；图4为本专利技术可控硅故障自测试电路第一实施例的功能模块图；图5为本专利技术可控硅故障自测试装置第一实施例的电路结构示意图；附图标号说明：本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可控硅故障自测试方法，其特征在于，所述可控硅故障自测试方法包括：/n可控硅测试控制模块接收半波整流电路的交流同步信号，判断所述交流同步信号的交流幅值小于零时，开始对可控硅进行检测；/n在第一预设时间内输出开启信号至可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第一目标电压；/n在第二预设时间内输出开启信号至所述可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第二目标电压；/n根据所述第一目标电压及所述第二目标电压，判断所述可控硅是否失效，在所述可控硅失效时输出故障信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种可控硅故障自测试方法，其特征在于，所述可控硅故障自测试方法包括：
可控硅测试控制模块接收半波整流电路的交流同步信号，判断所述交流同步信号的交流幅值小于零时，开始对可控硅进行检测；
在第一预设时间内输出开启信号至可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第一目标电压；
在第二预设时间内输出开启信号至所述可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第二目标电压；
根据所述第一目标电压及所述第二目标电压，判断所述可控硅是否失效，在所述可控硅失效时输出故障信号。


2.如权利要求1中所述的可控硅故障自测试方法，其特征在于，所述根据所述第一目标电压及所述第二目标电压，判断所述可控硅是否失效，在所述可控硅失效时输出故障信号的步骤，具体包括：
将所述第一目标电压的电压值和所述第二目标电压的电压值进行比较，基于其中较大的电压值减去较小的电压值，将所述第一目标电压和所述第二目标电压的差值作为可控硅检测值；
将所述可控硅检测值与预设阈值进行比较，当所述可控硅检测值小于所述预设阈值时，判断所述可控硅失效，在所述可控硅失效时输出故障信号。


3.如权利要求1中所述的可控硅故障自测试方法，其特征在于，所述在第一预设时间内输出开启信号至可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第一目标电压的步骤，具体包括：
在第三预设时间内输出开启信号至所述可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第一起始电压；
在第四预设时间内输出关断信号至所述可控硅的受控端，以使所述可控硅关断，获取第一结束电压；
在第五预设时间内，根据所述第一起始电压及所述第一结束电压确定所述第一目标电压。


4.如权利要求1中所述的可控硅故障自测试方法，其特征在于，所述在第二预设时间内输出开启信号至所述可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第二目标电压的步骤，具体包括：
在第六预设时间内输出开启信号至所述可控硅的受控端，以使所述可控硅导通，获取第二起始电压，此时确认可控硅测试控制模块接收所述半波整流电路的电压大于所述第二起始电压值；
在第七预设时间内确认可控硅测试控制模块接收所述半波整流电路的电压小于所述第二起始电压值，此时开始第八预设时间计时；
在第八预设时间内，获取第二结束电压，根据所述第二起始电压及所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高东兴，
申请(专利权)人：深圳市晶扬电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44