一种低钳位电压型集成静电保护功能的EMI滤波器制造技术

本发明专利技术提供了一种低钳位电压型集成静电保护功能的EMI滤波器，包括N型半导体衬底、NPN三极管Q1、NPN三极管Q2和电阻R，NPN三极管Q1设有第一P型阱区，NPN三极管Q2设有第二P型阱区，第一P型阱区内设有接地的P+重掺杂有源区和与I/O端口一相连的N+重掺杂有源区，N型半导体衬底的底部接地，第一P型阱区内的N+重掺杂有源区与N型半导体衬底的底部之间形成有竖直方向的正向ESD通路，第一P型阱区内的P+重掺杂有源区与N+重掺杂有源区之间形成有水平方向的反向ESD通路，第二P型阱区与第一P型阱区结构相同。本发明专利技术的有益效果为：能够同时实现静电防护和电磁干扰滤波的双重功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及静电保护，具体涉及一种低钳位电压型集成静电保护功能的emi滤波器。

技术介绍

1、电磁干扰（electromagnetic interference，emi）是指干扰源（一般为电子设备）通过导电介质（如线缆）或空间辐射把自身电网络上的信号耦合到另一个电网络。滤波器是一种良好的emi解决方案，它可以使信号中特定的频率成分通过，而极大地衰减或抑制其他频率成分。针对某些应用，如数字信号、通信、音频、图像、视频压缩、传感器输出等信号处理电路可采用低通滤波器来有效地滤除高频噪声，保留低频信号成分，从而提高信号质量。

2、静电放电（electro-static discharge，esd）是指人体或物质所蓄积的电荷通过导电通道向周围物体放电的一种现象，采用瞬态电压抑制器（transient voltagesuppressor，tvs）可以对电子电路起到高效的静电保护作用。

3、当前，电子产品的设计和应用环境复杂，电磁干扰和静电放电事件发生的源头不计其数，emi和esd事件的独立或共同发生均会干扰并降低电子产品的信号完整性，严重时甚本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低钳位电压型集成静电保护功能的EMI滤波器，其特征在于：包括N型半导体衬底和设置在所述N型半导体衬底上的NPN三极管Q1、NPN三极管Q2和电阻R，所述NPN三极管Q1设有第一P型阱区，所述NPN三极管Q2设有第二P型阱区，所述第一P型阱区内设有接地的P+重掺杂有源区和与EMI滤波器的正极相连的N+重掺杂有源区，所述EMI滤波器的正极与I/O端口一相连，所述N型半导体衬底的底部接地，所述第一P型阱区内的N+重掺杂有源区与所述N型半导体衬底的底部之间形成有竖直方向的正向ESD通路，所述第一P型阱区内的P+重掺杂有源区与N+重掺杂有源区之间形成有水平方向的反向ESD通路，所述第二P型...

【技术特征摘要】

1.一种低钳位电压型集成静电保护功能的emi滤波器，其特征在于：包括n型半导体衬底和设置在所述n型半导体衬底上的npn三极管q1、npn三极管q2和电阻r，所述npn三极管q1设有第一p型阱区，所述npn三极管q2设有第二p型阱区，所述第一p型阱区内设有接地的p+重掺杂有源区和与emi滤波器的正极相连的n+重掺杂有源区，所述emi滤波器的正极与i/o端口一相连，所述n型半导体衬底的底部接地，所述第一p型阱区内的n+重掺杂有源区与所述n型半导体衬底的底部之间形成有竖直方向的正向esd通路，所述第一p型阱区内的p+重掺杂有源区与n+重掺杂有源区之间形成有水平方向的反向esd通路，所述第二p型阱区内设有接地的p+重掺杂有源区和与emi滤波器的负极相连的n+重掺杂有源区，所述emi滤波器的负极与i/o端口二相连，所述n型半导体衬底的底部接地，所述第二p型阱区内的n+重掺杂有源区与所述n型半导体衬底的底部之间形成有竖直方向的正向esd通路，所述第二p型阱区内的p+重掺杂有源区与n+重掺杂有源区之间形成有水平方向的反向esd通路。

2.根据权利要求1所述的低钳位电压型集成静电保护功能的emi滤波器，其特征在于：所述npn三极管q1的集电极与所述emi滤波器的正极、所述电阻r的一端相连，所述npn三极管q2的集电极与所述emi滤波器的负极、所述电阻r的另一端相连，所述npn三极管q1的基极、所述npn三极管q1的发射极、所述npn三极管q2的基极、所述npn三极管q2的发射极接地，所述npn三极管q1、所述npn三极管q2的结构均为tvs结构，所述npn三极管q...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜飞波，李红，王旭耀，李硕，高东兴，
申请(专利权)人：深圳市晶扬电子有限公司，
类型：发明
国别省市：