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一种低钳位电压型集成静电保护功能的EMI滤波器制造技术
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下载一种低钳位电压型集成静电保护功能的EMI滤波器的技术资料
文档序号:43875400
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本发明提供了一种低钳位电压型集成静电保护功能的EMI滤波器,包括N型半导体衬底、NPN三极管Q1、NPN三极管Q2和电阻R,NPN三极管Q1设有第一P型阱区,NPN三极管Q2设有第二P型阱区,第一P型阱区内设有接地的P+重掺杂有源区和与I/...
该专利属于深圳市晶扬电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市晶扬电子有限公司授权不得商用。
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