本发明提供一种紧凑的双向静电保护电路，包括并联在所述第一端口和第二端口之间的若干个双向静电泄放单元，所述双向静电泄放单元包括第一静电防护元件串及两个反方向的静电防护元件，所述第一静电防护元件串的第一个静电防护元件一端与第一端口相连，最后...

本发明提供一种低钳位电压型双向静电保护电路及双向静电保护器件，本发明低钳位电压型双向静电保护电路包括PNP双向触发三极管、NPN双向触发三极管、及若干个静电防护元件，其中，所述PNP双向触发三极管的一个P脚、NPN双向触发三极管的一个N...

本发明提供一种高差分带宽的集成共模滤波器，属于共模滤波器领域。本发明高差分带宽的集成共模滤波器包括衬底，及层叠设置在衬底上的第一平面电感线圈和第二平面电感线圈，所述第一平面电感线圈和第二平面电感线圈在垂直方向上设有一定间距，所述第一平面...

本发明提供了一种具有欠压保护功能的基准电流源电路，包括基准电流源启动电路、基准电流源主电路和欠压保护电路，基准电流源启动电路的输入端与芯片的主控制电路相连，基准电流源启动电路的输出端与基准电流源主电路的输入端相连，基准电流源主电路的输出...

本发明提供了一种封装后的可编程熔丝修调控制电路，包括系统复位单元电路的输入端能够接收控制信号EN并产生读脉冲信号READ和系统复位信号RSTN，输出端与烧写脉冲检测单元电路的输入端相连，烧写脉冲检测单元电路的输出端与熔丝单元电路的输入端...

一种开关功率管可调限流值的限流保护电路，用于控制一外部采样功率管P中的电流不超过预设限定值，其包括：放大器OP1、电流源I<subgt;BIA</subgt;、NMOS1～NMOS14、PMOS1～PMOS13、电阻R<...

一种直流稳压器的频率调整电路，用于控制多个相互级联的芯片的时钟频率一致，由外部接入一个时钟频率信号端，其包括：鉴频鉴相器

本发明公开了一种高性能垂直型霍尔器件，包括

本发明公开了一种集成的光电开关的自动增益控制电路

本发明公开了一种音频功率放大器的保护电路，与一音频功放电路连接，其包括：输入端、输出端、第一开关、分压电路、快速比较器、电流检测电路、温度检测电路、除抖动电路、电荷泵高压生成电路、反相器、第二开关、第一电容以及第一稳压二极管，其中：第一...

本实用新型公开了一种音频功率放大电路的保护电路，其包括：音频电源开关、电源电压监测电路模块、电源电流监测电路模块、温度检测电路模块以及开关控制模块，其中：音频功率放大电路的保护电路具有一输入端和一输出端，输入端与一电源连接，输出端与一音...

本发明提供一种带有浮岛型保护环的高压肖特基二极管，包括第一导电类型阱区、设置在所述第一导电类型阱区内的第一导电类型有源区及第二导电类型保护环，所述第一导电类型阱区表面的有源区均设有肖特基势垒金属，所述第二导电类型保护环与其表面的肖特基势...

本发明提供一种紧凑的低电容型肖特基二极管，属于肖特基二极管结构领域。本发明包括第一导电类型阱区、设置在所述第一导电类型阱区内、相互隔离的第一导电类型重掺杂区及第二导电类型保护环，所述第二导电类型保护环为第二导电类型轻掺杂区，所述第一导电...

本发明提供一种具有快速开关切换速度的高压肖特基二极管，包括第一导电类型阱区、设置在所述第一导电类型阱区内的第一导电类型有源区及第二导电类型保护环，所述第一导电类型有源区上方设有第一金属硅化物，所述第二导电类型保护环上表面覆盖有硅化物阻挡...

本发明公开了一种基于霍尔效应的磁场检测电路以及电流传感器，该基于霍尔效应的磁场检测电路包括：2N个霍尔效应极板，2N个霍尔效应极板设置在半导体硅片上并沿同一方向均匀排列；以及2N个电流源，每一电流源的输出相同并且分别与其中一个霍尔效应极...

本发明提供了一种基于霍尔效应的磁场检测电路以及电流传感器，包括：N个霍尔效应极板对，N≥1，N个霍尔效应极板对设置在半导体硅片上并沿同一方向均匀排列，每一霍尔效应极板对包括两个霍尔效应极板和两组互斥开关，霍尔效应极板对中的每一霍尔效应极...

本发明提供了一种低压工艺的紧凑型静电保护器件及整体静电防护方法。本发明的紧凑型静电防护器件的触发电压非常低，适用于先进低压电路的静电防护。与此同时，该紧凑型静电防护方案，相比经典的静电防护方案，或是现有的“一体化”静电防护方案，可以只利...

本发明提供了一种用于静电防护的对称双向可控硅整流器及防护系统，包括：P型衬底(P110)、深N阱、P阱、N阱、P型有源区、N型有源区、N阱环(N130)、阳极、阴极，所述深N阱(N120)置于所述P型衬底(P110)和所述P阱之间；其中...

本发明提供一种适用纳米级FinFET工艺的低钳位电压静电保护器件，属于鳍式场效应晶体管技术领域。本发明适用纳米级FinFET工艺的低钳位电压静电保护器件包括第一导电类型衬底、设置在第一导电类型衬底上的第二导电类型深阱区，所述第二导电类型...

本发明涉及一种含校准电路的自适应增量调制模拟数字转换器和校准方法，模拟数字转换器包括：误差比较求和电路，其用于对输入模拟信号与反馈信号进行比较并求差，得到误差信号；环路滤波器，其用于接收误差信号；比较器，对放大后的所述误差信号进行判决；...