【技术实现步骤摘要】
一种高性能垂直型霍尔器件
[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种高性能垂直型霍尔器件
。
技术介绍
[0002]霍尔器件是一种利用霍尔效应的固态电子器件，现有技术如图9所示
。
霍尔效应是在一块矩形导体，通过在两端设置特定电压放置在特定的磁场环境中，在导体两侧会由于电子在磁场和电场共同的作用下达到平衡而产生感应电动势
。
对于半导体固态电子器件而言，其中的载流子在电场与磁场的作用下，使得载流子会在特定的区域发生聚集或偏移而导致该区域也会出现感应电动势
。
得益于霍尔效应，该特殊的器件可以应用于对磁场的检测传感器，目前也已经广泛应用在机械控制，汽车电子，医疗设备，消防安全等领域
。
[0003]为了提高霍尔器件对磁场的感应能力，降低初始失调和感应的电动势，以提高灵敏度以及降低后续驱动电路的难度，目前最典型的措施为将五接触结构改为四阱结构，如图
10
所示
。
通过四阱下的完全对称结构可以很好的将水平霍尔传感器中的电流旋转法引入其中以达到消除初始偏压的目的
。
然而四阱的结构将会由于结构以及短路电流降低感应到的电动势
。
因此业界最常用的方式为利用
P+
接触或者
PWELL
进行隔离，通过简单的隔离能有效减小短路电流以及提高霍尔电压
。
然而虽然能一定程度上提高霍尔电压，但是实际的感应电动势依旧很小，对电路驱动的设计挑战依...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种高性能垂直型霍尔器件，包括
P
型衬底（
110
），其特征在于，所述
P
型衬底（
110
）上开设有
N
阱区（
120
）；所述
N
阱区（
120
）的上方有源区通过若干个浅沟槽隔离区（
100
）进行隔离形成若干个重掺杂有源区域；所述重掺杂有源区域包括重掺杂有源区一（
121
）
、
重掺杂有源区二（
122
）和重掺杂有源区三（
123
）；所述重掺杂有源区二（
122
）的横向尺寸小于重掺杂有源区一（
121
）和重掺杂有源区三（
123
）的横向尺寸；在每个重掺杂有源区域均设置有金属互联线并形成相应接线端口
。2.
根据权利要求1所述的一种高性能垂直型霍尔器件
,
其特征在于，重掺杂有源区一（
121
）上设置有金属硅化物层一（
121A
），所述重掺杂有源区一（
121
）上还设置有金属互联线四（
94
）；所述重掺杂有源区一（
121
）上的金属互联线四（
94
）对应
A1
端口
。3.
根据权利要求1所述的一种高性能垂直型霍尔器件
,
其特征在于，所述重掺杂有源区二（
122
）上设置有金属硅化物层二（
122A
），所述重掺杂有源区二（
122
）上还设置有金属互联线五（
95
）；所述重掺杂有源区二（
122
）上的金属互联线五（
95
）对应
B1
端口
。4.
根据权利要求1所述的一种高性能垂直型霍尔器件
,
其特征在于，所述重掺杂有源区三（
123
）上设置有金属硅化物层三（
123A
），所述重掺杂有源区三（
123
）上也设置有金属互联线四（
94
）；所述重掺杂有源区三（
123
）上的金属互联线四（
94
）对应
C1
端口
。5.
根据权利要求2所述的一种高性能...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜飞波，侯飞，高东兴，
申请(专利权)人：深圳市晶扬电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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