一种紧凑的双向静电保护电路制造技术

本发明专利技术提供一种紧凑的双向静电保护电路，包括并联在所述第一端口和第二端口之间的若干个双向静电泄放单元，所述双向静电泄放单元包括第一静电防护元件串及两个反方向的静电防护元件，所述第一静电防护元件串的第一个静电防护元件一端与第一端口相连，最后一个静电防护元件的一端与第二端口相连，其中一个反方向的静电防护元件的一端与第一端口相连，另一端接所述第一静电防护元件串中的第一个静电防护元件和第二个静电防护元件之间，另外一个反方向的静电防护元件的一端与第二端口相连，另一端接所述第一静电防护元件串中的最后一个静电防护元件和倒数第二个静电防护元件之间。本发明专利技术有利于大幅减小产品的版图面积和封装尺寸，降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及静电保护电路领域，具体涉及一种紧凑的双向静电保护电路。

技术介绍

1、由静电放电（electro-static discharge，简称 esd）问题引起的芯片失效比重不断增大，已经成为集成电路（integrated circuit，简称ic）产品的主要可靠性问题之一。随着半导体工艺制程的不断缩小，低功耗、且面积效率更高的esd防护架构是十分有应用前景的。

2、二极管串是一种非常简单，高效的esd防护器件，广泛用于各种芯片端口的esd防护工程中。在先进的低压端口中，二极管串可以被直接用于输入/输出（input/output，简称i/o）端口与地之间的局部esd防护。对于硅工艺二极管，为实现低功耗，通常一个二极管可以贡献约0.3~0.4v的阻塞电压。因此，对于典型的0.8v/1v/1.2v低压i/o端口，为了实现更低的漏电流，以获得更低的静态功耗，二极管的串联数目（n）通常为3个；而对于1.8v i/o端口，二极管的串联数目通常需增加到6个。

3、如图1所示，就是利用二极管串3*3阵列实现的单向静电防护方案的电路等效图，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种紧凑的双向静电保护电路，设置在第一端口和第二端口之间，其特征在于：所述双向静电保护电路包括并联在所述第一端口和第二端口之间的若干个双向静电泄放单元，所述双向静电泄放单元包括沿第一静电泄放方向设置的第一静电防护元件串及沿第二静电泄放方向设置两个反方向的静电防护元件，其中，

2.根据权利要求1所述的紧凑的双向静电保护电路，其特征在于：所述静电防护元件包括二极管、金属-氧化层-半导体场效应晶体管、双极性结型晶体管或齐纳二极管。

3.根据权利要求1所述的紧凑的双向静电保护电路，其特征在于：所述第一端口和第二端口的组合包括I/O端口-地端口、电源端口-I/O端口、电...

【技术特征摘要】

1.一种紧凑的双向静电保护电路，设置在第一端口和第二端口之间，其特征在于：所述双向静电保护电路包括并联在所述第一端口和第二端口之间的若干个双向静电泄放单元，所述双向静电泄放单元包括沿第一静电泄放方向设置的第一静电防护元件串及沿第二静电泄放方向设置两个反方向的静电防护元件，其中，

2.根据权利要求1所述的紧凑的双向静电保护电路，其特征在于：所述静电防护元件包括二极管、金属-氧化层-半导体场效应晶体管、双极性结型晶体管或齐纳二极管。

3.根据权利要求1所述的紧凑的双向静电保护电路，其特征在于：所述第一端口和第二端...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜飞波，李菀婷，侯飞，高东兴，
申请(专利权)人：深圳市晶扬电子有限公司，
类型：发明
国别省市：