一种快开启型双向对称的静电保护器件制造技术

本发明专利技术提供一种快开启型双向对称的静电保护器件，包括第一导电类型衬底，设置在第一导电类型衬底上方的1个以上的双向SCR结构单元，所述双向SCR结构单元包括依次并列非接触设置的三个静电泄放模块，静电泄放模块分别设有第一导电类型重掺杂区和第二导电类型重掺杂区，第二静电泄放模块的第一导电类型重掺杂区与第一静电泄放模块的第二导电类型重掺杂区能够构建静电泄放的第一方向导通路径，第三静电泄放模块的第一导电类型重掺杂区与所述第二静电泄放模块的第二导电类型重掺杂区能够构建与第一方向相反的第二方向导通路径，所述第一方向导通路径与所述第二方向导通路径的长度和导通路径均一致。本发明专利技术能够实现更快的导通开启速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及静电保护器件结构领域，具体涉及一种快开启型双向对称的静电保护器件。

技术介绍

1、电子电路系统很容易遭受电性过应力（electrical over stress，eos）、静电放电（electrostatic discharge，esd）等瞬态能量的破坏。静电保护器作为主流的保护器件之一，对电路和芯片的静电防护起到了重要的作用。按保护类型分类，静电保护器件可以分为单向和双向器件，两者均具有双向的esd泄放能力。但是，单向保护器件仅具有单侧阻塞能力，而双向保护器件则具有双向阻塞能力。对于一些端口信号同时存在正向和负向电压的情形，必须选择双向保护器件进行esd防护。

2、在现有的各类双向静电防护元件中，双向可控硅整流器（silicon controlledrectifier，scr）具有对称的i-v特性，泄放能力更强劲，钳位电压更低，能对双向静电冲击起到更好的防护作用。

3、随着集成电路工艺节点的不断演进，芯片的集成度越来越高，但是相应的耐压能力不断下降。此时，对于快速的静电放电事件，如iec放电，cdm模式（charge本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种快开启型双向对称的静电保护器件，其特征在于：包括第一导电类型衬底，设置在第一导电类型衬底上方的1个以上的双向SCR结构单元，所述双向SCR结构单元包括依次并列非接触设置的三个静电泄放模块，分别为第一静电泄放模块、第二静电泄放模块和第三静电泄放模块，其中，所述第一静电泄放模块、第二静电泄放模块和第三静电泄放模块分别设有第一导电类型重掺杂区和第二导电类型重掺杂区，其中，

2.根据权利要求1所述的快开启型双向对称的静电保护器件，其特征在于：所述双向SCR结构单元的数量为2个以上，所有双向SCR结构单元并列设置在所述第一导电类型衬底上，当两个SCR结构单元相邻的静电泄放模块均...

【技术特征摘要】

1.一种快开启型双向对称的静电保护器件，其特征在于：包括第一导电类型衬底，设置在第一导电类型衬底上方的1个以上的双向scr结构单元，所述双向scr结构单元包括依次并列非接触设置的三个静电泄放模块，分别为第一静电泄放模块、第二静电泄放模块和第三静电泄放模块，其中，所述第一静电泄放模块、第二静电泄放模块和第三静电泄放模块分别设有第一导电类型重掺杂区和第二导电类型重掺杂区，其中，

2.根据权利要求1所述的快开启型双向对称的静电保护器件，其特征在于：所述双向scr结构单元的数量为2个以上，所有双向scr结构单元并列设置在所述第一导电类型衬底上，当两个scr结构单元相邻的静电泄放模块均通过金属互联线与第一端口相连时，相邻的两个scr结构单元能够共用该静电泄放模块。

3.根据权利要求1或2所述的快开启型双向对称的静电保护器件，其特征在于：所述第一导电类型衬底上设有第二导电类型大阱区，所有双向scr结构单元并列设置在所述第二导电类型大阱区表面。

4.根据权利要求3所述的快开启型双向对称的静电保护器件，其特征在于：所述第一静电泄放模块、第二静电泄放模块和第三静电泄放模块的结构相同，并通过浅沟隔离结构隔离设置，所述第一静电泄放模块的第一导电类型重掺杂区和第二导电类型重掺杂区接触并列设置，所述第一静电泄放模块还包括设置在所述第一导电类型重掺杂区和第二导电类型重掺杂区下表面的第一导电类型esd保护层。

5.根据权利要求4所述的快开启型双向对称的静电保护器件，其特征在于：所述第二导电类型大阱区和第一导电类型esd保护层由掺杂类型相同的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜飞波，侯飞，王旭耀，李硕，万里佳，高东兴，
申请(专利权)人：深圳市晶扬电子有限公司，
类型：发明
国别省市：