【技术实现步骤摘要】
本申请中实施例涉及半导体制造，具体涉及一种半导体结构、半导体结构的制造方法以及cmos器件。
技术介绍
1、cmos晶体管（complementary metal oxide semiconductor field-effecttransistor，cmos fet，互补金属氧化物半导体场效应晶体管）是大规模集成电路中的主要半导体器件。随着半导体器件集成度的提高，cmos晶体管的特征尺寸不断减小，针对40nm及以下的工艺节点，短沟道效应、热载流子效应等物理效应可能引起cmos晶体管的阈值电压控制能力下降、漏电流增大，导致cmos晶体管性能大幅度降低。
2、在现有技术中，主要采用hkmg（high-k metal gate，高介电常数金属栅极）代替传统多晶硅栅极来提升cmos晶体管的性能。具体的，hkmg栅极介质层的材料为具有高介电常数的电介质材料，栅极电极为包含金属元素的导电材料。为提升包含hkmg的cmos晶体管的性能，hkmg主要利用后栅工艺（gate-last process）制备。在利用现有后栅工艺制备出包含hkmg...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的延伸方向为所述凹槽的深度和所述金属栅极的高度方向；沿着所述凹槽的延伸方向，所述凹槽的深度与所述金属栅极的高度之比落入1:4~2:5范围内。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽包括间隙部和与所述栅极接触结构相接触的接触部；所述半导体结构还包括：
4.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构的制造方法包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，沿着所述凹槽的延伸方向，所述凹...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的延伸方向为所述凹槽的深度和所述金属栅极的高度方向；沿着所述凹槽的延伸方向，所述凹槽的深度与所述金属栅极的高度之比落入1:4~2:5范围内。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽包括间隙部和与所述栅极接触结构相接触的接触部；所述半导体结构还包括：
4.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构的制造方法包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，沿着所述凹槽的延伸方向，所述凹槽具有凹槽深度；提供基底的步骤，包括：
6.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述基底上沉积金属栅极材料，在所述栅极沟槽中形成表面具有凹槽的金属栅极的步骤，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述基底上沉积金属栅极材料，得到形成于所述基底的表面以及所述栅极沟槽的底面和侧面的金属栅极材料层的步骤，包括：
8.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文智，刘哲儒，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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