温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法以及CMOS器件，该半导体结构包括：基底；形成于基底上的金属栅极；其中，金属栅极的表面具有凹槽；凹槽沿金属栅极远离基底的表面向靠近基底的方向延伸；凹槽具有底面侧面；形成于金属栅极远离基底...
该专利属于晶芯成（北京）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶芯成（北京）科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。