半导体结构的边界特征提取方法及其装置制造方法及图纸

本申请公开了一种半导体结构的边界特征提取方法及其装置。该测量方法获取透射电子显微镜输出的半导体结构的剖面图像，剖面图像包括至少一个图形；以及根据剖面图像识别图形的边界，其中，识别图形的边界的步骤包括：根据剖面图像中各像素的灰度值获得二阶导数处理结果，并基于二阶导数处理结果获得边界上的多个边界点坐标。通过获取透射电子显微镜输出的半导体结构的剖面图像，并对该剖面图像进行二阶导数处理，从而获得了清晰的图形边界，为之后对半导体结构进行高精度测量提供了保障。

Boundary feature extraction method and device of semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的边界特征提取方法及其装置
本专利技术涉及半导体技术，更具体地，涉及一种半导体结构的边界特征提取方法及其装置。
技术介绍
随着半导体器件的小型化，半导体器件的关键尺寸已经减小到纳米级别，这就意味着关键尺寸将会决定半导体器件性能，因此，对与精确测量关键尺寸，并且掌握关键尺寸在纳米级别上的变化程度，已经成为必不可少的环节。在现有技术中，可以通过测量工具对半导体器件的一般性的简单形貌或者半导体器件单一且较大的关键尺寸等进行测量，但对于复杂且关键尺寸较小的结构(如3DNAND)来说，现有技术中的测量工具并不能满足需要，主要原因如下：1、测量时需要人工观察，对于复杂且关键尺寸较小的结构人工很难分辨出差异度，存在精度低的问题。2、由于需要人工观察，因此不能实现连续的多次自动测量，存在效率低，可靠性差的问题。因此，希望进一步改进半导体结构的边界特征提取方法及其装置，从而提高测量精度、效率以及可靠性。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种改进的半导体结构的边界特征提取方法及其装置，以解决上述问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的边界特征提取方法，其特征在于，包括：/n获取透射电子显微镜输出的所述半导体结构的剖面图像，所述剖面图像包括至少一个图形；以及/n根据所述剖面图像识别所述图形的边界，/n其中，识别所述图形的边界的步骤包括：根据所述剖面图像中各像素的灰度值获得二阶导数处理结果，并基于所述二阶导数处理结果获得所述边界上的多个边界点坐标。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的边界特征提取方法，其特征在于，包括：
获取透射电子显微镜输出的所述半导体结构的剖面图像，所述剖面图像包括至少一个图形；以及
根据所述剖面图像识别所述图形的边界，
其中，识别所述图形的边界的步骤包括：根据所述剖面图像中各像素的灰度值获得二阶导数处理结果，并基于所述二阶导数处理结果获得所述边界上的多个边界点坐标。


2.根据权利要求1所述的边界特征提取方法，其特征在于，根据所述剖面图像中各像素的灰度值获得二阶导数处理结果的步骤包括：
根据所述剖面图像的每一行像素的灰度值获得多个单位长度与所述灰度值的函数；以及
对每个所述函数进行二阶导数处理，分别获得每个所述函数的二阶导数，并基于每个所述函数的二阶导数识别每一行像素的边界点。


3.根据权利要求2所述的边界特征提取方法，其特征在于，识别每一行像素的边界点的步骤包括：
获取预设参数；以及
判断每个所述二阶导数的多个数值是否大于预设参数。


4.根据权利要求2所述的边界特征提取方法，其特征在于，对每个所述函数进行二阶导数处理之前，根据所述剖面图像中各像素的灰度值获得二阶导数处理结果的步骤还包括对每个所述函数进行高频过滤处理。


5.根据权利要求4所述的边界特征提取方法，其特征在于，还包括根据进行高频过滤处理后的每个所述函数获得中间图像。


6.根据权利要求2所述的边界特征提取方法，其特征在于，还包括根据每个所述二阶导数获得边界图像。


7.一种半导体结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏强民，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42