光学邻近修正方法技术

一种光学邻近修正方法，包括：提供目标光刻图形，所述目标光刻图形包括相邻的第一子目标光刻图形和第二子目标光刻图形；对所述目标光刻图形进行第一光学邻近修正，得到与所述目标光刻图形对应的第一修正图形，以及与所述第一修正图形对应的第一模拟光刻图形；当所述第一修正图形的修正最小间距等于最小预设距离，且所述第一模拟光刻图形的第一边缘放置误差和第二边缘放置误差中的一者或两者大于或等于预设边缘放置误差时，对所述第一修正图形进行第二修正。以所述光学邻近修正方法得到的修正图形形成的光刻图形效果好。

Optical proximity correction method

An optical proximity correction method comprises: providing a target photolithographic pattern, including the adjacent first sub target lithography pattern and the second sub target lithography pattern; first optical proximity correction of the target photolithographic pattern, obtaining the first correction pattern corresponding to the target photolithography pattern, and the first simulated light corresponding to the first correction pattern. When the corrected minimum spacing of the first correction pattern is equal to the minimum preset distance, and one or both of the first edge placement errors of the first simulated photolithographic pattern and the second edge placement error are greater than or equal to the preset edge placement error, the first correction pattern is modified by second. The correction pattern obtained by the optical proximity correction method has a good lithographic pattern effect.

【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种光学邻近修正方法。
技术介绍
为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：OpticalProximityEffect)。为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(OPC：OpticalProximityCorrection)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。然而，采用现有的光学邻近模型对掩膜图形进行修正后进行曝光得到的光刻图形与目标图形间的尺寸误差较大。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种光学邻近修正方法，提高曝光得到的光刻图形的准确性，减小光刻图形与目标图形之间的误差。为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种光学邻近修正方法，包括：提供目标光刻图形，所述目标光刻图形包括相邻的第一子目标光刻图形和第二子目标光刻图形；对所述目标光刻图形进行第一光学邻近修正，得到与所述目标光刻图形对应的第一修正图形，以及与所述第一修正图形对应的第一模拟光刻图形，所述第一修正图形包括与所述第一子目标光刻图形对应的第一子修正图形及与所述第二子目标光刻图形对应的第二子修正图形，所述第一子修正图形和所述第二子修正图形间具有修正最小间距，所述第一模拟光刻图形包括与所述第一子修正图形对应的第一子模拟光刻图形以及与所述第二子修正图形对应的第二子模拟光刻图形，所述第一子模拟光刻图形具有第一边缘放置误差，所述第二子模拟光刻图形具有第二边缘放置误差；当所述修正最小间距等于最小预设距离，且所述第一边缘放置误差和第二边缘放置误差中的一者或两者大于或等于预设边缘放置误差时，对所述第一修正图形进行第二修正。可选的，还包括：所述第一子修正图形具有第一端点，所述第二子修正图形具有第二端点，所述第一端点与所述第二端点相邻，且所述第一端点与所述第二端点间的间距为所述修正最小间距。可选的，所述第一子修正图形还具有第一边缘线段和第二边缘线段，所述第一边缘线段与所述第二边缘线段相交于所述第一端点；所述第二修正包括：当所述第一边缘放置误差大于或等于所述预设边缘放置误差时，在所述第一边缘线段和所述第二边缘线段中的一者或两者上设置第一切分点，当在所述第一边缘线段上设置所述第一切分点时，所述第一切分点将所述第一边缘线段切分为第一子线段和第二子线段，且所述第一子线段与所述第二边缘线段相交，当在所述第二边缘线段上设置所述第一切分点时，所述第一切分点将所述第二边缘线段切分为第三子线段和第四子线段，且所述第三子线段与所述第一边缘线段相交；在设置所述第一切分点后，对所述第一修正图形进行第二光学邻近修正。可选的，所述第二子修正图形还具有第三边缘线段和第四边缘线段，所述第三边缘线段与所述第四边缘线段相交于所述第二端点；所述第二修正包括：当所述第二边缘放置误差大于或等于所述预设边缘放置误差时，在所述第三边缘线段和所述第四边缘线段中的一者或两者上设置第二切分点，当在所述第三边缘线段上设置所述第二切分点时，所述第二切分点将所述第三边缘线段切分为第五子线段和第六子线段，且所述第五子线段与所述第四边缘线段相交，当在所述第四边缘线段上设置所述第二切分点时，所述第二切分点将所述第四边缘线段切分为第七子线段和第八子线段，且所述第七子线段与所述第三边缘线段相交；在设置所述第二切分点后，对所述第一修正图形进行第二光学邻近修正。可选的，所述第一子线段的长度大于或等于预设线段长度，所述第二子线段的长度大于或等于预设线段长度，所述第三子线段的长度大于或等于预设线段长度，所述第四子线段的长度大于或等于预设线段长度。可选的，所述第五子线段的长度大于或等于预设线段长度，所述第六子线段的长度大于或等于预设线段长度，所述第七子线段的长度大于或等于预设线段长度，所述第八子线段的长度大于或等于预设线段长度。可选的，所述第二光学邻近修正的参数包括：最小切割边长，所述最小切割边长等于所述预设线段长度。可选的，所述第二修正还包括：从所述第一修正图形中提取第二待修正区域，所述第二待修正区域是以所述第一端点或所述第二端点为中心的预设区域内的部分第一修正图形；在提取所述第二待修正区域后，对所述第二待修正区域内的所述第一修正图形进行所述第二光学邻近修正。可选的，还包括：所述第一子修正图形具有第一邻边，所述第二子修正图形具有第二邻边，所述第一邻边与所述第二邻边相邻，且所述第一邻边与所述第二邻边之间的最小间距是所述修正最小间距。可选的，所述第一子修正图形还具有相互平行的第五边缘线段和第六边缘线段，且所述第五边缘线段与所述第六边缘线段分别与所述第一邻边相交；所述第二修正包括：当所述第一边缘放置误差大于或等于所述预设边缘放置误差时，在所述第五边缘线段和所述第六边缘线段中的一者或两者上设置第三切分点，当在所述第五边缘线段上设置所述第三切分点时，所述第三切分点将所述第五边缘线段切分为第九子线段和第十子线段，且所述第九子线段与所述第一邻边相交，当在所述第六边缘线段上设置所述第三切分点时，所述第三切分点将所述第六边缘线段切分为第十一子线段和第十二子线段，且所述第十一子线段与所述第一邻边相交；在设置所述第三切分点后，对所述第一修正图形进行第二光学邻近修正。可选的，所述第二子修正图形还具有相互平行的第七边缘线段和第八边缘线段，且所述第七边缘线段与所述第八边缘线段分别与所述第二邻边相交；所述第二修正包括：当所述第二边缘放置误差大于或等于所述预设边缘放置误差时，在所述第七边缘线段和所述第八边缘线段中的一者或两者上追加第四切分点，当在所述第七边缘线段上设置所述第四切分点时，所述第四切分点将所述第七边缘线段切分为第十三子线段和第十四子线段，且所述第十三子线段与所述第二邻边相交，当在所述第八边缘线段上设置所述第四切分点时，所述第四切分点将所述第八边缘线段切分为第十五子线段和第十六子线段，且所述第十五子线段与所述第二邻边相交；在设置所述第四切分点后，对所述第一修正图形进行第二光学邻近修正。可选的，所述第九子线段的长度大于或等于预设线段长度，所述第十子线段的长度大于或等于预设线段长度，所述第十一子线段的长度大于或等于预设线段长度，所述第十二子线段的长度大于或等于预设线段长度。可选的，所述第十三本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供目标光刻图形，所述目标光刻图形包括相邻的第一子目标光刻图形和第二子目标光刻图形；对所述目标光刻图形进行第一光学邻近修正，得到与所述目标光刻图形对应的第一修正图形，以及与所述第一修正图形对应的第一模拟光刻图形，所述第一修正图形包括与所述第一子目标光刻图形对应的第一子修正图形及与所述第二子目标光刻图形对应的第二子修正图形，所述第一子修正图形和所述第二子修正图形间具有修正最小间距，所述第一模拟光刻图形包括与所述第一子修正图形对应的第一子模拟光刻图形以及与所述第二子修正图形对应的第二子模拟光刻图形，所述第一子模拟光刻图形具有第一边缘放置误差，所述第二子模拟光刻图形具有第二边缘放置误差；当所述修正最小间距等于最小预设距离，且所述第一边缘放置误差和第二边缘放置误差中的一者或两者大于或等于预设边缘放置误差时，对所述第一修正图形进行第二修正。

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供目标光刻图形，所述目标光刻图形包括相邻的第一子目标光刻图形和第二子目标光刻图形；对所述目标光刻图形进行第一光学邻近修正，得到与所述目标光刻图形对应的第一修正图形，以及与所述第一修正图形对应的第一模拟光刻图形，所述第一修正图形包括与所述第一子目标光刻图形对应的第一子修正图形及与所述第二子目标光刻图形对应的第二子修正图形，所述第一子修正图形和所述第二子修正图形间具有修正最小间距，所述第一模拟光刻图形包括与所述第一子修正图形对应的第一子模拟光刻图形以及与所述第二子修正图形对应的第二子模拟光刻图形，所述第一子模拟光刻图形具有第一边缘放置误差，所述第二子模拟光刻图形具有第二边缘放置误差；当所述修正最小间距等于最小预设距离，且所述第一边缘放置误差和第二边缘放置误差中的一者或两者大于或等于预设边缘放置误差时，对所述第一修正图形进行第二修正。2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，还包括：所述第一子修正图形具有第一端点，所述第二子修正图形具有第二端点，所述第一端点与所述第二端点相邻，且所述第一端点与所述第二端点间的间距为所述修正最小间距。3.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一子修正图形还具有第一边缘线段和第二边缘线段，所述第一边缘线段与所述第二边缘线段相交于所述第一端点；所述第二修正包括：当所述第一边缘放置误差大于或等于所述预设边缘放置误差时，在所述第一边缘线段和所述第二边缘线段中的一者或两者上设置第一切分点，当在所述第一边缘线段上设置所述第一切分点时，所述第一切分点将所述第一边缘线段切分为第一子线段和第二子线段，且所述第一子线段与所述第二边缘线段相交，当在所述第二边缘线段上设置所述第一切分点时，所述第一切分点将所述第二边缘线段切分为第三子线段和第四子线段，且所述第三子线段与所述第一边缘线段相交；在设置所述第一切分点后，对所述第一修正图形进行第二光学邻近修正。4.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二子修正图形还具有第三边缘线段和第四边缘线段，所述第三边缘线段与所述第四边缘线段相交于所述第二端点；所述第二修正包括：当所述第二边缘放置误差大于或等于所述预设边缘放置误差时，在所述第三边缘线段和所述第四边缘线段中的一者或两者上设置第二切分点，当在所述第三边缘线段上设置所述第二切分点时，所述第二切分点将所述第三边缘线段切分为第五子线段和第六子线段，且所述第五子线段与所述第四边缘线段相交，当在所述第四边缘线段上设置所述第二切分点时，所述第二切分点将所述第四边缘线段切分为第七子线段和第八子线段，且所述第七子线段与所述第三边缘线段相交；在设置所述第二切分点后，对所述第一修正图形进行第二光学邻近修正。5.根据权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一子线段的长度大于或等于预设线段长度，所述第二子线段的长度大于或等于预设线段长度，所述第三子线段的长度大于或等于预设线段长度，所述第四子线段的长度大于或等于预设线段长度。6.根据权利要求4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第五子线段的长度大于或等于预设线段长度，所述第六子线段的长度大于或等于预设线段长度，所述第七子线段的长度大于或等于预设线段长度，所述第八子线段的长度大于或等于预设线段长度。7.根据权利要求5或6所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二光学邻近修正的参数包括：最小切割边长，所述最小切割边长等于所述预设线段长度。8.根据权利要求3或4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二修正还包括：从所述第一修正图形中提取第二待修正区域，所述第二待修正区域是以所述第一端点或所述第二端点为中心的预设区域内的部分第一修...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄增智，夏睿，黄双龙，倪凌云，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32