光刻模型生成方法以及OPC修正方法技术

技术编号:22363338 阅读:45 留言:0更新日期:2019-10-23 04:26
本发明专利技术揭示了一种光刻模型生成方法及OPC修正方法,本发明专利技术提供的光刻模型生成方法包括:提供与光刻系统的弧形狭缝一致的弧形狭缝图案;将弧形狭缝图案沿径向分为多个子狭缝,所述多个子狭缝为连续的;获得每个子狭缝的子光刻模型;则晶圆上一个区域的光刻模型为该区域所对应的多个所述子狭缝的子光刻模型的平均值。由此,能够正确的实现EUV光刻模型的建立,并且是生成了能够实现与一整个弧形狭缝相符合的连续的光刻模型。

Generation method of lithography model and OPC correction method

【技术实现步骤摘要】
光刻模型生成方法以及OPC修正方法
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种光刻模型生成方法以及掩膜版制造方法。
技术介绍
光刻是一种将所需图形转移至衬底上,从而在不同的区域建立图形的工艺过程。具体地,光刻通过曝光将图形成像到设置在衬底表面的光刻胶层(材料为光敏感的抗蚀剂)而实现图形转移。随着半导体技术的飞速发展,光刻所要曝光的图形特征尺寸越来越小,要求光刻的分辨率越来越高,而光刻的分辨率主要体现在CD上,CD是待曝光图形的特征尺寸(或临界尺寸)。CD的减小可以由三种途径实现:减小曝光波长、增大数值孔径、或减小光刻因子。为了通过减小曝光波长来获得较小曝光图形的特征尺寸,极紫外(ExtremeUltraviolet,EUV)光已被研究应用于光刻中。但是极紫外光刻过程中,设备上的狭缝为弧状,不同于DUV(DeepUltraviolet,深紫外)等光刻设备,因此,需要设计相对应的光刻模型来实现曝光过程。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种光刻模型生成方法以及OPC修正方法,较好的实现EUV光刻。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种光刻模型生成方法,包括:提供与光刻系统的弧形狭缝一致的弧形狭缝图案;将弧形狭缝图案沿径向分为多个子狭缝,所述多个子狭缝为连续的;获得每个子狭缝的子光刻模型;则晶圆上一个区域的光刻模型为该区域所对应的多个所述子狭缝的子光刻模型的平均值。可选的,对于所述的光刻模型生成方法,对于一个所述子狭缝具有方位角在晶圆上具有与所述每个子狭缝对应的长度坐标,其中r为所述弧形狭缝图案的半径,小于等于各自子狭缝的圆心角,xi为在长度坐标中对应的直角对边。可选的,对于所述的光刻模型生成方法,所述长度坐标为所述每个子狭缝独用。可选的,对于所述的光刻模型生成方法,所述一个区域在所述长度坐标上的区间为[xm,xt),对应在所述弧形狭缝图案的方位角区间为则所述一个区域的光刻模型其中k≤n,k为所述一个区域所对应的所述子狭缝的数量,n为所述子狭缝的数量。可选的,对于所述的光刻模型生成方法,所述多个子狭缝的圆心角为0.5度~5度。可选的,对于所述的光刻模型生成方法,所述多个子狭缝的圆心角为0.8度~2度。可选的,对于所述的光刻模型生成方法,所述多个子狭缝的圆心角相同。可选的,对于所述的光刻模型生成方法,所述一个区域的宽度为10-20μm。可选的,对于所述的光刻模型生成方法,n≥20。本专利技术还提供一种OPC修正方法,包括如上所述的光刻模型生成方法。可选的,对于所述的OPC修正方法,包括:将芯片单元分割为多个子区域,由每个所述子区域的边界在长度坐标上的区间分别计算每个所述子区域的光刻模型。可选的,对于所述的OPC修正方法,采用并行处理计算每个所述子区域的光刻模型。本专利技术提供的光刻模型生成方法中,所述光刻模型生成方法包括:提供与光刻系统的弧形狭缝一致的弧形狭缝图案;将弧形狭缝图案沿径向分为多个子狭缝,所述多个子狭缝为连续的;获得每个子狭缝的子光刻模型;则晶圆上一个区域的光刻模型为该区域所对应的多个所述子狭缝的子光刻模型的平均值。由此,能够正确的实现EUV光刻模型的建立,并且是生成了能够实现与一整个弧形狭缝相符合的连续的光刻模型。附图说明图1为本专利技术一个实施例中弧形狭缝图案的示意图;图2为本专利技术一个实施例中光刻模型生成方法的流程示意图;图3为本专利技术一个实施例中弧形狭缝图案分为的子狭缝的示意图;图4为本专利技术一个实施例中一个区域与弧形狭缝图案的对应示意图;图5为本专利技术一个实施例中一个区域的光刻模型的生成过程的示意图;图6为本专利技术一个实施例中进行OPC修正时对芯片单元的处理的示意图。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的光刻模型生成方法进行更详细的描述,其中表示了本专利技术的优选实施例,应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术,而仍然实现本专利技术的有利效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并不作为对本专利技术的限制。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书,本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。当技术节点不断缩小,例如进入7nm之后,通常需要采用EUV光刻系统,EUV光刻系统为弧形狭缝。如图1所示,示出了与EUV光刻系统的曝光狭缝相一致的弧形狭缝图案10。本专利技术即针对这一弧形狭缝图案10,提供了一种光刻模型生成方法。下面结合图1-图5对本专利技术的光刻模型生成方法进行详细说明。其中,图1为本专利技术一个实施例中弧形狭缝图案的示意图;图2为本专利技术一个实施例中光刻模型生成方法的流程示意图;图3为本专利技术一个实施例中弧形狭缝图案分为的子狭缝的示意图;图4为本专利技术一个实施例中一个区域与弧形狭缝图案的对应示意图;图5为本专利技术一个实施例中一个区域的光刻模型的生成过程的示意图。如图2所示,本专利技术的光刻模型生成方法包括:步骤S11,提供与光刻系统的弧形狭缝一致的弧形狭缝图案;步骤S12,将弧形狭缝图案沿径向分为多个子狭缝,所述多个子狭缝为连续的;步骤S13,获得每个子狭缝的子光刻模型;步骤S14,晶圆上一个区域的光刻模型为该区域所对应的多个所述子狭缝的子光刻模型的平均值。下面结合图1,图3-图5对本专利技术的光刻模型生成方法进行详细说明。如图1所示,对于步骤S11,提供与光刻系统的弧形狭缝一致的弧形狭缝图案10。所述弧形狭缝图案10可以是与光刻系统的弧形狭缝1:1获得,也可以是一定比例缩放后获得,可以依据实际需求进行旋转。如图3所示,对于步骤S12,将弧形狭缝图案10沿径向分为多个子狭缝101,所述多个子狭缝101为连续的。例如,所述子狭缝101的数量为n个。图3中示出了整个弧形狭缝图案10及一个子狭缝101,本步骤即是在弧形狭缝图案10的圆心O处依据半径方向进行分割,获得多个子狭缝101,具体的,所述多个子狭缝101为连续的。设所述弧形狭缝图案10的范围(方位角范围)为举例而言,设定子狭缝数量为n,则所述多个子狭缝101的范围可以分别是在一个实施例中,所述多个子狭缝101的圆心角为0.5度~5度。例如,其中一个子狭缝101的圆心角为0.5度,该子狭缝101的范围为[0,0.5)。在一个实施例中,所述多个子狭缝101的圆心角为0.8度~2度。例如,所述圆心角可以为1度,1.2度,1.5度,2.5度等。在一个实施例中,n≥20,例如,子狭缝的数量为50,80,100,200等。可以理解的是,圆心角设定较小时,分成的子狭缝的数量相对较多,此时精度会适当提高,反之,圆心角设定较大时,分成的子狭缝的数量相对较少,此时计算过程会简单一些。因此,依据实际工艺需求,可以灵活调整子狭缝的数量和圆心角的大小。可选的,可以使得所述多个子狭缝101的圆心角相同。也可以使得所述多个子狭缝101的圆心角不相同,或者是部分相同等。可以依据实际工艺需求灵活选择。由图3所示,对于一个子狭缝101,其内任意大小的方位角在晶圆上具有与所述每个子狭缝对应的长度坐标X,其中r为所述弧形狭缝图案10的半径,小于等于各自子狭缝的圆心角,xi为在长度坐标中对应的直角对边的长度。该长度坐标X可以是只要能够在一个子狭缝101中显露出即可,例如可以针对长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻模型生成方法,其特征在于,包括:提供与光刻系统的弧形狭缝一致的弧形狭缝图案;将弧形狭缝图案沿径向分为多个子狭缝,所述多个子狭缝为连续的;获得每个子狭缝的子光刻模型;则晶圆上一个区域的光刻模型为该区域所对应的多个所述子狭缝的子光刻模型的平均值。

【技术特征摘要】
1.一种光刻模型生成方法,其特征在于,包括:提供与光刻系统的弧形狭缝一致的弧形狭缝图案;将弧形狭缝图案沿径向分为多个子狭缝,所述多个子狭缝为连续的;获得每个子狭缝的子光刻模型;则晶圆上一个区域的光刻模型为该区域所对应的多个所述子狭缝的子光刻模型的平均值。2.如权利要求1所述的光刻模型生成方法,其特征在于,对于一个所述子狭缝具有方位角在晶圆上具有与所述每个子狭缝对应的长度坐标,其中r为所述弧形狭缝图案的半径,小于等于各自子狭缝的圆心角,xi为在长度坐标中对应的直角对边的长度。3.如权利要求2所述的光刻模型生成方法,其特征在于,所述长度坐标为所述每个子狭缝独用。4.如权利要求3所述的光刻模型生成方法,其特征在于,所述弧形狭缝图案的方位角区间为所述一个区域在所述长度坐标上的区间为[xm,xt),对应在所述弧形狭缝图案的方位角区间为则所述一个区域的光刻模型其中k≤n,k为所述一个区域所对应的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:杜杳隽
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司中芯国际集成电路制造北京有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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