OPC修正程序的MRC取值方法技术

本发明专利技术提供了一种OPC修正程序的MRC取值方法，包括：提供集成电路版图、符合掩膜版制作精度的第一最小尺寸、符合集成电路版图的设计规则的第二最小尺寸以及收敛性条件；设定至少一组测试图形，每一测试图形均具有一组第三尺寸的值；筛选出每一组测试图形中进行光刻后可量测尺寸数据、且量测到的尺寸数据满足收敛性条件的目标测试图形，将其第三尺寸的值中的最小值作为第四尺寸的值；将所有第四尺寸的值中的较小值与第一最小尺寸的值对比，选择其中的较大者作为MRC值。所述MRC取值方法在掩膜制造厂商提供的MRC值的基础上引入对实际产品进行量测和模拟的数据，使最终得到的MRC取值满足掩膜版制造精度，具有较好的收敛性，且在可以曝光的图形范围内。

MRC value method of OPC correction program

【技术实现步骤摘要】
OPC修正程序的MRC取值方法
本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种OPC修正程序的MRC取值方法。
技术介绍
随着半导体行业的发展，人们对芯片的性能与能耗要求越来越苛刻，要想获得更小面积、更高性能以及更低能耗的芯片，就需要进一步减小芯片上各图形大小及各图形之间的间距，间距的降低会导致版图上的某些图形之间的设计距离小于光的波长。因此需要在版图刻印在掩膜版上之前对版图进行修正，防止在光刻过程中产生光学邻近效应(OpticalProximityEffect，OPE)，避免刻印在芯片上的图形与设计不一致而产生图形失真。为了避免光学邻近效应而对版图进行修正的技术为光学邻近修正(OpticalProximityCorrection，OPC)技术。在OPC修正程序中，需要进行掩膜尺寸检查(MaskManufacturingRuleCheck)，以保证最终图形收敛性及掩膜版制作精度。通常是根据设定的掩膜规则值(MaskRuleConstraints，MRC)(包括线宽值和间距值)对经过OPC修正的掩膜版图形的线宽和间距进行检查。针对不同图形，MRC的取值规则也应不同。掩膜版制作厂商(MaskShop)通常根据工艺水平会提供一由掩模版制作工艺决定的MRC值，在进行OPC修正时，若MRC取值小于掩膜版制作厂商给出的MRC值，则制作掩膜版时将不能保证其图形制作精度，最终光刻图形的形貌也会受到影响；若MRC取值过大，图形的收敛性及程序运行效率均会受到影响。目前通用的方法是依据掩膜版制作厂商给出的MRC值来设定OPC修正程序中的MRC取值，以保证掩膜版制造时的图形制作精度，这对于大节点产品来说是可以的。但对于更小节点(例如65nm工艺节点下的NOR产品)的集成电路(IC)产品来说，版图设计和OPC修正程序越来越变得复杂，OPC修正程序中MRC取值若仅仅依据掩膜版制作厂商给出的MRC值进行计算，会影响OPC最终修正模拟结果，并使得最终刻印到晶圆上的图形收敛性不符合要求，刻印图形的尺寸不符合设计尺寸；若仅依据产品的设计尺寸来设定MRC值，MRC值可能过小，虽然最终刻印到晶圆上的图形具有良好的收敛性，但掩膜版厂商可能无法保证掩膜版的制作精度。
技术实现思路
本专利技术提供了一种OPC修正程序的MRC取值方法，以较好地兼顾掩膜版的制作精度和相关半导体产品的设计尺寸。本专利技术提供的OPC修正程序的MRC取值方法包括：提供一集成电路版图、一组符合掩膜版制作精度的第一最小尺寸的值以及一组符合所述集成电路版图的设计规则的第二最小尺寸的值，所述设计规则包括收敛性条件；根据所述集成电路版图中要进行OPC修正的图形的特征、所述第一最小尺寸的值以及所述第二最小尺寸的值，设定至少一组测试图形，每一所述测试图形均具有与所述第一最小尺寸或所述第二最小尺寸关联的一组第三尺寸的值；对所述测试图形进行光刻以得到刻印图形，筛选出刻印图形中可量测尺寸数据且量测到的尺寸数据满足所述收敛性条件的目标刻印图形，反向筛选出每组测试图形中对应所述目标刻印图形的的目标测试图形，对每组测试图形中目标测试图形的第三尺寸进行比较，得到每组测试图形中目标测试图形对应的第三尺寸的最小值，作为一组第四尺寸的值；以及将全部所述第四尺寸的值中的较小值与所述第一最小尺寸的值对比，选择其中的较大者作为所述MRC的值。可选的，所述第一最小尺寸包括第一最小线宽以及第一最小间距；所述第二最小尺寸包括第二最小线宽以及第二最小间距；所述测试图形的第三尺寸包括第三线宽以及第三间距；所述第四尺寸包括第四线宽以及第四间距。可选的，所述集成电路版图中要进行OPC修正的图形包括一维图形和/或二维图形；在设定所述测试图形的步骤中，所述一维图形对应于一维测试图形，所述二维图形对应于二维测试图形。可选的，所述一维图形包括线宽和间距分别大于或等于所述第二最小线宽和第二最小间距的图形，所述一维图形还包括线宽和间距分别在所述第二最小线宽和第二最小间距中任意一个的偏离下限内的图形。可选的，获得与所述一维图形对应的第四尺寸的值的方法为：设定与所述一维图形对应的两组一维测试图形，分别为第一组一维测试图形和第二组一维测试图形；设定第一组一维测试图形的第三线宽和第三间距之和为第二最小尺寸中第二最小线宽和第二最小间距的和，调整所述第三线宽的值，并进行光刻，得到第一一维刻印图形，筛选出第一一维刻印图形中可量测尺寸数据且量测到的尺寸数据满足所述收敛性条件的第一一维目标刻印图形，反向筛选出第一组一维测试图形中对应所述第一一维目标刻印图形的的第一一维目标测试图形，对第一组一维测试图形中第一一维目标测试图形的第三线宽进行比较，得到第一组一维测试图形中第一一维目标测试图形对应的第三线宽的最小值，作为第四线宽的值；以及设定第二组一维测试图形的第三线宽为所述第二最小线宽，调整所述第三间距的值，并进行光刻，得到第二一维刻印图形，筛选出第二一维刻印图形中可量测尺寸数据且量测到的尺寸数据满足所述收敛性条件的第二一维目标刻印图形，反向筛选出第二组一维测试图形中对应所述第二一维目标刻印图形的的第二一维目标测试图形，对第二组一维测试图形中第二一维目标测试图形的第三间距进行比较，得到第二组一维测试图形中第二一维目标测试图形对应的第三间距的最小值，作为第四间距的值。可选的，所述二维图形包括第一二维图形和/或第二二维图形，所述第一二维图形具有经光刻工艺由相对间隙限定的线宽会变大的线条，所述第二二维图形具有经光刻工艺间距会变大的两个线端。可选的，获得与所述第一二维图形对应的所述第四尺寸中第四线宽的值的方法为：设定一组与所述第一二维图形对应的第一二维测试图形，所述第一二维测试图形为对所述第一二维图形执行模拟OPC修正后的图形，所述第一二维测试图形的第三线宽的值为所述第一二维图形中的由所述相对间隙限定的线条的线宽经过所述模拟OPC修正后的值；以及设定所述第一二维测试图形的第三间距为所述第一最小间距，调整所述模拟OPC修正的参数以变化所述第三线宽的值，并进行模拟光刻，得到第一二维刻印图形，筛选出第一二维刻印图形中可量测尺寸数据且量测到的尺寸数据满足所述收敛性条件的第一二维目标刻印图形，反向筛选出对应所述第一二维目标刻印图形的的第一二维目标测试图形，对第一二维目标测试图形的第三线宽进行比较，得到第一二维目标测试图形对应的第三线宽的最小值，作为第四线宽的值。可选的，获得与所述第二二维图形对应的所述第四尺寸中第四间距的值的方法为：设定一组与所述第二二维图形对应的第二二维测试图形；以及设定所述第二二维测试图形的第三线宽为所述第一最小线宽，调整所述第三间距的值，并进行光刻，得到第二二维刻印图形，筛选出第二二维刻印图形中可量测尺寸数据且量测到的尺寸数据满足所述收敛性条件的第二二维目标刻印图形，反向筛选出对应所述第二二维目标刻印图形的的第二二维目标测试图形，对第二二维目标测试图形的第三间距进行比较，得到第二二维目标测试图形对应的第三间距的最小值，作为第四间距的值。可选的，所述集成电路版图包括有源层版图、栅极层版图、金属互联层版图或通孔层版图。可选的，所述OPC修正程序的MRC取值方法应用于65nm工艺节点下的NOR产品；所述集成电路版图为有源层版图，所述收敛性条件为一维图形对应的版图边本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OPC修正程序的MRC取值方法，其特征在于，包括：提供一集成电路版图、一组符合掩膜版制作精度的第一最小尺寸的值以及一组符合所述集成电路版图的设计规则的第二最小尺寸的值，所述设计规则包括收敛性条件；根据所述集成电路版图中要进行OPC修正的图形的特征、所述第一最小尺寸的值以及所述第二最小尺寸的值，设定至少一组测试图形，每一所述测试图形均具有与所述第一最小尺寸或所述第二最小尺寸关联的一组第三尺寸的值；对所述测试图形进行光刻以得到刻印图形，筛选出刻印图形中可量测尺寸数据且量测到的尺寸数据满足所述收敛性条件的目标刻印图形，反向筛选出每组测试图形中对应所述目标刻印图形的的目标测试图形，对每组测试图形中目标测试图形的第三尺寸进行比较，得到每组测试图形中目标测试图形对应的第三尺寸的最小值，作为一组第四尺寸的值；以及将全部所述第四尺寸的值中的较小值与所述第一最小尺寸的值对比，选择其中的较大者作为所述MRC的值。

【技术特征摘要】
1.一种OPC修正程序的MRC取值方法，其特征在于，包括：提供一集成电路版图、一组符合掩膜版制作精度的第一最小尺寸的值以及一组符合所述集成电路版图的设计规则的第二最小尺寸的值，所述设计规则包括收敛性条件；根据所述集成电路版图中要进行OPC修正的图形的特征、所述第一最小尺寸的值以及所述第二最小尺寸的值，设定至少一组测试图形，每一所述测试图形均具有与所述第一最小尺寸或所述第二最小尺寸关联的一组第三尺寸的值；对所述测试图形进行光刻以得到刻印图形，筛选出刻印图形中可量测尺寸数据且量测到的尺寸数据满足所述收敛性条件的目标刻印图形，反向筛选出每组测试图形中对应所述目标刻印图形的的目标测试图形，对每组测试图形中目标测试图形的第三尺寸进行比较，得到每组测试图形中目标测试图形对应的第三尺寸的最小值，作为一组第四尺寸的值；以及将全部所述第四尺寸的值中的较小值与所述第一最小尺寸的值对比，选择其中的较大者作为所述MRC的值。2.如权利要求1所述的OPC修正程序的MRC取值方法，其特征在于，所述第一最小尺寸包括第一最小线宽以及第一最小间距；所述第二最小尺寸包括第二最小线宽以及第二最小间距；所述测试图形的第三尺寸包括第三线宽以及第三间距；所述第四尺寸包括第四线宽以及第四间距。3.如权利要求2所述的OPC修正程序的MRC取值方法，其特征在于，所述集成电路版图中要进行OPC修正的图形包括一维图形和/或二维图形；在设定所述测试图形的步骤中，所述一维图形对应于一维测试图形，所述二维图形对应于二维测试图形。4.如权利要求3所述的OPC修正程序的MRC取值方法，其特征在于，所述一维图形包括线宽和间距分别大于或等于所述第二最小线宽和第二最小间距的图形，所述一维图形还包括线宽和间距分别在所述第二最小线宽和第二最小间距中任意一个的偏离下限内的图形。5.如权利要求4所述的OPC修正程序的MRC取值方法，其特征在于，获得与所述一维图形对应的第四尺寸的值的方法为：设定与所述一维图形对应的两组一维测试图形，分别为第一组一维测试图形和第二组一维测试图形；设定第一组一维测试图形的第三线宽和第三间距之和为第二最小尺寸中第二最小线宽和第二最小间距的和，调整所述第三线宽的值，并进行光刻，得到第一一维刻印图形，筛选出第一一维刻印图形中可量测尺寸数据且量测到的尺寸数据满足所述收敛性条件的第一一维目标刻印图形，反向筛选出第一组一维测试图形中对应所述第一一维目标刻印图形的的第一一维目标测试图形，对第一组一维测试图形中第一一维目标测试图形的第三线宽进行比较，得到第一组一维测试图形中第一一维目标测试图形对应的第三线宽的最小值，作为第四线宽的值；以及设定第二组一维测试图形的第三线宽为所述第二最小线宽，调整所述第三间距的值，并进行光刻，得到第二一维刻印图形，筛选出第二一维刻印图...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊丽娜，于世瑞，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31