光学邻近校正方法及优化光学邻近校正模型的方法技术

一种光学邻近校正方法及优化光学邻近校正模型的方法，优化光学邻近校正模型的包括：获取测试图形的标准空间像光强函数沿特征尺寸方向的若干极小值点和若干极大值点；获取特征尺寸方向上的若干连续的位置区间；根据待优化区间的标准空间像光强函数、以及相邻位置区间的标准空间像光强函数建立待优化区间的光学邻近校正模型；基于各个位置区间的光学邻近校正模型对测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形；对测试图形进行实际曝光，获得实际曝光图形；获取模拟曝光图形与实际曝光图形之间的位置偏差；若位置偏差在阈值范围外，调整光学邻近校正模型至模拟曝光图形与实际曝光图形的位置偏差在阈值范围内。提高了光学邻近校正模型的精度。

Optical proximity correction method and optimization of optical proximity correction model

【技术实现步骤摘要】
光学邻近校正方法及优化光学邻近校正模型的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近校正方法及优化光学邻近校正模型的方法。
技术介绍
光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：OpticalProximityEffect)。为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(OPC：OpticalProximityCorrection)。光学邻近校正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近校正模型，根据光学邻近校正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近校正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。然而，现有技术中光学邻近校正采用的光学邻近校正模型的精度和自适应性较差，光学邻近校正的精度较差。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种光学邻近校正方法及优化光学邻近校正模型的方法，以提高优化光学邻近校正模型的精度。为解决上述问题，本专利技术提供一种优化光学邻近校正模型的方法，包括：提供测试图形，所述测试图形具有特征尺寸；获取测试图形的标准空间像光强函数；获取标准空间像光强函数沿特征尺寸方向的若干极小值点和若干极大值点；获取特征尺寸方向上的若干连续的位置区间，每个位置区间的两端分别为相邻的一个极小值点和一个极大值点在特征尺寸方向的位置坐标；选取若干连续的位置区间中任意一个位置区间作为待优化区间，与待优化区间相邻的位置区间为相邻位置区间；根据待优化区间的标准空间像光强函数、以及相邻位置区间的标准空间像光强函数建立待优化区间的光学邻近校正模型；重复选取待优化区间和建立待优化区间的光学邻近校正模型的步骤，直至建立完各个位置区间的光学邻近校正模型；基于各个位置区间的光学邻近校正模型对所述测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形；对所述测试图形进行实际曝光，获得实际曝光图形；获取所述模拟曝光图形与实际曝光图形之间的位置偏差；若所述位置偏差在阈值范围外，调整所述光学邻近校正模型直至所述模拟曝光图形与实际曝光图形之间的位置偏差在阈值范围内。可选的，根据待优化区间的标准空间像光强函数以及相邻位置区间的中点的标准空间像光强函数的导数建立待优化区间的光学邻近校正模型。可选的，所述光学邻近校正模型包括光刻胶模型，其中，c0、c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10、c11、c12、c13、c14、c15、c16和c17为光刻胶模型中各项的系数，T为待优化区间的光刻胶有效光强函数，I为待优化区间的标准空间像光强函数，I-b为待优化区间的光碱分布函数，I+b为待优化区间的光酸分布函数，I-1为第一相邻位置区间的中点的标准空间像光强函数，I1为第二相邻位置区间的中点的标准空间像光强函数。可选的，等于第一相邻位置区域中标准空间像光强函数的最大值点和最小值点之差、与第一相邻位置区域中标准空间像光强函数的最大值点和最小值点之和的比值。可选的，等于第二相邻位置区域中标准空间像光强函数的最大值点与最小值点之差、与第二相邻位置区域中标准空间像光强函数的最大值点和最小值点之和的比值。可选的，对于待优化区间中的各点，标准空间像光强函数越大，光碱分布函数越小，且光酸分布函数越大。可选的，调整所述光学邻近校正模型的方法包括：增大或减小光刻胶模型中各项的系数c0、c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10、c11、c12、c13、c14、c15、c16和c17。可选的，获取所述模拟曝光图形与实际曝光图形之间的差异的方法包括：测量模拟曝光图形的特征尺寸，获取模拟曝光图形的模拟测试数据；测量实际曝光图形的特征尺寸，获取实际最终图形的实际测试数据；获取所述模拟测试数据和实际测试数据之间的位置偏差。可选的，获取所述模拟曝光图形与实际曝光图形之间的差异的方法还包括：在所述测试图形中选取若干个量测点，获取所述量测点对应的模拟测试数据和实际测试数据之间的位置偏差。可选的，所述测试图形包括若干测试图形单元，每个测试图形单元包括若干子测试图形；在每个测试图形单元中，子测试图形沿子测试图形的宽度方向排列；所述子测试图形的宽度方向为特征尺寸方向。本专利技术还提供一种光学邻近校正方法，包括：提供上述任意一项方法得到的光学邻近校正模型；提供目标图形；依据所述光学邻近校正模型对所述目标图形进行光学邻近校正。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：本专利技术技术方案提供的优化光学邻近校正模型的方法中，根据标准空间像光强函数中若干极小值点和若干极大值点，获取特征尺寸方向上的若干连续的位置区间，每个位置区间的两端分别为相邻的一个极小值点和一个极大值点在特征尺寸方向的位置坐标。在建立待优化区间的光学邻近校正模型的过程中，不仅考虑待优化区间的标准空间像光强函数的影响因素，还考虑了相邻位置区间的标准空间像光强函数的影响因素，因此使得光学邻近校正模型的精度较高。本专利技术技术方案提供的光学邻近校正方法中，依据所述光学邻近校正模型对所述目标图形进行光学邻近校正，使得获得的修正图形的精度较高。附图说明图1本专利技术一实施例中优化光学邻近校正模型的流程图；图2至图6是本专利技术一实施例中优化光学邻近校正模型过程的示意图。具体实施方式正如
技术介绍
所述，现有技术光学邻近校正采用的光学邻近校正模型的精度和自适应性较差，光学邻近校正的精度较差。一种光学邻近校正方法，包括：提供目标图形；提供光学邻近校正模型；依据所述光学邻近校正模型对所述目标图形进行光学邻近校正。然而，由于在建立光学邻近校正模型的过程中，根据待优化区间的标准空间像光强函数建立待优化区间的光学邻近校正模型，而没有考虑相邻位置区间的标准空间像光强函数对待优化区间的光学邻近校正模型的影响，因此导致光学邻近校正模型的精度较差。采用所述光学邻近校正模型对所述目标图形进行光学邻近校正，获得的修正图形的精度较差。在此基础上，本专利技术提供一种光学邻近校正方法，请参考图1，包括：S01：提供测试图形，所述测试图形具有特征尺寸；S02：获取测试图形的标准空间像光强函数；S03：获取标准空间像光强函数沿特征尺寸方向的若干极小值点和若干极大值点；S04：获取特征尺寸方向上的若干连续的位置区间，每个位置区间的两端分别为相邻的一个极小值点和一个极大值点在特征尺寸方向的位置坐标；S05：选取若干本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种优化光学邻近校正模型的方法，其特征在于，包括：提供测试图形，所述测试图形具有特征尺寸；获取测试图形的标准空间像光强函数；获取标准空间像光强函数沿特征尺寸方向的若干极小值点和若干极大值点；获取特征尺寸方向上的若干连续的位置区间，每个位置区间的两端分别为相邻的一个极小值点和一个极大值点在特征尺寸方向的位置坐标；选取若干连续的位置区间中任意一个位置区间作为待优化区间，与待优化区间相邻的位置区间为相邻位置区间；根据待优化区间的标准空间像光强函数、以及相邻位置区间的标准空间像光强函数建立待优化区间的光学邻近校正模型；重复选取待优化区间和建立待优化区间的光学邻近校正模型的步骤，直至建立完各个位置区间的光学邻近校正模型；基于各个位置区间的光学邻近校正模型对所述测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形；对所述测试图形进行实际曝光，获得实际曝光图形；获取所述模拟曝光图形与实际曝光图形之间的位置偏差；若所述位置偏差在阈值范围外，调整所述光学邻近校正模型直至所述模拟曝光图形与实际曝光图形之间的位置偏差在阈值范围内。

【技术特征摘要】
1.一种优化光学邻近校正模型的方法，其特征在于，包括：提供测试图形，所述测试图形具有特征尺寸；获取测试图形的标准空间像光强函数；获取标准空间像光强函数沿特征尺寸方向的若干极小值点和若干极大值点；获取特征尺寸方向上的若干连续的位置区间，每个位置区间的两端分别为相邻的一个极小值点和一个极大值点在特征尺寸方向的位置坐标；选取若干连续的位置区间中任意一个位置区间作为待优化区间，与待优化区间相邻的位置区间为相邻位置区间；根据待优化区间的标准空间像光强函数、以及相邻位置区间的标准空间像光强函数建立待优化区间的光学邻近校正模型；重复选取待优化区间和建立待优化区间的光学邻近校正模型的步骤，直至建立完各个位置区间的光学邻近校正模型；基于各个位置区间的光学邻近校正模型对所述测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形；对所述测试图形进行实际曝光，获得实际曝光图形；获取所述模拟曝光图形与实际曝光图形之间的位置偏差；若所述位置偏差在阈值范围外，调整所述光学邻近校正模型直至所述模拟曝光图形与实际曝光图形之间的位置偏差在阈值范围内。2.根据权利要求1所述的优化光学邻近校正模型的方法，其特征在于，根据待优化区间的标准空间像光强函数以及相邻位置区间的中点的标准空间像光强函数的导数建立待优化区间的光学邻近校正模型。3.根据权利要求2所述的优化光学邻近校正模型的方法，其特征在于，所述光学邻近校正模型包括光刻胶模型，其中，c0、c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10、c11、c12、c13、c14、c15、c16和c17为光刻胶模型中各项的系数，T为待优化区间的光刻胶有效光强函数，I为待优化区间的标准空间像光强函数，I-b为当待优化区间的光碱分布函数，I+b为待优化区间的光酸分布函数，I-1为第一相邻位置区间的中点的标准空间像光强函数，I1为第二相邻位置区间的中点的标准空间像光强函数。4.根据权利要求3所述的优化光学邻近校正模型的方法，其特征在于，等...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜杳隽，沈泫，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31