OPC修正方法及OPC修正系统技术方案

本发明专利技术提供了一种OPC修正方法及一种OPC修正系统，所述OPC修正方法包括：提供待修正的版图图形的集成电路版图以及亚分辨率辅助图形与待修正的版图图形之间的最小间距；选择待修正的版图图形中的若干个作为目标图形，目标图形之间具有冲突区；将目标图形的边界以所述最小间距往外放大形成膨胀层，冲突区透过膨胀层形成暴露区域；在暴露区域添加亚分辨率辅助图形。本发明专利技术提供的OPC修正系统包括：存储模块、选择模块、图形变换模块以及修正模块。本发明专利技术提供的OPC修正方法在目标图形的冲突区内限定一可以设置亚分辨率辅助图形的暴露区域，在所述暴露区域可以有效并准确地形成亚分辨率辅助图形而不会产生交集。

OPC Correction Method and OPC Correction System

【技术实现步骤摘要】
OPC修正方法及OPC修正系统
本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种OPC修正方法及一种OPC修正系统。
技术介绍
随着半导体行业的发展，人们对芯片的性能与能耗要求越来越苛刻，要想获得更小面积、更高性能以及更低能耗的芯片，就需要进一步减小芯片上各图形大小及各图形之间的间距，间距的降低会导致版图上的某些图形之间的设计距离小于光波长度。因此需要在版图刻印在掩模版上之前对版图进行修正，防止在光刻过程中产生光学邻近效应(OpticalProximityEffect，OPE)，避免刻印在芯片上的图形与设计不一致而产生图形失真。为了避免光学邻近效应而对版图进行修正的技术为光学邻近修正(OpticalProximityCorrection，OPC)技术。亚分辨率辅助图形(Sub-resolutionAssistFeature，SRAF)是一种被较多采用的OPC方式。SRAF技术通过在版图的主图形附近添加亚分辨率辅助图形，使得孤立图形和稀疏图形也具有密集图形的特性，从而改善光强分布，提高成像质量。由于亚分辨率辅助图形的线宽较小，亚分辨率辅助图形处衍射光线的光强值小于基底(如硅片)上的光刻胶感光阈值，所以亚分辨率辅助图形不能成像，在版图中添加亚分辨率辅助图形后，可以在基底上形成原有线条的图形。通过SRAF技术对版图进行修正，可以有效提高光刻工艺的图形分辨率，增大工艺窗口，提高产品良率。现有技术利用SRAF技术在版图的主图形附近添加亚分辨率辅助图形时，是基于OPC的一定规则添加亚分辨率辅助图形，但是在添加亚分辨率辅助图形时，常需要针对每一个需要修正的版图图形计算需要添加的辅助图形，计算过程复杂又耗时，特别是对于某些特殊环境下更是如此，例如，孔层版图中，对应于通孔的版图图形经常以若干个为一组且组与组之间相互孤立分布，每一组的若干个版图图形通常距离较近，从而，需要在这些版图图形之间的一个较小区域添加亚分辨率辅助图形时，若按照现有基于规则的SRAF技术添加辅助图形，则每个版图图形都会在这个较小区域内产生一个亚分辨率辅助图形。这些亚分辨率辅助图形相互之间具有交集，容易产生冲突且无法被简单合并，通常是需要基于一定的再调整规则并经过复杂的再调整以形成一个新的亚分辨率辅助图形。而在这个再调整的过程中，可能由于特殊环境下的版图图形分布不适合再调整规则而导致版图图形之间的较小区域内无法形成一个新的亚分辨率辅助图形，或者即使在所述较小区域形成了再调整后的亚分辨率辅助图形，也可能由于再调整规则无法兼顾每一个需要修正的版图图形，而导致经OPC修正后的光刻图形和版图设计之间存在较大偏差。虽然针对较小区域也可由人工在版图上添加辅助图形，但由于版图本身设计复杂，线条精细，人工添加难度高且非常耗时。
技术实现思路
本专利技术提供了一种OPC修正方法，以克服现有技术在进行OPC修正时，在某些版图图形之间的较小区域内难以有效、准确且简单地添加亚分辨率辅助图形的问题。本专利技术另外还提供了一种OPC修正系统。根据本专利技术的一个方面，提供了一种OPC修正方法，所述OPC修正方法包括：提供一集成电路版图，所述版图包括多个待修正的版图图形，待添加的亚分辨率辅助图形与所述待修正的版图图形之间具有一最小间距；选择所述多个待修正的版图图形中的若干个作为目标图形，所述目标图形之间具有冲突区，在所述冲突区形成的所述目标图形的亚分辨率辅助图形之间具有交集；将所述目标图形的边界以所述最小间距往外放大，形成膨胀层，所述冲突区透过所述膨胀层形成暴露区域；以及在所述暴露区域添加亚分辨率辅助图形。可选的，在所述待修正的版图图形中选择若干目标图形的步骤包括：根据设定的亚分辨率辅助图形的添加规则对所述多个待修正的版图图形两两进行冲突检测，当按照所述添加规则在第一待修正的版图图形和第二待修正的版图图形之间的区域分别形成第一亚分辨率辅助图形和第二亚分辨率辅助图形时，若所述第一亚分辨率辅助图形与所述第二亚分辨率辅助图形之间产生交集，选定所述第一待修正的版图图形和第二待修正的版图图形为目标图形，否则不属于目标图形。可选的，所述冲突区透过所述膨胀层形成所述暴露区域的步骤包括：将所述目标图形之间所有的所述冲突区求并集，形成冲突层；以及计算所述膨胀层对于所述冲突层的差集，作为所述暴露区域。可选的，得到所述暴露区域后，删除所述膨胀层和冲突层。可选的，将在所述暴露区域添加的所有亚分辨率辅助图形形成新层。根据本专利技术的另一方面，本专利技术还提供了一种OPC修正系统，所述OPC修正系统包括：存储模块，用于存储包括多个待修正的版图图形的集成电路版图，以及待添加的亚分辨率辅助图形与所述待修正的版图图形之间的最小间距；选择模块，用于选择所述多个待修正的版图图形中的若干个作为目标图形，所述目标图形之间具有冲突区，在所述冲突区形成的所述目标图形的亚分辨率辅助图形之间具有交集；图形变换模块，用于将所述若干目标图形的边界以所述最小间距往外放大，形成膨胀层，并将所述冲突区透过所述膨胀层形成暴露区域；以及修正模块，用于在所述暴露区域添加亚分辨率辅助图形。可选的，所述集成电路版图为进行过基于规则的光学修正后得到的版图，所述待修正的版图图形为待添加亚分辨率辅助图形的版图图形。可选的，所述集成电路版图为孔层版图。可选的，在所述暴露区域添加的亚分辨率辅助图形的数量大于或等于1个。可选的，部分所述亚分辨率辅助图形的至少一边与所述暴露区域的边缘重合。本专利技术提供的OPC修正方法，在挑选出形成有冲突区的目标图形后，将目标图形的边界按待添加的亚分辨率辅助图形与所述待修正的版图图形之间的最小间距往外放大膨胀得到膨胀层，然后得到所述冲突区透过所述膨胀层形成的暴露区域，在所述暴露区域添加亚分辨率辅助图形。和按照设定的添加规则或者采用手动的方式在目标图形的冲突区内添加亚分辨率辅助图形相比，本专利技术在目标图形的冲突区内限定出可以设置亚分辨率辅助图形的暴露区域，在所述暴露区域可以有效、准确及简单地形成亚分辨率辅助图形而不会产生冲突，并达到增加周围目标图形的工艺窗口、提高聚焦深度的目的。本专利技术提供的OPC修正系统具有与上述OPC修正方法相同或相似的特征，因而具有和本专利技术提供的OPC修正方法类似的技术效果。附图说明图1为本专利技术实施例提供的OPC修正方法的流程示意图。图2至图6为利用本专利技术实施例的OPC修正方法进行修正时的示意图。附图标号说明如下：111-第一目标图形；112-第二目标图形；113-第三目标图形；114-第四目标图形；115-第五目标图形；116-第六目标图形；121-第一冲突区；122-第二冲突区；210-膨胀层；211-第一膨胀图形；212-第二膨胀图形；213-第三膨胀图形；214-第四膨胀图形；215-第五膨胀图形；216-第六膨胀图形；221-第一暴露区域；222-第二暴露区域；310-辅助图形。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。正如
技术介绍
中所述，利用现有的OPC修正方法添加亚分辨率辅助图形时，在例如若干个距离较近的版图图形之间的较小区域内往往难以有效、准确且高效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OPC修正方法，其特征在于，包括：提供一集成电路版图，所述版图包括多个待修正的版图图形，待添加的亚分辨率辅助图形与所述待修正的版图图形之间具有一最小间距；选择所述多个待修正的版图图形中的若干个作为目标图形，所述目标图形之间具有冲突区，在所述冲突区形成的所述目标图形的亚分辨率辅助图形之间具有交集；将所述目标图形的边界以所述最小间距往外放大，形成膨胀层，所述冲突区透过所述膨胀层形成暴露区域；以及在所述暴露区域添加亚分辨率辅助图形。

【技术特征摘要】
1.一种OPC修正方法，其特征在于，包括：提供一集成电路版图，所述版图包括多个待修正的版图图形，待添加的亚分辨率辅助图形与所述待修正的版图图形之间具有一最小间距；选择所述多个待修正的版图图形中的若干个作为目标图形，所述目标图形之间具有冲突区，在所述冲突区形成的所述目标图形的亚分辨率辅助图形之间具有交集；将所述目标图形的边界以所述最小间距往外放大，形成膨胀层，所述冲突区透过所述膨胀层形成暴露区域；以及在所述暴露区域添加亚分辨率辅助图形。2.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于，在所述待修正的版图图形中选择若干目标图形的步骤包括：根据设定的亚分辨率辅助图形的添加规则对所述多个待修正的版图图形两两进行冲突检测，当按照所述添加规则在第一待修正的版图图形和第二待修正的版图图形之间的区域分别形成第一亚分辨率辅助图形和第二亚分辨率辅助图形时，若所述第一亚分辨率辅助图形与所述第二亚分辨率辅助图形之间产生交集，选定所述第一待修正的版图图形和第二待修正的版图图形为目标图形，否则不属于目标图形。3.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于，所述冲突区透过所述膨胀层形成所述暴露区域的步骤包括：将所述目标图形之间所有的所述冲突区求并集，形成冲突层；以及计算所述膨胀层对于所述冲突层的差集，作为所述暴露区域。4.如权利要求3所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔彦辉，李林，于世瑞，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31