用于引线接合应用的封装结构中的中介层设计制造技术

描述了形成微电子封装结构的方法，以及由此形成的结构。那些方法/结构可以包括：将第一管芯附接在板上，将中介层附接在第一管芯的顶部表面上，以及将第二管芯邻近中介层附接在第一管芯的顶部表面上，其中第二管芯从第一管芯的中心区域偏移。第一导线结构可以附接到第二管芯，该第一导线结构从第二管芯延伸到中介层的顶部表面。第二导线结构附接到中介层并且从中介层延伸到板。

The design of the intermediate layer in the packaging structure for the application of lead bonding

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于引线接合应用的封装结构中的中介层设计
技术介绍
微电子封装结构可以被用来支持各种管芯/器件，例如诸如计算设备和/或存储器设备。可以在壳体管芯中采用的封装结构可以包括混合封装，其可以包括安装在较大的底部管芯上的较小的顶部管芯。附图说明尽管本说明书以特别指出并明确要求保护某些实施例的权利要求书作结论，但是当结合附图阅读时，可以根据下面对本专利技术的描述来更容易地确定这些实施例的优点，在附图中：图1a-1d表示根据实施例的结构的横截面视图。图2表示根据实施例的过程流程。图3表示根据实施例的方法的流程图。图4表示根据各种实施例的计算设备的示意图。具体实施方式在以下详细描述中，对附图做出参考，附图作为图示示出了其中可以实践方法和结构的具体实施例。充分详细地描述了这些实施例以使得本领域技术人员能够实践实施例。要理解的是，各种实施例尽管不同，但不一定互相排斥。例如，可以在不偏离实施例的精神和范围的情况下，在其他实施例内实现结合实施例在本文中所描述的特定特征、结构或特性。此外，要理解的是，可以在不偏离实施例的精神和范围的情况下，修改每个公开的实施例内的各个元件的位置或布置。因此，并不以限制意义考虑以下详细描述，并且实施例的范围仅由被适当阐释的所附权利要求以及权利要求所赋予的等价方式的全部范围来限定。在附图中，贯穿若干视图，相似的数字可以指代相同或类似的功能。如本文中使用的术语“在……之上”、“到”、“之间”和“在……上”可以指代一层相对于其他层的相对位置。在另一层“之上”或“上”的一层或者被接合“到”另一层的一层可以与该另一层直接接触，或者可以具有一个或多个介于中间的层。在层“之间”的一层可以与这些层直接接触，或者可以具有一个或多个介于中间的层。彼此“邻近”的层和/或结构可以具有或可以不具有在它们之间的介于中间的结构/层。直接在另一（一个或多个）层/（一个或多个）结构上/直接接触另一（一个或多个）层/（一个或多个）结构的（一个或多个）层/（一个或多个）结构可以在它们之间没有介于中间的（一个或多个）层/（一个或多个）结构。可以在诸如封装衬底之类的衬底上形成或执行本文中的实施例的各种实现方式。封装衬底可以包括能够在电学组件（诸如，集成电路（IC）管芯）与IC封装可以耦合到的下一层级组件（例如，电路板）之间提供电连通的任何适合类型的衬底。在另一个实施例中，衬底可以包括能够在IC管芯与耦合于下部IC/管芯封装的上部IC封装之间提供电连通的任何适合类型的衬底，并且在另外的实施例中，衬底可以包括能够在上部IC封装与IC封装耦合到的下一层级组件之间提供电连通的任何适合类型的衬底。衬底也可以为管芯提供结构支撑。作为示例，在实施例中，衬底可以包括多层衬底（包括介电材料和金属的交替层），其围绕芯层（电介质或金属芯）而构建。在另一个实施例中，衬底可以包括无芯多层衬底。还可以找到其他类型的衬底和衬底材料（例如，陶瓷、蓝宝石、玻璃等）与所公开的实施例一起使用。另外，根据实施例，衬底可以包括电介质材料和金属的交替层，它们被构建在管芯自身之上——该过程有时被称为“无凸起构建过程”。在利用这样的方法的情况下，可能需要或者可能不需要导电互连（因为在一些情况下构建层可能直接设置在管芯之上）。管芯可以包括前侧和相反的背侧。在一些实施例中，前侧可以被称为管芯的“有效表面”。许多互连可以从管芯的前侧延伸到下面的衬底，并且这些互连可以电耦合管芯和衬底。在一些情况下，管芯可以直接耦合到板，诸如主板。互连/迹线可以包括能够在管芯与衬底/板之间提供电连通的任何类型的结构和材料。在一些实施例中，管芯可以采用倒装芯片布置而被设置在衬底上。在实施例中，互连包括管芯上的导电端子（例如，焊盘、凸起、螺柱凸起、柱形物、支柱或其他适合的结构或结构的组合）和衬底上的对应的导电端子（例如，焊盘、凸起、螺柱凸起、柱形物、支柱或其他适合的结构或结构的组合）。焊料（例如，以球或凸起的形式）可以设置在衬底和/或管芯的端子上，并且然后可以使用焊料回流过程来使这些端子结合。当然，应当理解的是，许多其他类型的互连和材料也是可能的（例如，在管芯与衬底之间延伸的引线接合物）。在本文的一些实施例中，管芯可以通过采用倒装芯片布置的多个互连来与衬底耦合。然而，在其他实施例中，可以利用替换结构和/或方法来将管芯与衬底耦合。描述了形成封装结构的方法（包括在混合封装结构上形成引线接合物的方法）的实施例。那些方法/结构可以包括：将第一管芯附接在板上，将中介层附接在第一管芯的顶部表面上，将邻近中介层的第二管芯附接在第一管芯的顶部表面上，其中第二管芯从第一管芯的中心区域偏移。第一导线结构可以附接到第二管芯，该第一导线结构从第二管芯延伸到中介层的顶部表面。第二导线结构附接到中介层，该第二导线结构从中介层延伸到板。本文中的实施例能够在混合封装中实现增加的线扫描性能和芯片边缘间隙（clearance）。图1a-1d图示了制造封装结构的实施例的横截面视图，该封装结构包括例如改善混合微电子封装中的线扫描的中介层。在图1a（横截面视图）中，示出了封装结构100的一部分，该封装结构诸如是混合封装100。在实施例中，衬底102可以包括：板，例如诸如玻璃纤维增强环氧树脂层压板，其是阻燃的（FR4）。在另一个实施例中，封装衬底102可以包括：板的一部分，该板例如诸如是印刷电路板（PCB板），并且在其他实施例中，衬底102可以包括主板。在实施例中，管芯106（诸如微电子管芯）可以设置在衬底102的顶部表面上。在实施例中，可以包括第一管芯106的管芯106可以包括倒装芯片管芯。在另一个实施例中，管芯106可以包括任何类型的微处理器，诸如但不限于微处理器、图形处理器、信号处理器、网络处理器、芯片组等。在实施例中，管芯106包括：具有多个功能单元（例如，一个或多个处理单元、一个或多个图形单元、一个或多个通信单元、一个或多个信号处理单元、一个或多个安全单元等）的片上系统（SoC）。然而，应当理解的是，所公开的实施例并不限于任何特定类型或类别的管芯/器件。器件/管芯106的底部表面107可以通过焊球/导电结构104与衬底/板102电学地且物理地连接。第一管芯106可以包括长度134。焊球108可以设置在衬底/板的底部表面上。中介层112可以设置在管芯106的顶部表面109上。中介层112可以包括任何合适类型的板/衬底，诸如例如PCB板，例如利用其来路由信号。在实施例中，中介层112可以包括顶部表面上的至少一个接合焊盘。在实施例中，中介层112可以从管芯106的中心区域/位置122偏移。第二管芯110可以设置在管芯106的顶部表面109上，并且可以邻近顶部表面上的中介层112。在实施例中，第二管芯110可以包括存储器管芯。在其他实施例中，第二管芯110可以根据特定应用包括任何类型的合适管芯/器件。在实施例中，第二管芯110的覆盖区（footprint）124可以从第一管芯106的中心位置122偏移。第二管芯110的外围边缘可以位于距管芯106的端部的一定距离126处。第二管芯110可以包括长度136。在实施例中，第一管芯106可以包括的长度134大于第二管芯110的长度136的约两倍。第一导线结构116可以设置/附接到第二管芯110。在实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微电子封装结构，其包括：在衬底的第一侧上的第一管芯；在所述第一管芯的第二侧上的中介层；在所述第一管芯的第二侧上的第二管芯，其中所述第二管芯邻近所述中介层；第一导线结构，其中第一线的第一端设置在所述第二管芯上，并且所述第一导线结构的第二端设置在所述中介层上；以及第二导线结构，其中所述第二导线结构的第一端设置在所述中介层上，并且邻近所述第一线的第二端，其中所述第二导线结构的第二端设置在所述衬底上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微电子封装结构，其包括：在衬底的第一侧上的第一管芯；在所述第一管芯的第二侧上的中介层；在所述第一管芯的第二侧上的第二管芯，其中所述第二管芯邻近所述中介层；第一导线结构，其中第一线的第一端设置在所述第二管芯上，并且所述第一导线结构的第二端设置在所述中介层上；以及第二导线结构，其中所述第二导线结构的第一端设置在所述中介层上，并且邻近所述第一线的第二端，其中所述第二导线结构的第二端设置在所述衬底上。2.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中所述第二导线结构的第一端和所述第一导线结构的第二端物理地耦合到设置在所述中介层的顶侧上的接合连接结构。3.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中所述中介层的覆盖区从所述第一管芯的中心点偏移一定距离。4.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中所述第一管芯包括倒装芯片管芯。5.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中在所述第二管芯处包括存储器管芯。6.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中所述第一管芯的长度大于所述第二管芯的长度的约两倍。7.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中所述封装结构包括混合封装结构。8.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中所述第二管芯的覆盖区从所述第一管芯的中心点偏移一定距离。9.一种微电子封装结构，其包括：板；所述板上的第一管芯；所述第一管芯的顶部表面上的中介层；所述第一管芯的顶部表面上的邻近所述中介层的第二管芯，其中所述第二管芯的覆盖区从所述第一管芯的中心区域偏移；第一导线结构，其从所述第二管芯延伸并且附接到所述中介层的顶部表面；以及第二导线结构，其从所述中介层延伸并且附接到所述板。10.根据权利要求9所述的微电子封装结构，其中所述第一和第二导线结构在所述中介层上物理地且电学地彼此耦合。11.根据权利要求10所述的微电子封装结构，其中所述第一导线结构的第一端接合到接合焊盘，所述接...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈爱萍，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US