一种SMT兼容替代SOT563的封装制造技术

本实用新型专利技术涉及一种SMT兼容替代SOT563的封装，该封装通过设置封装管脚端面与封装外壳表面平齐，内腔容积更大，使得封装外壳中能够容纳更大尺寸的芯片，进而容纳更大尺寸的晶圆；本封装在封装过程中，无需将芯片进行倒装，减少芯片安装的步骤，封装成本低，封装时间更短，进一步提高了封装产能，可以替代现有行业内较为昂贵的SOT563封装形式的直流转直流的电源芯片。

【技术实现步骤摘要】
一种SMT兼容替代SOT563的封装
本技术涉及芯片封装领域，更具体地说，涉及一种SMT兼容替代SOT563的封装。
技术介绍
电子设备的小型化引导了更小型的半导体装置的设计和制造。半导体装置一般被封装用于各种电子产品。集成电路封装不仅直接影响着集成电路、电子模块乃至整机的性能，而且还制约着整个电子系统的小型化、低成本和可靠性。现有的一些用户在设计时使用了SOT563的封装，由于SOT563的封装技术仅被一些行业内寡头掌握，封装成本过高，且SOT563封装采用的是芯片倒装的方式进行封装，封装的产能不足。SOT563封装后，封装管脚部分外露，由于线路板的设计已经定型，芯片封装内部空间小，无法融入更大尺寸的晶圆，不利于客户进行使用。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种SMT兼容替代SOT563的封装，该封装成本较低，封装内部空间较大。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种SMT兼容替代SOT563的封装，包括：封装外壳，所述封装外壳尺寸为1.6mm*1.6mm*0.75mm；所述封装外壳底部设有用于作为基板使用的金属框架；端面与所述封装外壳侧面平齐、且用于提高更大内腔容积的多个封装管脚；多个所述封装管脚设置于封装外壳底部靠近金属框架的两侧，并阵列状地配置；所述芯片固定在所述金属框架中部、且位于封装外壳中；用于进行芯片表面电极及封装管脚电连接的多条键合线，多条所述键合线通过绑定方式焊接于所述芯片表面电极及所述封装管脚上；所述封装管脚宽度为0.2mm-0.3mm，所述封装管脚长度为0.23mm-0.33mm；所述封装管脚的封装高度为0.5mm-1.0mm；所述封装外壳任意边缘处设有一方向标识线。进一步地，所述绑定方式为通过超声波加热的方式焊接。进一步地，所述金属框架截面呈长方形；所述金属框架为铜框架，所述金属框架的厚度为0.17mm-0.25mm。进一步地，所述金属框架远离芯片一面设有镀锡层。进一步地，所述键合线为银金钯合金线或镀钯铜线，所述键合线的直径为25μm-35μm。进一步地，所述封装还包括导电银浆，所述导电银浆填充于所述芯片与所述金属框架之间，且填满所述芯片与所述金属框架之间的间隙。进一步地，所述方向标识线为激光镭射线。进一步地，所述封装外壳表面设有标识处。本技术还提供一种芯片尺寸封装结构的制备方法，所述芯片尺寸封装结构的制备方法包括如下步骤：1)提供一封装外壳，所述封装外壳内设有用于作为基板使用的金属框架；2)提供一种芯片，进行晶圆测试后，对芯片进行划片，在金属框架上点上导电银浆后，将芯片安装到金属框架上；3)采用绑定方式，将芯片与金属框架上的封装管脚进行绑定键合；4)将安装好的芯片及金属框架进行塑封、高温固化以及电镀；5)封装完成后进行切割成型，测试打印编带。优选地，步骤1)中金属框架为铜框架，所述金属框架的厚度为0.17mm-0.25mm；步骤2)中芯片固定到金属框架上，导电银浆填充于所述芯片与所述金属框架之间，且填满所述芯片与所述金属框架之间的间隙；步骤3)中封装管脚个数为六个，分布在芯片两侧，并阵列状地配置，采用绑定方式于所述芯片上形成多条键合线，键合线用于芯片表面电极与封装管脚的电连接，采用超声波加热的方式焊接在芯片表面及封装管脚上。本技术的有益效果在于：通过设置封装管脚端面与封装外壳表面平齐，内腔容积更大，使得封装外壳中能够容纳更大尺寸的芯片，进而容纳更大尺寸的晶圆；本封装在封装过程中，无需将芯片进行倒装，减少芯片安装的步骤，封装成本低，封装时间更短，进一步提高了封装产能，可以替代现有行业内较为昂贵的SOT563封装形式的直流转直流的电源芯片。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，下面描述中的附图仅仅是本技术的部分实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图：图1为本实施例中一种SMT兼容替代SOT563的封装的内部结构示意图；图2为本实施例中一种SMT兼容替代SOT563的封装的内部俯视示意图；图3为本实施例中一种SMT兼容替代SOT563的封装尺寸的俯视示意图；图4为本实施例中一种SMT兼容替代SOT563的封装尺寸的仰视示意图；图5为本实施例中一种SMT兼容替代SOT563的封装尺寸的侧视示意图；图6为本实施例中一号封装管脚与金属框架连接的结构示意图；图7为本实施例中二号封装管脚与金属框架连接的结构示意图；图8为本实施例中三号封装管脚与金属框架连接的结构示意图；图9为本实施例中四号封装管脚与金属框架连接的结构示意图；图10为本实施例中五号封装管脚与金属框架连接的结构示意图；图11为本实施例中六号封装管脚与金属框架连接的结构示意图；图12为本实施例中金属框架与封装管脚无连接的结构示意图。具体实施方式为了使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本技术的部分实施例，而不是全部实施例。基于本技术的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术的保护范围。本技术实施例提供一种SMT兼容替代SOT563的封装，结合图1至图2可得，包括：封装外壳1，封装外壳1尺寸为1.6mm*1.6mm*0.75mm；封装外壳1底部设有用于作为基板使用的金属框架4；端面与封装外壳1表面平齐、且用于提高更大内腔容积的多个封装管脚3；多个封装管脚3设置于封装外壳1底部靠近金属框架4的两侧，并阵列状地配置；封装外壳1内靠近相对的封装管脚3之间设有可容纳更大尺寸的芯片2的内部腔槽；芯片2固定在金属框架4中部、且位于封装外壳1中；多个封装管脚3与芯片2表面电极之间通过多条键合线6电连接；封装管脚3宽度为0.2mm-0.3mm，封装管脚3长度为0.23mm-0.33mm；封装管脚3的封装高度为0.5mm-1.0mm；结合图3至图5，下表内数据为图3至图5各项标注数据范围：尺寸位置最小标准最大单位A1.501.601.70mmB1.501.601.70mmC0.500.701.20mmD0.250.300.35mmE0.200.250.30mmF0.150.200.25mmG0.50mmH00.05mm该封装将封装管脚3内置在封装外壳1中，并且通过绑定方式对芯片2表面电极与封装管脚3进行电连接，封装管脚3端面与封装外壳1侧面平齐，与SOT563封装的封装管脚3外露相比，本封装的内腔更大，封装外壳1中能够容纳更大尺寸的芯片2；采用本封装，芯片在封装时无需倒装，节省了大量封装时间，进一步提高封装产能，降低用户的封装成本。上述实施例中，结合图3至图5以及表格所得，相邻的封装管脚3之间以间距为0.5mm进行阵列状排布；且本实施例中封装管脚3的宽度限制在0.2mm-0.3mm之内，封装管脚3的长度限制在0.23mm-0.33mm之内。上述实施例中，结合图6至图12所示，封装管脚3与金属框架4中间部分的组合形式有多种，例如一号封装管脚31与金属框架4中部连接、二号封装管脚32与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SMT兼容替代SOT563的封装，其特征在于：包括：封装外壳，所述封装外壳尺寸为1.6mm*1.6mm*0.75mm；所述封装外壳底部设有用于作为基板使用的金属框架；端面与所述封装外壳侧面平齐、且用于提高更大内腔容积的多个封装管脚；多个所述封装管脚设置于封装外壳底部靠近金属框架的两侧，并阵列状地配置；芯片，所述芯片固定在所述金属框架中部、且位于封装外壳中；用于进行芯片表面电极及封装管脚电连接的多条键合线，多条所述键合线通过绑定方式焊接于所述芯片表面电极及所述封装管脚上；所述封装管脚宽度为0.2mm‑0.3mm，所述封装管脚长度为0.23mm‑0.33mm；所述封装管脚的封装高度为0.5mm‑1.0mm；所述封装外壳任意边缘处设有一方向标识线。

【技术特征摘要】
1.一种SMT兼容替代SOT563的封装，其特征在于：包括：封装外壳，所述封装外壳尺寸为1.6mm*1.6mm*0.75mm；所述封装外壳底部设有用于作为基板使用的金属框架；端面与所述封装外壳侧面平齐、且用于提高更大内腔容积的多个封装管脚；多个所述封装管脚设置于封装外壳底部靠近金属框架的两侧，并阵列状地配置；芯片，所述芯片固定在所述金属框架中部、且位于封装外壳中；用于进行芯片表面电极及封装管脚电连接的多条键合线，多条所述键合线通过绑定方式焊接于所述芯片表面电极及所述封装管脚上；所述封装管脚宽度为0.2mm-0.3mm，所述封装管脚长度为0.23mm-0.33mm；所述封装管脚的封装高度为0.5mm-1.0mm；所述封装外壳任意边缘处设有一方向标识线。2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡明强，
申请(专利权)人：成都蕊源半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51