高集成变频器用引线框架制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高集成变频器用引线框架，包括载片基体、引线脚、引线脚柱，载片基体的四周连体均布多个引线脚，多个引线脚上冲压形成一中间圆形压痕凹槽、以及均布在中间圆形压痕凹槽外周的一圈四个以上的周边四边形压痕凹槽压接引线脚柱，引线脚上涂覆有金箔层；载片基体与引线脚间区域内设有多圈圆周刻痕且该区域上涂覆MS0408铜保护剂层。其结构简单，能有效兼顾使用稳固、接触优良、抗氧化，确保使用寿命、安全等性能。

【技术实现步骤摘要】
高集成变频器用引线框架
本技术涉及一种引线框架，具体说是一种高集成变频器用引线框架。
技术介绍
引线框架是一种用来作为集成电路芯片载体，并借助于金属丝使芯片内部电路引出端通过内引线实现与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件。在半导体中，引线框架主要起稳固芯片、传导信号、传输热量的作用。对于一些高集成电子元器件，例如变频器，其中使用引线框架在结构以及连接传导性能上要求较高，采用传统的基座、上、下筋与引脚结构存在以下缺点，无法满足其稳固芯片作用，采用焊接引线脚结构易出现虚焊导致最终芯片与引线的接触不良，长期使用塑封老化影响封装性能导致框架材质易氧化，无法有效确保稳定、安全使用性能。
技术实现思路
本技术提供了一种结构简单，能有效兼顾使用稳固、接触优良、抗氧化，确保使用寿命、安全等性能的高集成变频器用引线框架。本技术采用的技术方案是：一种高集成变频器用引线框架，包括载片基体、引线脚、引线脚柱，其特征在于：所述载片基体的四周连体均布多个引线脚，多个引线脚上冲压形成一中间圆形压痕凹槽、以及均布在中间圆形压痕凹槽外周的一圈四个以上的周边四边形压痕凹槽压接引线脚柱，引线脚上涂覆有金箔层；载片基体与引线脚间区域内设有多圈圆周刻痕且该区域上涂覆MS0408铜保护剂层。所述中间圆形压痕凹槽的半径为载片基体最短边长的一半，周边四边形压痕凹槽的最长对角线长度不超过载片基体最短边长的1/6。所述刻痕深度不超过载片基体的1/10。本技术的引线框架采用引线脚均布载片基体四周并外冲压压接引线脚柱，冲压形成一中间圆形压痕凹槽、以及均布在中间圆形压痕凹槽外周的一圈四个以上的周边四边形压痕凹槽，连接稳固，结合其上涂覆金箔层在使用时接触连接传导性能更稳定，载片基体与引线脚间区域内设有多圈圆周刻痕且该区域上涂覆MS0408铜保护剂层，有效防止框架材质氧化，延长使用寿命、提高使用性能。附图说明以下结合附图作详细说明。图1为本技术结构示意图。图中：载片基体1、引线脚2、引线脚柱3、中间圆形压痕凹槽4、周边四边形压痕凹槽5、圆周刻痕6、MS0408铜保护剂层7。具体实施方式如图1：一种高集成变频器用引线框架包括载片基体1、引线脚2、引线脚柱3，载片基体1的四周连体均布多个引线脚2，多个引线脚2上冲压形成一中间圆形压痕凹槽4、以及均布在中间圆形压痕凹槽外周的一圈四个以上的周边四边形压痕凹槽5压接引线脚柱3，引线脚2上涂覆有金箔层；载片基体1与引线脚2间区域内设有多圈圆周刻痕6且该区域上涂覆MS0408铜保护剂层7。本实施例中中间圆形压痕凹槽的半径为载片基体最短边长的一半，周边四边形压痕凹槽的最长对角线长度不超过载片基体最短边长的1/6；刻痕深度不超过载片基体的1/10。上述尺寸的限定只是本专利技术构思考虑到结构稳固、接触等性能的一种最优选择，其他尺寸的改变均在本技术保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高集成变频器用引线框架，包括载片基体、引线脚、引线脚柱，其特征在于：所述载片基体的四周连体均布多个引线脚，多个引线脚上冲压形成一中间圆形压痕凹槽、以及均布在中间圆形压痕凹槽外周的一圈四个以上的周边四边形压痕凹槽压接引线脚柱，引线脚上涂覆有金箔层；载片基体与引线脚间区域内设有多圈圆周刻痕且该区域上涂覆MS0408铜保护剂层。

【技术特征摘要】
1.一种高集成变频器用引线框架，包括载片基体、引线脚、引线脚柱，其特征在于：所述载片基体的四周连体均布多个引线脚，多个引线脚上冲压形成一中间圆形压痕凹槽、以及均布在中间圆形压痕凹槽外周的一圈四个以上的周边四边形压痕凹槽压接引线脚柱，引线脚上涂覆有金箔层；载片基体与引线脚间区域内设有多圈圆周刻痕且该区域上涂...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊志，
申请(专利权)人：泰兴市永志电子器件有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32