高压半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种高压半导体装置，包含半导体衬底，具有第一导电类型，源极区和漏极区设置于半导体衬底上，其中漏极区具有与第一导电类型相反的第二导电类型，且源极区包含分别具有第一导电类型和第二导电型的两个部分，第一隔离结构和第二隔离结构分别设置于漏极区的相对两侧，其中第一隔离结构在源极区与漏极区之间，第一阱设置于第二隔离结构下且具有第一导电类型，其中第一阱的顶面邻接第二隔离结构的底面，以及第一埋层设置于半导体衬底内且具有第一导电类型，其中第一埋层与第一阱重迭。

High voltage semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
高压半导体装置
本专利技术是关于半导体装置，特别是关于高压半导体装置。
技术介绍
高压半导体装置技术适用于高电压与高功率的集成电路领域。传统高压半导体装置，例如垂直式扩散金属氧化物半导体(verticallydiffusedmetaloxidesemiconductor,VDMOS)晶体管及横向扩散金属氧化物半导体(laterallydiffusedmetaloxidesemiconductor,LDMOS)晶体管，主要用于12V以上的元件应用领域。高压装置技术的优点在于符合成本效益，且易相容于其它工艺，已广泛应用于显示器驱动IC元件、电源供应器、电力管理、通信、车用电子或工业控制等领域中。虽然现存的高压半导体装置已逐步满足它们既定的用途，但它们仍未在各方面皆彻底的符合要求。因此，关于高压半导体装置和制造技术仍有一些问题需要克服。
技术实现思路
本专利技术提供了高压半导体装置的实施例，特别是横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的实施例。通常藉由在工艺中调整横向扩散金属氧化物半导体的阱的掺杂浓度，使得横向扩散金属氧化物半导体产生特定的击穿电压，以符合不同产品应用的需求。然而，在实际本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：一半导体衬底，具有一第一导电类型；一源极区和一漏极区，设置于该半导体衬底上，其中该漏极区具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型，且该源极区包括分别具有该第一导电类型和该第二导电型的两个部分；一第一隔离结构和一第二隔离结构，分别设置于该漏极区的相对两侧，其中该第一隔离结构在该源极区与该漏极区之间；一第一阱，设置于该第二隔离结构下且具有该第一导电类型，其中该第一阱的顶面邻接该第二隔离结构的底面；以及一第一埋层，设置于该半导体衬底内且具有该第一导电类型，其中该第一埋层与该第一阱重迭。

【技术特征摘要】
2018.04.25 TW 1071140081.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：一半导体衬底，具有一第一导电类型；一源极区和一漏极区，设置于该半导体衬底上，其中该漏极区具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型，且该源极区包括分别具有该第一导电类型和该第二导电型的两个部分；一第一隔离结构和一第二隔离结构，分别设置于该漏极区的相对两侧，其中该第一隔离结构在该源极区与该漏极区之间；一第一阱，设置于该第二隔离结构下且具有该第一导电类型，其中该第一阱的顶面邻接该第二隔离结构的底面；以及一第一埋层，设置于该半导体衬底内且具有该第一导电类型，其中该第一埋层与该第一阱重迭。2.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一埋层的长度大于该第一阱的长度和该第二隔离结构的长度。3.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，更包括：一第一高压阱，设置于该第一埋层上且具有该第二导电类型，其中该第一高压阱邻接该第一阱和该第一埋层；以及一第二阱，设置于该第一高压阱内且具有该第二导电类型，其中该第二阱位于该第一隔离结构与该第二隔离结构之间，且该漏极区位于该第二阱内。4.如权利要求3所述的高压半导体装置，其特征在于，更包括：一第二高压阱，邻接该第一高压阱且具有该第一导电类型；一第二埋层，设置于该半导体衬底内且具有该第二导电类型，其中该第二埋层位于该第二高压阱下；一第三阱，设置于该第二高压阱内且具有该第一导电类型，其中该源极区位于该第三阱内；以及一栅极结构，设置于该半导体衬底上且自该第三阱延伸至该第一隔离结构上。5.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，更包括：一第三隔离结构，设置于该半导体衬底上，其中该源极区位于该第一隔离结构和该第三隔离结构之间；以及一第三高压阱和一掺杂区，设置于该半导体衬底上且具有该第一导电类型，其中该掺杂区位于该第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦维克，陈鲁夫，陈柏安，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71