弹性波装置、高频前端电路以及通信装置制造方法及图纸

技术编号:22421115 阅读:15 留言:0更新日期:2019-10-30 02:49
本发明专利技术提供一种能够有效地抑制无用波的弹性波装置。弹性波装置(1)具备:支承基板(2);声反射膜(3),设置在支承基板(2)上;压电薄膜(4)(压电体),设置在声反射膜(3)上;以及IDT电极(5),设置在压电薄膜(4)上。声反射膜(3)是由包含第一低声阻抗层(3a)、第二低声阻抗层(3c)、第三低声阻抗层(3e)、第四低声阻抗层(3g)和第一高声阻抗层(3b)、第二高声阻抗层(3d)、第三高声阻抗层(3f)的多个声阻抗层构成的层叠体。声反射膜(3)具有:第一声阻抗层,是多个声阻抗层中的一个声阻抗层;以及第二声阻抗层,是多个声阻抗层中的一个声阻抗层,且算术平均粗糙度(Ra)与第一声阻抗层不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
本专利技术涉及弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。
技术介绍
以往,弹性波装置被广泛用于便携式电话机等。在下述的专利文献1记载的弹性波装置中,在支承基板上设置有声反射层,在声反射层上设置有压电体层,在压电体层上设置有IDT电极。在声反射层中,层叠有低声阻抗层以及高声阻抗层。在先技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2012/086441号
技术实现思路
专利技术要解决的课题在专利文献1记载的弹性波装置中,有时会产生各种无用波。因此,有时阻抗特性等会劣化。本专利技术的目的在于,提供一种能够有效地抑制无用波的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。用于解决课题的技术方案本专利技术涉及的弹性波装置具备:支承基板;声反射膜,设置在所述支承基板上;压电体,设置在所述声反射膜上;以及IDT电极,设置在所述压电体上,所述声反射膜是由包含声阻抗相对低的低声阻抗层和声阻抗相对高的高声阻抗层的多个声阻抗层构成的层叠体,所述声反射膜具有:第一声阻抗层,是所述多个声阻抗层中的一个声阻抗层;以及第二声阻抗层,是所述多个声阻抗层中的一个声阻抗层,且算术平均粗糙度(Ra)与所述第一声阻抗层不同。在本专利技术涉及的弹性波装置的某个特定的方面中,所述第一声阻抗层位于比所述第二声阻抗层靠所述压电体侧,所述第二声阻抗层的算术平均粗糙度(Ra)比所述第一声阻抗层的算术平均粗糙度(Ra)大。在该情况下,能够有效地抑制容易透射声反射膜而传播的无用波。在本专利技术涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中,所述第一声阻抗层位于比所述第二声阻抗层靠所述压电体侧,所述第一声阻抗层的算术平均粗糙度(Ra)比所述第二声阻抗层的算术平均粗糙度(Ra)大。在该情况下,能够有效地抑制容易被声反射膜反射的无用波。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述声反射膜分别具有多个所述低声阻抗层以及所述高声阻抗层,所述低声阻抗层和所述高声阻抗层交替地层叠,所述第一声阻抗层以及所述第二声阻抗层分别是所述低声阻抗层,在所述多个低声阻抗层中,越是位于靠所述支承基板侧的层,算术平均粗糙度(Ra)越大。在该情况下,能够更进一步抑制容易透射声反射膜而传播的无用波。在本专利技术涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中,所述声反射膜分别具有多个所述低声阻抗层以及所述高声阻抗层,所述低声阻抗层和所述高声阻抗层交替地层叠,所述第一声阻抗层以及所述第二声阻抗层分别是所述高声阻抗层,在所述多个高声阻抗层中,越是位于靠所述支承基板侧的层,算术平均粗糙度(Ra)越大。在该情况下,能够更进一步抑制容易透射声反射膜而传播的无用波。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述声反射膜分别具有多个所述低声阻抗层以及所述高声阻抗层,所述低声阻抗层和所述高声阻抗层交替地层叠,所述第一声阻抗层以及所述第二声阻抗层分别是所述低声阻抗层,在所述多个低声阻抗层中,越是位于靠所述压电体侧的层,算术平均粗糙度(Ra)越大。在该情况下,能够更进一步抑制容易被声反射膜反射的无用波。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述声反射膜分别具有多个所述低声阻抗层以及所述高声阻抗层,所述低声阻抗层和所述高声阻抗层交替地层叠,所述第一声阻抗层以及所述第二声阻抗层分别是所述高声阻抗层,在所述多个高声阻抗层中,越是位于靠所述压电体侧的层,算术平均粗糙度(Ra)越大。在该情况下,能够更进一步抑制容易被声反射膜反射的无用波。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,在所述声反射膜中,所述低声阻抗层以及所述高声阻抗层交替地层叠有5层以上。在该情况下,能够将利用的弹性波的能量有效地封闭在压电体侧。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,在所述压电体的所述声反射膜侧的面上设置有金属膜,所述金属膜被由电介质构成的构件覆盖。在该情况下,能够容易且高精度地测定压电体的膜厚。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,由所述电介质构成的构件是所述声反射膜的位于最靠所述压电体侧的所述声阻抗层。在该情况下,能够更加容易且高精度地测定压电体的膜厚。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,在俯视下,在不与所述IDT电极重叠的位置配置有所述金属膜。在该情况下,即使在形成了IDT电极之后,也能够容易且高精度地测定压电体的膜厚。还能够在测定了IDT电极等的电特性之后测定压电体的膜厚。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述金属膜包含Ti以及Cr中的至少一者。在该情况下,能够提高压电体以及声反射膜与金属膜的密接性。因而,压电体和声反射膜不易剥离。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,利用了板波。在该情况下,能够特别有效地抑制无用波。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述压电体的膜厚为1μm以下。在该情况下,能够适当地激励板波。本专利技术涉及的高频前端电路具备按照本专利技术构成的弹性波装置和功率放大器。本专利技术涉及的通信装置具备按照本专利技术构成的高频前端电路和RF信号处理电路。专利技术效果根据本专利技术,能够提供一种能够有效地抑制无用波的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。图2的(a)~图2的(f)是示出板波的传播模式的例子的图。图3是示出本专利技术的第一实施方式以及第一比较例中的阻抗特性的图。图4是本专利技术的第一实施方式的变形例涉及的弹性波装置的示意性放大主视剖视图。图5是示出本专利技术的第一实施方式的变形例以及第二比较例中的阻抗特性的图。图6是本专利技术的第二实施方式涉及的弹性波装置的示意性放大主视剖视图。图7是示出本专利技术的第二实施方式以及第三比较例中的阻抗特性的图。图8是图7的放大图。图9是本专利技术的第二实施方式的变形例涉及的弹性波装置的示意性放大主视剖视图。图10是示出本专利技术的第二实施方式的变形例以及第四比较例中的阻抗特性的、产生无用波的频带附近的图。图11是示出本专利技术的第二实施方式的变形例以及第四比较例中的阻抗特性的、产生无用波的频带附近的图。图12是本专利技术的第三实施方式涉及的弹性波装置的示意性放大主视剖视图。图13是示出本专利技术的第三实施方式以及第五比较例中的阻抗特性的图。图14是图13的放大图。图15是本专利技术的第三实施方式的第一变形例涉及的弹性波装置的示意性放大主视剖视图。图16是示出本专利技术的第三实施方式的第一变形例以及第六比较例中的阻抗特性的图。图17是本专利技术的第三实施方式的第二变形例涉及的弹性波装置的示意性放大主视剖视图。图18是示出本专利技术的第三实施方式的第二变形例以及第七比较例中的阻抗特性的图。图19是本专利技术的第四实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。图20的(a)~图20的(d)是用于说明本专利技术的第一实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的一个例子的示意性主视剖视图。图21的(a)以及图21的(b)是用于说明本专利技术的第一实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的一个例子的示意性主视剖视图。图22是具有高频前端电路的通信装置的结构图。图23是本专利技术的第五实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。图24是本专利技术的第五实施方式涉及的弹性波装置的简图性俯视图。图25是示出第八比较例的弹性波装置的相当于图23所示的剖面的部分的示意性剖视图。图26是本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弹性波装置,具备:支承基板;声反射膜,设置在所述支承基板上;压电体,设置在所述声反射膜上;以及IDT电极,设置在所述压电体上,所述声反射膜是由包含声阻抗相对低的低声阻抗层和声阻抗相对高的高声阻抗层的多个声阻抗层构成的层叠体,所述声反射膜具有:第一声阻抗层,是所述多个声阻抗层中的一个声阻抗层;以及第二声阻抗层,是所述多个声阻抗层中的一个声阻抗层,且算术平均粗糙度Ra与所述第一声阻抗层不同。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.21 JP 2017-0298401.一种弹性波装置,具备:支承基板;声反射膜,设置在所述支承基板上;压电体,设置在所述声反射膜上;以及IDT电极,设置在所述压电体上,所述声反射膜是由包含声阻抗相对低的低声阻抗层和声阻抗相对高的高声阻抗层的多个声阻抗层构成的层叠体,所述声反射膜具有:第一声阻抗层,是所述多个声阻抗层中的一个声阻抗层;以及第二声阻抗层,是所述多个声阻抗层中的一个声阻抗层,且算术平均粗糙度Ra与所述第一声阻抗层不同。2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,所述第一声阻抗层位于比所述第二声阻抗层靠所述压电体侧,所述第二声阻抗层的算术平均粗糙度Ra比所述第一声阻抗层的算术平均粗糙度Ra大。3.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,所述第一声阻抗层位于比所述第二声阻抗层靠所述压电体侧,所述第一声阻抗层的算术平均粗糙度Ra比所述第二声阻抗层的算术平均粗糙度Ra大。4.根据权利要求2所述的弹性波装置,其中,所述声反射膜分别具有多个所述低声阻抗层以及所述高声阻抗层,所述低声阻抗层和所述高声阻抗层交替地层叠,所述第一声阻抗层以及所述第二声阻抗层分别是所述低声阻抗层,在所述多个低声阻抗层中,越是位于靠所述支承基板侧的层,算术平均粗糙度Ra越大。5.根据权利要求2所述的弹性波装置,其中,所述声反射膜分别具有多个所述低声阻抗层以及所述高声阻抗层,所述低声阻抗层和所述高声阻抗层交替地层叠,所述第一声阻抗层以及所述第二声阻抗层分别是所述高声阻抗层,在所述多个高声阻抗层中,越是位于靠所述支承基板侧的层,算术平均粗糙度Ra越大。6.根据权利要求3所述的弹性波装置,...

【专利技术属性】
技术研发人员:岸本谕卓大村正志奥永洋梦
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:发明
国别省市:日本,JP

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