电子封装件及其制法制造技术

一种电子封装件及其制法，包括于承载结构的第一侧上设置第一屏蔽层与第一电子元件，且于该承载结构的第二侧上设置第二电子元件与包覆该第二电子元件的封装层，再将第二屏蔽层设于该封装层上，以借由该第一屏蔽层与第二的设计，使该第一电子元件与第二的电磁辐射不会相互影响，以提升该电子封装件的可靠度。

Electronic package and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其制法
本专利技术有关一种半导体制程，尤指一种电子封装件及其制法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势，其中应用于晶片封装领域的技术包含有晶片尺寸构装(ChipScalePackage，简称CSP)、晶片直接贴附封装(DirectChipAttached，简称DCA)或多晶片模组封装(Multi－ChipModule，简称MCM)等覆晶型态的封装模组，或将晶片立体堆迭化整合为三维积体电路(3DIC)晶片堆迭技术等。图1为悉知3DIC晶片堆迭的半导体封装件1的剖面示意图，其包含有一硅中介板(ThroughSiliconinterposer，简称TSI)10，该硅中介板10具有相对的置晶侧10a与转接侧10b、及连通该置晶侧10a与转接侧10b的多个导电硅穿孔(Through-siliconvia，简称TSV)100，且该转接侧10b上形成有多个线路重布层(Redistributionlayer，简称RDL)101，以将间距较小的半导体晶片19的电极垫190借由多个焊锡凸块102电性结合至该置晶侧10a上，再以底胶192包覆该些焊锡凸块102，且形成封装胶体18于该硅中介板10上，以覆盖该半导体晶片19，另于该线路重布层101上借由多个如凸块的导电元件103电性结合间距较大的封装基板17的焊垫170，并以底胶172包覆该些导电元件103。此外，制作该半导体封装件1时，先将该半导体晶片19置放于该硅中介板10上，再将该硅中介板10以该些导电元件103接置于该封装基板17上，之后形成该封装胶体18。此外，于后续应用该半导体封装件1的组装制程时，该半导体封装件1借由该封装基板17下侧结合至一电路板(图略)上，以利用该些导电硅穿孔100作为该半导体晶片19与该电路板之间讯号传递的介质。然而，悉知半导体封装件1的制法中，当该半导体晶片19为细线宽线距的高接点(I/O)功能晶片时，需使用该硅中介板10作为该半导体晶片19与该封装基板17之间讯号传递的介质，因该硅中介板10需具备一定深宽比的控制(即该导电硅穿孔100的深宽比为100um/10um)，才能制作出适用的硅中介板10，因而往往需耗费大量制程时间及化学药剂的成本，进而提高制程难度及制作成本。此外，因该半导体晶片19需借由该硅中介板10与该封装基板17转接至电路板上，且该封装基板17具有含玻纤材料的核心层，致使该封装基板17厚度相当厚，因而不利于终端电子产品的轻薄短小化。又，当该半导体晶片19为细线宽线距的高接点(I/O)功能晶片时，需增加该硅中介板10的版面的面积，以将多个功能晶片接置于该硅中介板10的同一侧，致使相对应的封装基板17的版面的面积也随之增加，因而不利于终端电子产品的轻薄短小化。此外，即便避免使用含玻纤材料的核心层的封装基板17，而将具高接点(I/O)功能晶片接置于线路层，以期达到减少整体厚度的目的，然而部分晶片经高频作动后会产生电磁辐射，且对于设置于该线路层两侧的晶片仅隔数层极薄的线路层，此电磁辐射将严重影响其它晶片的运作。因此，如何克服上述悉知技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述悉知技术的种种缺失，本专利技术提供一种电子封装件及其制法，以提升该电子封装件的可靠度。本专利技术的电子封装件，包括：承载结构，其具有相对的第一侧与第二侧且包含有线路层；第一屏蔽层，其设于该承载结构的第一侧上；第一电子元件，其设于该承载结构的第一侧上并电性连接该线路层；第二电子元件，其设于该承载结构的第二侧上并电性连接该线路层；封装层，其设于该承载结构的第二侧上以包覆该第二电子元件；以及第二屏蔽层，其设于该封装层上。本专利技术还提供一种电子封装件的制法，包括：提供一具有相对的第一侧及第二侧且包含有线路层的承载结构，，并于该承载结构的第一侧上设有第一屏蔽层与第一电子元件，且令该第一电子元件电性连接该线路层；设置第二电子元件于该承载结构的第二侧上，且令该第二电子元件电性连接该线路层；形成封装层于该承载结构的第二侧上，以包覆该第二电子元件；以及形成第二屏蔽层于该封装层上。前述的电子封装件及其制法中，该第一屏蔽层未接触该第一电子元件。前述的电子封装件及其制法中，该第一屏蔽层未电性连接该线路层。前述的电子封装件及其制法中，该第一屏蔽层为利用沉积多个导电粒子的方式形成。前述的电子封装件及其制法中，该第二屏蔽层未电性连接该线路层。前述的电子封装件及其制法中，该第二屏蔽层电性连接该线路层。前述的电子封装件及其制法中，该第二屏蔽层为利用沉积多个导电粒子的方式形成。前述的电子封装件及其制法中，该封装层具有外露该第二侧的凹部，且该第二屏蔽层还设于该凹部中，使该第二屏蔽层设于该封装层的顶面与侧面上。前述的电子封装件及其制法中，还包括于该承载结构的第一侧上以包覆层包覆该第一电子元件。前述的电子封装件及其制法中，还包括形成导电元件于该第一屏蔽层上。前述的电子封装件及其制法中，还包括形成导电元件于该线路层上以电性连接该线路层。由上可知，本专利技术的电子封装件及其制法，主要借由该承载结构取代悉知硅中介板，以作为外部装置与该第一或第二电子元件之间讯号传递的介质，故相较于悉知技术，本专利技术无需制作TSV，因而大幅降低制程难度及制作成本。此外，本专利技术是直接将高I/O功能的晶片(如该第一与第二电子元件)接置于该承载结构上，因而不需使用一含核心层的封装基板及一具有TSV的硅中介板，故相较于悉知技术，本专利技术的电子封装件的厚度可大幅减少。又，当该第一与第二电子元件为细线宽线距的高接点功能晶片时，借由将该第一与第二电子元件分别接置于该承载结构的第一侧与第二侧的设计，以免增加该承载结构的版面的面积，故相较于悉知技术，本专利技术可利于终端电子产品的轻薄短小化。另外，借由该第一与第二屏蔽层的设计，使该第一与第二电子元件的电磁辐射不会相互影响，因而能避免晶片运作不良的问题，进而能提升该电子封装件的可靠度。附图说明图1为悉知半导体封装件的剖面示意图；图2A至图2G为本专利技术的电子封装件的制法的剖面示意图；图2A’为图2A的局部制程的示意图；图2C’为图2C的另一实施例的示意图；图2E’为图2E的局部制程的示意图；以及图2G’为图2G的另一实施例的示意图。符号说明1半导体封装件10硅中介板10a置晶侧10b转接侧100导电硅穿孔101线路重布层102焊锡凸块103,27,27’导电元件17封装基板170焊垫172,192底胶18封装胶体19半导体晶片190,210电极垫2,2’电子封装件2a封装单元20,20’包覆层200穿孔21第一电子元件21a作用面21b非作用面22,22’第一屏蔽层22a,26a导电粒子220开口区23承载结构23a第一侧23b第二侧230介电层231线路层232导电盲孔24第二电子元件240导电凸块25封装层25a顶面25c侧面250凹部26,260第二屏蔽层S切割路径。具体实施方式以下借由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技艺的人士的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子封装件，其特征在于，该电子封装件包括：承载结构，其具有相对的第一侧与第二侧，且该承载结构包含有线路层；第一屏蔽层，其设于该承载结构的第一侧上；第一电子元件，其设于该承载结构的第一侧上并电性连接该线路层；第二电子元件，其设于该承载结构的第二侧上并电性连接该线路层；封装层，其设于该承载结构的第二侧上以包覆该第二电子元件；以及第二屏蔽层，其设于该封装层上。

【技术特征摘要】
2018.04.09 TW 1071120811.一种电子封装件，其特征在于，该电子封装件包括：承载结构，其具有相对的第一侧与第二侧，且该承载结构包含有线路层；第一屏蔽层，其设于该承载结构的第一侧上；第一电子元件，其设于该承载结构的第一侧上并电性连接该线路层；第二电子元件，其设于该承载结构的第二侧上并电性连接该线路层；封装层，其设于该承载结构的第二侧上以包覆该第二电子元件；以及第二屏蔽层，其设于该封装层上。2.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一屏蔽层未接触该第一电子元件。3.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一屏蔽层未电性连接该线路层。4.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第二屏蔽层未电性连接该线路层。5.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第二屏蔽层电性连接该线路层。6.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第二屏蔽层设于该封装层的顶面与侧面上。7.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括结合于该承载结构的第一侧上以包覆该第一电子元件的包覆层。8.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该第一屏蔽层上的导电元件。9.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该线路层上以电性连接该线路层的导电元件。10.一种电子封装件的制法，其特征在于，该制法包括：提供一具有相对的第一侧及第二侧且包含有线路...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖厚任，江政嘉，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71