【技术实现步骤摘要】
场效应管封装结构
本技术涉及电子元器件装配领域，尤其涉及一种场效应管封装结构。
技术介绍
场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管和金属-氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。传统的场效应管封装结构复杂，且引脚每极只有一个，导致在电路利用场效应管的时候一端引脚加入多跟导线导致其接线处难以找到，且不美观。因此获得一种封装结构简单、可拆卸且使用方便的场效应管封装结构十分重要。
技术实现思路
本技术提供一种场效应管封装结构，以解决上述技术问题。为达到上述目的，本技术采用了下列技术方案：一种场效应管封装结构，包括封装外壳、位于封装外壳内的衬底，衬底顶部两侧的封装外壳上均设置有侧绝缘体，所述衬底顶部中心设有中心绝缘体，衬底上设有两个耗尽层，两个所述耗尽层之通过沟道连通，位于所述耗尽层顶部、位于所述中心绝缘体顶部和衬底底部均设置有电极柱，所述封装外壳上开设有用于电极柱穿出的穿孔。其中沟道的深度要小于耗尽层的深度。作为上述一种优选方式，所述侧绝缘体和中心绝缘体均为二氧化硅材质。作为上述一种优选方式，所述穿孔周围浇注有硅胶密封圈。通过上述技术方案，硅胶密封圈的设置有助于帮助内外封装隔绝，防止内部进入水分或者灰尘影响工作。作为上述一种优选方式，所述电极柱为排针。通过上述技术方案，排针的设置能够便于本技术的安装电路的电性连接，使得其焊接连线时候整齐划一。作为上述一种优选方式，所述电极柱为L型。其中电极柱为铝电极，通过上述技术...
【技术保护点】
1.一种场效应管封装结构，其特征在于：包括封装外壳(1)、位于封装外壳(1)内的衬底(2)，衬底(2)顶部两侧的封装外壳(1)上均设置有侧绝缘体(3)，所述衬底(2)顶部中心设有中心绝缘体(4)，衬底(2)上设有两个耗尽层(5)，两个所述耗尽层(5)之通过沟道(6)连通，位于所述耗尽层(5)顶部、位于所述中心绝缘体(4)顶部和衬底(2)底部均设置有电极柱(11)，所述封装外壳(1)上开设有用于电极柱(11)穿出的穿孔(7)。
【技术特征摘要】
1.一种场效应管封装结构，其特征在于：包括封装外壳(1)、位于封装外壳(1)内的衬底(2)，衬底(2)顶部两侧的封装外壳(1)上均设置有侧绝缘体(3)，所述衬底(2)顶部中心设有中心绝缘体(4)，衬底(2)上设有两个耗尽层(5)，两个所述耗尽层(5)之通过沟道(6)连通，位于所述耗尽层(5)顶部、位于所述中心绝缘体(4)顶部和衬底(2)底部均设置有电极柱(11)，所述封装外壳(1)上开设有用于电极柱(11)穿出的穿孔(7)。2.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚磊，
申请(专利权)人：无锡光磊电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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