存储器装置制造方法及图纸

技术编号:22365510 阅读:40 留言:0更新日期:2019-10-23 05:09
本揭露提供一种存储器装置包括以具有多个行及多个列的阵列排列的多个存储单元。第一字线连接到阵列的第一行的第一多个存储单元,且第二字线连接到阵列的第一行的第二多个存储单元。在一些实例中,所述多个存储单元被排列在衬底中或衬底上,并且第一字线形成在衬底的第一层中且第二字线形成在衬底的第二层中。

Memory device

【技术实现步骤摘要】
存储器装置
本揭露的实施例是有关于一种存储器装置,且特别是有关于一种带有飞字线的存储器装置。
技术介绍
数字存储器装置通常以位的形式来存储数据。举例来说,静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory,SRAM)包括存储阵列,所述存储阵列包括多个位单元,所述多个位单元中的每一者存储数据的一个位。所述多个位单元被排列成行及列的矩阵。每一行中的位单元连接到字线且每一列中的位单元连接到位线对。所述位线对用于从位单元存取数据,且字线控制与位线的连接。在读取及写入操作期间,字线被充以高电荷,以激活附接到字线的位单元。从目标列的对应的位线对读取数据。
技术实现思路
本揭露提供一种存储器装置包括以具有多个行及多个列的阵列排列的多个存储单元。第一字线连接到阵列的第一行的第一多个存储单元,且第二字线连接到阵列的第一行的第二多个存储单元。在一些实例中,所述多个存储单元被排列在衬底中或衬底上,并且第一字线形成在衬底的第一层中且第二字线形成在衬底的第二层中。附图说明包含附图以便进一步理解本专利技术,且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本专利技术的实施例,并与描述一起用于解释本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置,其特征在于,包括:多个存储单元,以具有多个行及多个列的阵列排列;第一字线,连接到所述阵列的第一行的第一多个所述存储单元;以及第二字线,连接到所述阵列的所述第一行的第二多个所述存储单元;其中所述多个存储单元被排列在衬底中或衬底上,且其中所述第一字线形成在所述衬底的第一层中且所述第二字线形成在所述衬底的第二层中。

【技术特征摘要】
2018.04.09 US 62/654,977;2019.02.26 US 16/285,8111.一种存储器装置,其特征在于,包括:多个存储单元,以具有多个行及...

【专利技术属性】
技术研发人员:林洋绪郑基廷
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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