分子合成设备制造技术

根据本发明专利技术概念的一个方面，提供了一种分子合成设备，包括：合成阵列，该合成阵列包括合成位置和被布置在每个合成位置处的电极的阵列，以及非易失性存储器，该非易失性存储器包括位单元阵列、一组字线和一组位线，其中每个位单元包括具有被连接到字线的控制栅极、第一源极/漏极端子、和被连接到位线的第二源极/漏极端子的非易失性存储器晶体管，其中合成阵列的每个合成位置处的电极被连接到非易失性存储器的位单元中的相应一个的第一源极/漏极端子。

【技术实现步骤摘要】
分子合成设备
本专利技术概念涉及一种分子合成设备。本专利技术概念进一步涉及一种用于控制分子合成设备的方法。
技术介绍
生成的数据量每年都在增加。由于这种趋势可能会持续下去，故而以可靠和成本有效的方式存储不断增加的数据量将变得越来越有挑战性。实际上，诸如硬盘驱动器、固态驱动器、光学记录介质、磁记录介质等传统的存储介质可能无法满足未来的数据存储需求。这种担忧激发了人们对替代数据存储解决方案以及其他分子存储器的兴趣。分子存储器可包括分子存储器单元阵列，其允许在分子存储介质中的数据存储。正在研究用于分子存储介质中的数据存储的各种技术。一种有前景的数据存储技术是基于分子合成的方式，其中稳定的有机分子(诸如聚合物，DNA或RNA)以结构化方式被合成以形成映射到数据符号的分子。意识到写入期间所采用的数据编码方案，即数据符号与合成分子的构建结构之间的映射，被写入的数据符号可相应地从合成分子的结构中读出，例如(用于聚合物的)单体或(用于DNA或RNA的)碱基对序列。分子合成可在包含合成位置阵列的合成阵列中进行。为了使具有足够数据通量的大容量分子存储器成为可能，可设想可采用数百万、数十亿甚至更大量级的阵本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种分子合成设备，包括：合成阵列，所述合成阵列包括合成位置和被布置在每个合成位置处的电极的阵列，以及非易失性存储器，所述非易失性存储器包括位单元阵列、一组字线和一组位线，其中每个位单元包括具有被连接到字线的控制栅极、第一源极/漏极端子、和被连接到位线的第二源极/漏极端子的非易失性存储器晶体管，其中所述合成阵列的每个合成位置处的所述电极被连接到所述非易失性存储器的所述位单元中的相应一个的所述第一源极/漏极端子。

【技术特征摘要】
2018.03.26 EP 18163992.31.一种分子合成设备，包括：合成阵列，所述合成阵列包括合成位置和被布置在每个合成位置处的电极的阵列，以及非易失性存储器，所述非易失性存储器包括位单元阵列、一组字线和一组位线，其中每个位单元包括具有被连接到字线的控制栅极、第一源极/漏极端子、和被连接到位线的第二源极/漏极端子的非易失性存储器晶体管，其中所述合成阵列的每个合成位置处的所述电极被连接到所述非易失性存储器的所述位单元中的相应一个的所述第一源极/漏极端子。2.如权利要求1所述的分子合成设备，其特征在于，每个位单元的所述存储器晶体管在低阈值电压和高阈值电压之间是可切换的，并且所述分子合成设备进一步包括控制器，所述控制器被配置成：接收指示将被启用的所述合成阵列的电极的数据集，将连接到将被启用的电极的每个位单元的所述存储器晶体管设置为所述低阈值电压，并且将每个其他位单元的所述存储器晶体管设置为所述高阈值电压，以及将介于所述低阈值电压和高阈值电压之间的控制电压施加到所述字线，并且将电极电压施加到所述位线。3.如前述权利要求中任一项所述的分子合成设备，其中被布置在同一阵列的列中的所述非易失性存储器的所述阵列的位单元被连接到同一位线，以及其中被布置在同一阵列的行中的所述非易失性存储器的所述阵列的位单元被连接到同一字线。4.如前述权利要求中任一项所述的分子合成设备，其特征在于，所述非易失性存储器是NOR闪存。5.如前述权利要求中任一项所述的分子合成设备，其特征在于，每个位单元的所述存储器晶体管包括浮置栅极或电荷俘获层。6.如权利要求1-3中任一项所述的分子合成设备，其特征在于，每个位单元的所述存储器晶体管是铁电晶体管。7.如前述权利要求中任一项所述的分子合成设备，其特征在于，进一步包括基板，其中所述非易失性存储器被...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·阿雷吉尼，A·弗尔内蒙特，
申请(专利权)人：IMEC非营利协会，
类型：发明
国别省市：比利时,BE