溅射装置制造方法及图纸

本发明专利技术目的是使薄膜的面内的特性分布变得均匀。在配置于基板（16）的周围的阳极电极（17）的短边的部分之上配置块电极（18a、18b），使靶极（13）与接地电位之间的距离在块电极（18a、18b）上变短。在距跑道形形状的等离子区域（10）的两端附近较近的基板（16）上的部位容易形成强度较大的等离子，但由于在块电极（18a、18b）上形成强度较大的等离子，所以在基板（16）上等离子均匀化，在基板（16）上形成的薄膜的面内的特性分布变得均匀。

【技术实现步骤摘要】
溅射装置
本专利技术涉及溅射技术，特别涉及使金属薄膜的面内的特性分布成为均匀的溅射技术。
技术介绍
借助溅射方法进行的薄膜形成是被广泛使用的技术，近年来，为了在大型基板上形成薄膜，要求在大面积基板上形成特性分布均匀的薄膜的技术。图6（俯视图和E－E线、F－F线截断剖视图）的等离子装置102在阴极电极112的表面配置有靶极113，在背面设置有多个磁铁装置1151～1155，所述磁铁装置1151～1155在磁轭127上配置有外周磁铁125和内侧磁铁126，如果靶极113被溅射，则在与靶极113面对而配置在基板配置部114上的基板116的表面上形成薄膜。在基板116的外周上配置有阳极电极117，使得在靶极113表面上形成的等离子变得均匀。但是，基板116更加大型化，随之而靶极113及磁铁装置1151～1155大型化，结果在基板116的距短边较近的区域和其之间的中央的部分上，形成的薄膜的特性的差异变大。如果短边部分的薄膜的电阻值与中央部分的薄膜的电阻值较大地不同，则在基板表面上形成的发光层的发光分布不同，成为不均匀的明亮度的画面。在下述专利文献中，记载有配置与能够移动的磁控管等离子连动的接地电位电极而实现了膜质及膜厚的均匀化的对应于大型基板的磁控管溅射装置。专利文献1：日本特开平07－331433号公报。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述以往技术的不良状况而做出的，其目的是使在大型基板表面上形成的薄膜的特性分布变得均匀，特别是使距细长的磁控管磁铁的端部较近的基板的边缘附近的区域的薄膜特性与基板的中央附近的区域的薄膜特性的差异变小。为了解决上述课题，本专利技术是一种溅射装置，具有：真空槽；靶极，配置在前述真空槽的内部；阴极电极，与配置在前述靶极的背面侧的溅射电源连接；多个磁铁装置，配置在前述阴极电极的背面侧；基板配置部，配置基板；以及环形形状的阳极电极，连接在接地电位上，在前述基板的外周上覆盖；在各前述磁铁装置中，设置有细长的环形形状的外周磁铁和配置在其内侧的内侧磁铁；在前述外周磁铁与其内侧的前述内侧磁铁之间形成的磁束被泄漏到前述靶极的表面，将前述靶极溅射，在前述基板表面上形成薄膜；前述外周磁铁和其内侧的前述内侧磁铁隔开，作为前述外周磁铁与其内侧的前述内侧磁铁之间的区域的等离子区域被设成细长的环形形状；在前述等离子区域的两端与前述基板的表面所位于的平面之间，配置有厚度比前述阳极电极厚并连接到接地电位的块电极；使前述块电极的表面与前述靶极的表面之间的TB距离比前述阳极电极的表面与前述靶极的表面之间的TA距离短。本专利技术是一种溅射装置，使前述TB距离比前述靶极的表面与配置在前述基板配置部上的前述基板的表面之间的TS距离的10%大、比90%小。本专利技术是一种溅射装置，前述靶极是平板状的金属钼板，前述薄膜是金属钼薄膜。在基板表面中，距细长的磁控管磁铁的端部较近的部位与基板的中央的部位的薄膜特性的差异变小。结果，关于在长方形基板上形成的薄膜的特性，短边附近的区域的特性和被该区域夹着的中央附近的区域的特性变得均匀。附图说明图1是本专利技术的溅射装置。图2是用来说明本专利技术的溅射装置的内部构造的俯视图、其A－A线截断剖视图和B－B线截断剖视图。图3是用来说明在本专利技术中使用的磁铁装置的俯视图、C－C线截断剖视图和D－D线截断剖视图。图4（a）～图4（c）是用来说明该磁铁装置的动作的剖视图。图5是用来说明钼薄膜的电阻分布的曲线图。图6是用来说明以往技术的溅射装置的图。具体实施方式图1的附图标记2是本专利技术的溅射装置，具有真空槽11。图2是比后述的阳极电极17的外周靠内侧的部分的俯视图、其A－A线截断剖视图和B－B线截断剖视图。在真空槽11的内部，配置有长方形形状的靶极13，在该靶极13的背面侧配置有阴极电极12。阴极电极12的表面接触在靶极13的背面上。在阴极电极12的背面侧配置有磁铁盒51，在磁铁盒51的内部配置有多个（这里是5个）磁铁装置151～155。磁铁装置151～155被称作磁控管磁铁。配置在阴极电极12的背面侧的磁铁装置151～155基本上是相同的形状、相同的大小，在图3中表示1个磁铁装置151～155的俯视图、其C－C线截断剖视图和D－D线截断剖视图。磁铁装置151～155具有环形形状的外周磁铁25、以及配置在外周磁铁25之中的直线形形状的内侧磁铁26，外周磁铁25和内侧磁铁26分别被做成细长的，各磁铁装置151～155被做成细长的，分别具有长度方向。这里，使各磁铁装置151～155的外周磁铁25与靶极13的背面之间的距离相等，此外，使各磁铁装置151～155的内侧磁铁26与靶极13的背面之间的距离也相等，但本专利技术并不限定于此，为了使膜厚的分布或膜质的分布成为均匀，也可以是，磁铁装置151～155与靶极13的背面之间的距离不同，或磁铁装置151～155与靶极13的背面之间不平行地配置。此外，这里使各磁铁装置151～155的外周磁铁25与靶极13的背面之间的距离和内侧磁铁26与靶极13的背面之间的距离也相等，但在各磁铁装置151～155之中，也可以包括内侧磁铁26与靶极13的背面之间的距离不同的磁铁装置151～155、或外周磁铁25与靶极13的背面之间的距离不同的磁铁装置151～155。外周磁铁25的两个磁极中的一方的磁极被朝向阴极电极12配置，另一方的磁极被朝向与阴极电极12相反的一侧，与磁轭27的表面接触而配置，此外，内侧磁铁26的两个磁极中的一方的磁极被朝向阴极电极12配置，另一方的磁极被朝向与阴极电极12相反的一侧，与磁轭27的表面接触而配置。外周磁铁25的被朝向阴极电极12的磁极和内侧磁铁26的被朝向阴极电极12的磁极一方是N极，另一方是S极，在被朝向阴极电极12的磁极之间形成的磁束泄漏到靶极13的表面，被弯曲为拱形形状，使靶极13表面的电子密度增加。在真空槽11内的与靶极13的表面面对的位置，配置有基板配置部14。基板配置部14是长方形形状，在基板配置部14之上配置有作为成膜对象的长方形的基板16。基板16比靶极13小，以下，如果以投影到基板配置部14上的基板16的表面所位于的平面上的情况下的位置关系决定内侧和外侧，则基板16的外周被配置在比靶极13的外周靠内侧的位置。靶极13和基板16以靶极13的长边与基板16的长边为平行的方式配置，以靶极13的表面与基板16的表面也为平行的方式配置。磁铁装置151～155的长度方向的长度是与靶极13的长度方向的长度大致相同的长度，使基板16的长边比靶极13的长度方向的长度短，此外，使基板16的长边比磁铁装置151～155的长度方向的长度短。各磁铁装置151～155以磁轭27的背面侧与移动板52接触的状态配置在移动板52上。各磁铁装置151～155其长度方向被设为相互平行，各磁铁装置151～155被设为与靶极13和基板16的长边平行，在短边延伸的方向上排列为一列。在真空槽11的外部配置有移动装置53，如果移动装置53动作，则移动板52在靶极13的背面侧沿着靶极13的表面移动，各磁铁装置151～155与移动板52一起移动。泄漏到靶极13的表面的磁束随着磁铁装置151～155的移动而移动。在移动时，各磁铁装置151～155在外周磁铁25与靶极13的背面之间的距离中没有变化，维持恒定本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射装置，具有：真空槽；靶极，配置在前述真空槽的内部；阴极电极，与配置在前述靶极的背面侧的溅射电源连接；多个磁铁装置，配置在前述阴极电极的背面侧；基板配置部，配置基板；以及环形形状的阳极电极，连接在接地电位上，在前述基板的外周上覆盖；在各前述磁铁装置中，设置有细长的环形形状的外周磁铁和配置在其内侧的内侧磁铁；在前述外周磁铁与其内侧的前述内侧磁铁之间形成的磁束被泄漏到前述靶极的表面，将前述靶极溅射，在前述基板表面上形成薄膜；其特征在于，前述外周磁铁和其内侧的前述内侧磁铁隔开，作为前述外周磁铁与其内侧的前述内侧磁铁之间的区域的等离子区域被设成细长的环形形状；在前述等离子区域的两端与前述基板的表面所位于的平面之间，配置有厚度比前述阳极电极厚并连接到接地电位的块电极；使前述块电极的表面与前述靶极的表面之间的TB距离比前述阳极电极的表面与前述靶极的表面之间的TA距离短。

【技术特征摘要】
2018.04.03 JP 2018-0715181.一种溅射装置，具有：真空槽；靶极，配置在前述真空槽的内部；阴极电极，与配置在前述靶极的背面侧的溅射电源连接；多个磁铁装置，配置在前述阴极电极的背面侧；基板配置部，配置基板；以及环形形状的阳极电极，连接在接地电位上，在前述基板的外周上覆盖；在各前述磁铁装置中，设置有细长的环形形状的外周磁铁和配置在其内侧的内侧磁铁；在前述外周磁铁与其内侧的前述内侧磁铁之间形成的磁束被泄漏到前述靶极的表面，将前述靶极溅射，在前述基板表面上形成薄膜；其特征在于，前述外周磁铁和其内...

【专利技术属性】
技术研发人员：大久保裕夫，小林大士，小野贵裕，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本,JP