集成电路布局产生方法和系统技术方案

本发明专利技术实施例涉及一种集成电路布局产生方法和系统，其方法包含接收所述IC装置的布局图，所述IC布局图包含：栅极区，其在有源区上具有宽度；以及栅极通孔，其定位在沿所述宽度的位置处。使用所述位置来将所述宽度划分成多个宽度区段，基于所述多个宽度区段来计算所述栅极区的有效电阻，且使用所述有效电阻来确定所述IC布局图是否遵守设计规范。

Integrated Circuit Layout Generation Method and System

【技术实现步骤摘要】
集成电路布局产生方法和系统
本专利技术实施例系有关一种集成电路布局产生方法和系统。
技术介绍
集成电路(IC)小型化的持续倾向已产生消耗更小功率但以更高速度提供更多功能性的较小装置。已通过依赖于日益严格的规范的设计和制造创新实现小型化。使用各种电子设计自动化(EDA)工具来产生、修正以及验证针对半导体装置的设计，同时确保符合设计和制造规范。
技术实现思路
根据本专利技术的一实施例，一种产生集成电路IC装置的布局图的方法包括：接收所述IC装置的所述布局图，所述IC布局图包括：栅极区，其在有源区上具有宽度；以及栅极通孔，其定位在沿所述宽度的位置处；使用所述位置来将所述宽度划分成多个宽度区段；基于所述多个宽度区段来计算所述栅极区的有效电阻；以及使用所述有效电阻来确定所述IC布局图是否遵守设计规范。根据本专利技术的一实施例，一种集成电路IC布局图产生系统包括：处理器；以及非暂时性计算机可读存储介质，其包含用于一或多个程序的计算机程序代码，所述非暂时性计算机可读存储介质和所述计算机程序代码经配置以通过所述处理器使所述系统：接收IC布局图，所述IC布局图包括：栅极区，其在有源区上具有宽度；以及栅极通孔，其定位在沿所述宽度的位置处；基于所述位置将所述宽度划分成多个宽度区段；根据所述宽度区段计算所述栅极区的有效电阻；以及基于所述有效电阻来进行电路模拟。根据本专利技术的一实施例，一种产生集成电路IC装置的布局图的方法包括：接收所述IC装置的所述布局图，所述IC布局图包括：栅极区，其在有源区上具有宽度；以及栅极通孔，其定位在沿所述宽度的位置处；使用所述位置来将所述宽度划分成多个宽度区段；基于应用于所述多个宽度区段的分布电阻模型来计算电阻值；使用三角形电阻网络对所述栅极区进行建模，其中所述三角形电阻网络的每一电阻器具有基于所述电阻值的值；以及使用所述三角形电阻网络来确定所述IC布局图是否遵守设计规范。附图说明结合附图阅读以下具体实施方式会最好地理解本专利技术实施例的各方面。注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1是根据一些实施例的产生IC装置的布局图的方法的流程图。图2A描绘根据一些实施例的IC装置的布局图。图2B描绘根据一些实施例的栅极电阻模型。图3A描绘根据一些实施例的IC装置的布局图。图3B描绘根据一些实施例的栅极电阻模型。图4A描绘根据一些实施例的IC装置的布局图。图4B描绘根据一些实施例的栅极电阻模型。图5A描绘根据一些实施例的IC装置的布局图。图5B描绘根据一些实施例的栅极电阻模型。图6描绘根据一些实施例的栅极电阻模型。图7是根据一些实施例的IC装置设计系统的框图。图8是根据一些实施例的集成电路(IC)制造系统和与其相关联的IC制造流程的框图。具体实施方式以下专利技术实施例提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件、值、操作、材料、布置或类似物的具体实例以简化本专利技术实施例。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性的。涵盖其它组件、值、操作、材料、布置或类似物。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或第二特征上形成可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征可以不直接接触的实施例。另外，本专利技术实施例可以在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。另外，为易于描述，可在本文中使用空间相对术语，例如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…上方”、“上部”以及类似者来描述如图中所说明的一个组件或特征与另一组件或特征的关系。除图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解译。在一些实施例中，相较于未基于一或多个栅极通孔位置来划分栅极宽度的栅极电阻建模方法，通过基于IC装置的布局图中的沿栅极宽度的一或多个栅极通孔位置将栅极宽度划分成宽度区段来对IC装置的有效栅极电阻进行建模，由此提高精确度和避免低估栅极电阻值。通过在一些实施例中将分布电阻模型应用于各宽度区段以及通过在一些实施例中将有效电阻值应用于三角形电阻网络来提供额外的精确度提高。图1是根据一些实施例的产生IC装置的布局图的方法100的流程图。产生IC装置的布局图包含基于IC装置的初始IC布局图对IC装置进行建模，且初始IC布局图包含在有源区上具有宽度的栅极区和位于沿宽度的位置处的至少一个栅极通孔。在一些实施例中，对IC装置进行建模包含使用电阻网络模型(例如三角形电阻网络或星形电阻网络)对栅极区进行建模。在一些实施例中，对IC装置进行建模包含对晶体管(例如平面晶体管或鳍式场效应晶体管(FinFET))进行建模。在一些实施例中，晶体管是IC装置中包含的多个晶体管中的一个晶体管，其非限制性实例包含存储器电路、逻辑装置、处理装置、信号处理电路或类似物。在一些实施例中，由计算机的处理器执行方法100中的一些或全部。在一些实施例中，由下文参照图7论述的EDA系统700的处理器702执行方法100中的一些或全部。方法100的操作中的一些或全部能够作为在设计室(例如下文参照图8论述的设计室820)中进行的设计过程的部分来进行。在一些实施例中，按图1中所描绘的次序来进行方法100的操作。在一些实施例中，按除图1中所描绘的次序以外的次序来进行方法100的操作。在一些实施例中，在进行方法100的一或多个操作之前、进行所述一或多个操作之间、在进行所述一或多个操作期间和/或在进行所述一或多个操作之后进行一或多个操作。使用如下文所论述的图2A到6说明方法100的操作。图2A、3A、4A以及5A中的每一个描绘IC装置的相应IC布局图200A、300A、400A或500A的非限制性实例，所述IC布局图具有方向X和垂直于方向X的方向Y。参照方向X和Y描绘的IC布局图200A、300A、400A以及500A的定向是用于说明目的的非限制性实例。在各种实施例中，除图2A、3A、4A或5A中的对应一或多个中所描绘的定向以外，IC布局图200A、300A、400A或500A中的一或多个具有参照方向X和Y的定向。各IC布局图200A、300A、400A以及500A包含有源区A和栅极区G。IC布局图200A包含栅极通孔VG1，IC布局图300A包含栅极通孔VG2和VG3，IC布局图400A包含栅极通孔VG4、VG5以及VG6，且IC布局图500A包含栅极通孔VG4、VG6、VG7以及VG8。有源区A是制造过程中包含的IC布局图中的区，作为定义在其中形成一或多个IC装置特征(例如源极/漏极区)的半导体衬底中的有源区域(也被称为氧化物扩散或定义(OD))的部分。在各种实施例中，有源区域是平面晶体管或FinFET的n型或p型有源区域。栅极区G是制造过程中包含的IC布局图中的区，作为定义包含导电材料或介电材料中的至少一个的IC装置中的栅极结构的部分。在各种实施例中，对应于栅极区G的栅极结构包含上覆至少一种介电材料(例如二氧化硅和/或高k介电材料)的至少一种导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种产生集成电路IC装置的布局图的方法，所述方法包括：接收所述IC装置的所述布局图，所述IC布局图包括：栅极区，其在有源区上具有宽度；以及栅极通孔，其定位在沿所述宽度的位置处；使用所述位置来将所述宽度划分成多个宽度区段；基于所述多个宽度区段来计算所述栅极区的有效电阻；以及使用所述有效电阻来确定所述IC布局图是否遵守设计规范。

【技术特征摘要】
2018.03.22 US 62/646,808;2019.03.06 US 16/294,7351.一种产生集成电路IC装置的布局图的方法，所述方法包括：接收所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏哿颖，苏哿暐，郭耿华，张修状，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71