一种炉管机台制造技术

本实用新型专利技术提供一种炉管机台，其中包括：反应腔室，反应腔室的内壁均匀分布复数个输送管路，复数个输送管路的底部连接一进气口；复数个输送管路由下至上均匀分布复数个气体喷嘴。本实用新型专利技术的技术方案有益效果在于：优化炉管机台，通过在反应腔室的内壁均匀分布复数个输送管路，并在输送管路上均匀设置复数个气体喷嘴，使得反应腔室内通入反应气体的浓度均匀，以提高晶圆的薄膜质量的均匀性，并且减少气体管路的使用，防止气体管路破损造成的危害。

A Kind of Furnace Tube Platform

【技术实现步骤摘要】
一种炉管机台
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种炉管机台。
技术介绍
随着半导体制造技术的发展，芯片的尺寸越来越小，对于炉管机台工艺的要求也越来越高。在半导体制造技术中，所使用的炉管机台主要是垂直式的，按使用压力不同分为常压炉管与低压炉管。常压炉管主要用于热氧化制程、热退火、热回流、热烘烤、合金等方面。低压炉管主要用于沉积工艺，包括多晶硅的形成与氮化硅的形成。现有的炉管机台在进行高温热氧化工艺时，如图1所示，其中包括炉管T1、气体管路T2、反应气体T3，炉管T1内通过气体管路T2通入反应气体T3至炉管T1底部，气体管路T2输入的三条管路与炉管T1的底座外部相连，内部设置有若干管路以输送反应气体T3至炉管T1内，并且通过流量控制器T4控制每一气体管路T2的反应气体T3的流量来生成二氧化硅，无法做到让反应气体由上至下均匀通入，并且气体管路的安装过程复杂，与炉管机台的晶舟之间的间隙很小安装不规范会与晶舟相撞，导致炉管机台异常，进而增加生产成本。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种炉管机台。具体技术方案如下：一种炉管机台，其中包括：一反应腔室，所述反应腔室的内壁均匀分布复数个输送管路，复数个所述输送管路的底部连接一进气口；复数个所述输送管路由下至上均匀分布复数个气体喷嘴。优选的，复数个所述输送管路的底部通过一横向管连接至所述进气口。优选的，复数个所述气体喷嘴的喷口尺寸相同。优选的，所述炉管机台还包括气体管路，所述气体管路连接至所述进气口，用以输送反应气体。优选的，所述炉管机台还包括：流量控制器，设置于所述气体管路上，用以控制所述气体管路中所述反应气体的流量。优选的，所述反应气体包括第一反应气体；所述气体管路包括第一气体管路，所述第一气体管路用以输送所述第一反应气体；和/或所述反应气体包括第二反应气体；所述气体管路包括第二气体管路，所述第二气体管路用以输送所述第二反应气体；和/或所述反应气体包括保护气体；所述气体管路包括第三气体管路，所述第三气体管路用以输送所述保护气体。优选的，所述第一反应气体包括SiH4气体；和/或所述第二反应气体包括N2O气体；和/或所述保护气体包括N2。优选的，所述反应腔室的底部侧面设置有一出气口。优选的，所述反应腔室的底部设置有一晶舟旋转台。本技术的技术方案有益效果在于：优化炉管机台，通过在反应腔室的内壁均匀分布复数个输送管路，并在输送管路上均匀设置复数个气体喷嘴，使得反应腔室内通入反应气体的浓度均匀，以提高晶圆的薄膜质量的均匀性，并且减少气体管路的使用，防止气体管路破损造成的危害。附图说明图1为现有技术的炉管机台的整体结构示意图；图2为本技术的实施例的炉管机台的整体结构示意图；图3为本技术的实施例的输送管路的侧视结构图；图4为本技术的实施例的输送管路的截面结构图；图5为本技术的实施例的反应腔室的俯视结构图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，但不作为本技术的限定。一种炉管机台，其中包括：一反应腔室1，反应腔室1的内壁均匀分布复数个输送管路2，复数个输送管路2的底部连接一进气口10；复数个输送管路2由下至上均匀分布复数个气体喷嘴20。通过上述炉管机台的技术方案，如图2、3、4、5所示，在炉管机台生产二氧化硅层的过程中，为保持反应腔室1内通入反应气体的浓度均匀，且保持晶圆的薄膜厚度的均匀性、每两片晶圆之间的厚度的均匀性以及后续晶圆的刻蚀的均匀性，在反应腔室1的内壁均匀分布复数个输送管路2，复数个输送管路2由下至上均匀分布复数个气体喷嘴20，使得反应腔室1内通入反应气体30的浓度相同，进而提高晶圆的薄膜质量的均匀性，并且减少气体管路3的使用，防止气体管路3破损而造成的危害。进一步地，优化炉管机台，通过在反应腔室1的内壁均匀分布复数个输送管路2，并在输送管路2上均匀设置复数个气体喷嘴20，使得反应腔室1内通入反应气体的浓度均匀，以提高晶圆的薄膜质量的均匀性，并且减少气体管路的使用，防止气体管路破损造成的危害。在一种较优的实施例中，炉管机台还包括：气体管路3，气体管路3连接至进气口10，用以输送反应气体30；流量控制器4，设置于气体管路3上，用以控制气体管路3中反应气体30的流量。具体地，如图2所示，在炉管机台生产二氧化硅层的过程中，在反应腔室1内，气体管路3连接至进气口10，气体管路3输送反应气体30至反应腔室1的底部，以在晶圆的表面生成二氧化硅层，为保持晶圆的薄膜厚度的均匀性、每两片晶圆之间的厚度的均匀性以及后续晶圆的刻蚀的均匀性，在反应腔室1的内壁均匀分布复数个输送管路2，复数个输送管路2由下至上均匀分布复数个气体喷嘴20，使得反应腔室1内通入反应气体30的浓度相同，以提高晶圆的薄膜质量的均匀性，并且减少气体管路3的使用，防止气体管路3破损而造成的危害。进一步地，优化炉管机台，通过在反应腔室1的内壁均匀分布复数个输送管路2，并在输送管路2上均匀设置复数个气体喷嘴20，使得反应腔室1内通入反应气体的浓度均匀，以提高晶圆的薄膜质量的均匀性，并且减少气体管路的使用，防止气体管路破损造成的危害。在一种较优的实施例中，复数个输送管路2的底部通过一横向管21连接至进气口10。具体地，结合图2、3、4、5所示，为保持晶圆的薄膜厚度的均匀性、每两片晶圆之间的厚度的均匀性以及后续晶圆的刻蚀的均匀性，在反应腔室1的内壁均匀分布复数个输送管路2，同时复数个输送管路2的底部通过一横向管21连接至进气口10，以保证位于反应腔室1的内壁两侧的输送管路2的反应气体浓度一致，进而提高晶圆的薄膜质量的均匀性，并且减少气体管路3的使用，防止气体管路3破损而造成的危害。进一步地，优化炉管机台，通过在反应腔室1的内壁均匀分布复数个输送管路2，并在输送管路2上均匀设置复数个气体喷嘴20，使得反应腔室1内通入反应气体的浓度均匀，以提高晶圆的薄膜质量的均匀性，并且减少气体管路的使用，防止气体管路破损造成的危害。在一种较优的实施例中，复数个气体喷嘴21的喷口尺寸相同。具体地，结合图2、3、4、5所示，在炉管机台生产二氧化硅层的过程中，在反应腔室1内，气体管路3连接至进气口10，气体管路3输送反应气体30至反应腔室1的底部，以在晶圆的表面生成二氧化硅层，为保持晶圆的薄膜厚度的均匀性、每两片晶圆之间的厚度的均匀性以及后续晶圆的刻蚀的均匀性，在反应腔室1的内壁均匀分布复数个输送管路2，同时复数个输送管路2沿输送管路2的底部连接至进气口10，复数个气体喷嘴20的喷口尺寸相同，使得反应腔室1内通入反应气体30的浓度相同，以提高晶圆的薄膜质量的均匀性，并且减少气体管路3的使用，防止气体管路3破损而造成的危害。进一步地，优化炉管机台，通过在反应腔室1的内壁均匀分布复数个输送管路2，并在输送管路2上均匀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种炉管机台，其特征在于，包括：一反应腔室，所述反应腔室的内壁均匀分布复数个输送管路，复数个所述输送管路的底部连接一进气口；复数个所述输送管路由下至上均匀分布复数个气体喷嘴。

【技术特征摘要】
1.一种炉管机台，其特征在于，包括：一反应腔室，所述反应腔室的内壁均匀分布复数个输送管路，复数个所述输送管路的底部连接一进气口；复数个所述输送管路由下至上均匀分布复数个气体喷嘴。2.根据权利要求1所述的炉管机台，其特征在于，复数个所述输送管路的底部通过一横向管连接至所述进气口。3.根据权利要求1所述的炉管机台，其特征在于，复数个所述气体喷嘴的喷口尺寸相同。4.根据权利要求1所述的炉管机台，其特征在于，所述炉管机台还包括气体管路，所述气体管路连接至所述进气口，用以输送反应气体。5.根据权利要求4所述的炉管机台，其特征在于，所述炉管机台还包括：流量控制器，设置于所述气体管路上，用以控制所述气体管路中所述反应气体的流量。6.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：万羽翼，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42