半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种生产率高的半导体装置的制造方法。提供一种成品率高的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：形成包含硅和氮的第一绝缘层的第一工序；对第一绝缘层的表面附近添加氧的第二工序；在第一绝缘层上并与其接触地形成包含金属氧化物的半导体层的第三工序；在半导体层上并与其接触地形成包含氧的第二绝缘层的第四工序；在包含氧的气氛下且在第一温度下进行等离子体处理的第五工序；在包含氧的气氛下且在比第一温度低的第二温度下进行等离子体处理的第六工序；以及在第二绝缘层上形成包含硅和氮的第三绝缘层的第七工序。

Semiconductor devices and manufacturing methods of semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及半导体装置的制造方法
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置及其制造方法。本专利技术的一个方式涉及一种晶体管及其制造方法。本专利技术的一个方式涉及一种显示装置及其制造方法。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。显示装置、发光装置、照明装置、电光装置、半导体电路以及电子设备有时包括半导体装置。本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、其驱动方法或者其制造方法。
技术介绍
作为可用于晶体管的半导体材料，氧化物半导体受到瞩目。例如，专利文献1公开了如下半导体装置：层叠有多个氧化物半导体层，在该多个氧化物半导体层中，被用作沟道的氧化物半导体层包含铟及镓，并且使铟的比率比镓的比率高，而场效应迁移率(有时，简称为迁移率或μFE)得到提高的半导体装置。由于能够用于半导体层的金属氧化物可以利用溅射法等形成，所以可以被用于构成大型显示装置的晶体管的半导体层。此外，因为可以将使用非晶硅的晶体管的生产设备的一部分改良而利用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：形成包含硅和氮的第一绝缘层的第一工序；对所述第一绝缘层的表面附近添加氧的第二工序；在所述第一绝缘层上并与其接触地形成包含金属氧化物的半导体层的第三工序；在所述半导体层上并与其接触地形成包含氧的第二绝缘层的第四工序；在包含氧的气氛下且在第一温度下进行等离子体处理的第五工序；在包含氧的气氛下且在第二温度下进行等离子体处理的第六工序；以及在所述第二绝缘层上形成包含硅和氮的第三绝缘层的第七工序，其中，所述第二温度低于所述第一温度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.07 JP 2017-0206951.一种半导体装置的制造方法，包括：形成包含硅和氮的第一绝缘层的第一工序；对所述第一绝缘层的表面附近添加氧的第二工序；在所述第一绝缘层上并与其接触地形成包含金属氧化物的半导体层的第三工序；在所述半导体层上并与其接触地形成包含氧的第二绝缘层的第四工序；在包含氧的气氛下且在第一温度下进行等离子体处理的第五工序；在包含氧的气氛下且在第二温度下进行等离子体处理的第六工序；以及在所述第二绝缘层上形成包含硅和氮的第三绝缘层的第七工序，其中，所述第二温度低于所述第一温度。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一温度为250℃以上且450℃以下，并且所述第二温度为150℃以上且300℃以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中在形成所述第二绝缘层之后，以不暴露于大气的方式进行所述第五工序。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中在所述第三工序和所述第四工序之间包括在包含氧的气氛下且在第三温度下进行等离子体处理的第八工序，并且所述第三温度比所述第二温度高。5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中所述第二绝缘层在所述第一温度下形成。6.一种半导体装置，包括：第一导电层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层以及第三绝缘层，其中，依次层叠有所述第一导电层、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述第二绝缘层及所述第三绝缘层，所述第一绝缘层包含硅和氮，所述半导体层包含金属氧化物，所述第二绝缘层包含氧，所述第三绝缘层包含硅和氮，所述第一绝缘层包括具有与所述半导体层接触的面的第一区域以及其他的第二区域，并且，所述第一区域的氧浓度比所述第二区域高。7.根据权利要求6所...

【专利技术属性】
技术研发人员：中泽安孝，岛行德，冈崎健一，肥塚纯一，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP