一种硅烷法生产电子级多晶硅热分解炉用石墨夹头制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅烷法生产电子级多晶硅热分解炉用石墨夹头，包括石墨底座、锥形部、圆柱部和环形支撑板，石墨底座下部设置有电极插孔，石墨底座上部设置有插槽，插孔和插孔之间通过连接孔相通，锥形部与插槽相适配，锥形部顶端固定连接有圆柱部，圆柱部外侧固定连接有环形支撑板，环形支撑板外侧面设置有夹持凹槽，锥形部内部底部设置有第一夹持孔，第一夹持孔上方设置有第二夹持孔，圆柱部内部设置有第三夹持孔，第一夹持孔、第二夹持孔和第三夹持孔内部相通且呈阶梯状设置；总的，本实用新型专利技术具有稳固支撑、有效防护、便于拆卸的优点。

A Graphite Clamp for the Production of Electronic Polycrystalline Silicon Thermal Decomposition Furnace by Silane Process

【技术实现步骤摘要】
一种硅烷法生产电子级多晶硅热分解炉用石墨夹头
本技术涉及一种石墨夹头，具体涉及一种硅烷法生产电子级多晶硅热分解炉用石墨夹头。
技术介绍
现阶段制备多晶硅所采用的方法主要为改良西门子法，但是存在能耗高、污染重的问题，而硅烷热分解法能耗低、对环境友好，采用硅烷热分解法制备多晶硅是取代改良西门子法的必然趋势。其中，采用硅烷热分解法制备多晶硅，是将制得的硅烷气提纯后在热分解炉的导热油夹套管内生产纯度较高的棒状多晶硅。其中，硅芯通过石墨夹头固定在石墨底座上，通过石墨夹头和石墨底座连接铜电极，现有的石墨夹头主要存在以下问题：首先，硅棒表面沉积硅，而石墨夹头夹持住的部分因为接触不到物料，也就没有沉积硅，其硅芯直径没有变大，随着硅的不断沉积，硅棒不断变粗，硅棒与石墨夹头连接处较细，出现了上粗下细的状况，夹头夹持住的部分以很细的直径承载较粗、较长的硅棒，容易出现倒棒状况；其次，多晶硅在沉积过程中，硅会不断的沉积到硅芯和石墨组件上，甚至有的硅会沉积到石墨底座上，造成石墨底座只能一次性使用，增加了生产成本，同时也造成晶棒的清理困难；再者，随着硅棒的生长重量不断变大，石墨夹头与石墨底座之间的倒锥形连接结构使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅烷法生产电子级多晶硅热分解炉用石墨夹头，其特征在于：包括石墨底座（1）、锥形部（2）、圆柱部（3）和环形支撑板（4），其中，所述石墨底座（1）下部中心位置设置有圆锥形电极插孔（11），所述石墨底座（1）上部中心位置设置有倒圆锥形插槽（12），所述插孔（11）和插槽（12）之间通过轴向的连接孔（13）相通，所述锥形部（2）与所述插槽（12）相适配，所述锥形部（2）顶端固定连接有所述圆柱部（3），所述圆柱部（3）外侧固定连接有所述环形支撑板（4），所述环形支撑板（4）外侧面设置有夹持凹槽（5），所述锥形部（2）内部底部设置有第一夹持孔（6），所述第一夹持孔（6）上方设置有第二夹持孔（7）...

【技术特征摘要】
1.一种硅烷法生产电子级多晶硅热分解炉用石墨夹头，其特征在于：包括石墨底座（1）、锥形部（2）、圆柱部（3）和环形支撑板（4），其中，所述石墨底座（1）下部中心位置设置有圆锥形电极插孔（11），所述石墨底座（1）上部中心位置设置有倒圆锥形插槽（12），所述插孔（11）和插槽（12）之间通过轴向的连接孔（13）相通，所述锥形部（2）与所述插槽（12）相适配，所述锥形部（2）顶端固定连接有所述圆柱部（3），所述圆柱部（3）外侧固定连接有所述环形支撑板（4），所述环形支撑板（4）外侧面设置有夹持凹槽（5），所述锥形部（2）内部底部设置有第一夹持孔（6），所述第一夹持孔（6）上方设置有第二夹持孔（7），所述圆柱部（3）内部设置有第三夹持孔（8），所述第一夹持孔（6）、第二夹持孔（7）和第三夹持孔（8）内部相通且呈阶梯状设置，所述第一夹持孔（6）和第三夹持孔（8）为圆柱形结构，所述第二夹持孔（7）为倒锥形结构，且所述第二夹持孔（7）的底面直径大于所述第一夹持孔（6）直径，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李红彬，许鹏，杨鹏举，
申请(专利权)人：河南硅烷科技发展股份有限公司，
类型：新型
国别省市：河南,41