一种硅烷法生产电子级多晶硅热分解炉用电极组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅烷法生产电子级多晶硅热分解炉用电极组件，包括石墨底座、基电极、水平导电座、锥形电极、环形电极、绝缘套管和绝缘底座，石墨底座下部设置有圆锥形电极插孔，石墨底座上部设置有倒圆锥形插槽，插孔和插槽之间通过连接孔相通，基电极通过绝缘套管安装在炉盘上，基电极顶端连接有水平导电座，水平导电座和炉盘之间还设置有绝缘底座，水平导电底座上中间位置固定设置有锥形电极，水平导电底座上边缘处设置有环形电极，锥形电极和石墨底座上的电极插孔相适配，环形电极的内侧面和石墨底座的外侧面相适配，锥形电极和环形电极之间的空腔与石墨底座下部相适配；总的，本实用新型专利技术具有连接稳固、有效支撑、避免倒棒的优点。

An Electrode Module for Electronic Polycrystalline Silicon Thermal Decomposition Furnace Produced by Silane Method

【技术实现步骤摘要】
一种硅烷法生产电子级多晶硅热分解炉用电极组件
本技术涉及一种电极组件，具体涉及一种硅烷法生产电子级多晶硅热分解炉用电极组件。
技术介绍
现阶段制备多晶硅所采用的方法主要为改良西门子法，但是存在能耗高、污染重的问题，而硅烷热分解法能耗低、对环境友好，采用硅烷热分解法制备多晶硅是取代改良西门子法的必然趋势。其中，采用硅烷热分解法制备多晶硅，是将制得的硅烷气提纯后在热分解炉的导热油夹套管内生产纯度较高的棒状多晶硅。其中，硅芯通过石墨夹头固定在石墨底座上，通过石墨夹头和石墨底座连接铜电极，现有的电极组件主要存在以下问题：首先，石墨底座与铜电极之间需要紧密稳固连接并且水平度要高，现有的石墨底座和铜电极之间多为锥形的插接式连接结构，石墨底座和铜电极之间接触面积较小，随着硅棒的生长重量不断增大易产生晃动；其次，在运行中电源逐步升高，产生大量热，温度急剧升高，石墨底座和铜电极之间易出现线接触而烧坏电极；再者，倒锥型的连接方式在硅棒高压击穿时易出现硅棒晃动导致靠壁或横梁断裂故障从而导致硅棒出现缺环掉环生长现象。所以，为解决上述问题，开发一种硅烷法生产电子级多晶硅热分解炉用电极组件很有必要。
技术实现思路
本技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅烷法生产电子级多晶硅热分解炉用电极组件，其特征在于：包括石墨底座（1）、基电极（2）、水平导电座（3）、锥形电极（4）、环形电极（5）、绝缘套管（6）和绝缘底座（7），其中，所述石墨底座（1）下部中心位置设置有圆锥形电极插孔（11），所述石墨底座（1）上部中心位置设置有倒圆锥形插槽（12），所述插槽（12）和插孔（11）之间通过轴向的连接孔（13）相通，所述基电极（2）为圆柱状结构，所述基电极（2）通过绝缘套管（6）固定安装在炉盘（8）上，所述基电极（2）顶端穿过炉盘（8）固定连接有所述水平导电座（3），所述水平导电座（3）和炉盘（8）之间还设置有绝缘底座（7），所述水平导电底座上中...

【技术特征摘要】
1.一种硅烷法生产电子级多晶硅热分解炉用电极组件，其特征在于：包括石墨底座（1）、基电极（2）、水平导电座（3）、锥形电极（4）、环形电极（5）、绝缘套管（6）和绝缘底座（7），其中，所述石墨底座（1）下部中心位置设置有圆锥形电极插孔（11），所述石墨底座（1）上部中心位置设置有倒圆锥形插槽（12），所述插槽（12）和插孔（11）之间通过轴向的连接孔（13）相通，所述基电极（2）为圆柱状结构，所述基电极（2）通过绝缘套管（6）固定安装在炉盘（8）上，所述基电极（2）顶端穿过炉盘（8）固定连接有所述水平导电座（3），所述水平导电座（3）和炉盘（8）之间还设置有绝缘底座（7），所述水平导电底座上中间位置固定设置有所述锥形电极（4），所述水平导电底座上边缘处设置有所述环形电极（5），所述锥形电极（4）和所述石墨底座（1）上的电极插孔（11）相适配，所述环形电极（5）的内侧面和所述石墨底座（1）的外侧面相适配，所述锥形电极（4）和所述环形电极（5）之间的空腔（9）与所述石墨底座（1）下部相适配。2.根据权利要求1所述的一种硅烷法生产...

【专利技术属性】
技术研发人员：许鹏，程小会，李金生，
申请(专利权)人：河南硅烷科技发展股份有限公司，
类型：新型
国别省市：河南,41