一种基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统技术方案

本发明专利技术涉及区熔级多晶硅技术领域，具体公开了一种基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统，包括化学气象沉积炉、底板、通气柱节、侧围通气柱和通气底槽，每个通气柱节分别设置于化学气象沉积炉的内部，且多个通气柱节由下至上依次连通，底部的通气柱节贯穿底板与化学气象沉积炉，每根侧围通气柱分别与底板固定连接，且每根侧围通气柱分别贯穿底板与化学气象沉积炉，通气底槽与通气柱节和多根侧围通气柱连通。可以防止低温气体由固定点位通入，导致局部温度过低，导致硅棒发生裂痕的情况，并且可以使硅烷和氢气在化学气象沉积炉的内部均匀分布，可以提高硅棒生长的浸润性，使得硅棒均匀沉积，提高硅棒的生长品质。提高硅棒的生长品质。提高硅棒的生长品质。

【技术实现步骤摘要】
一种基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统


[0001]本专利技术涉及区熔级多晶硅
，尤其涉及一种基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统。

技术介绍

[0002]目前，多晶硅分为太阳能级多晶硅和电子级多晶硅，太阳能多晶硅主要应用于生产太阳能的电池板，电子级多晶硅主要应用于制备集成电路的关键基础材料，在电子级多晶硅中还分为区熔级多晶硅，区熔级多晶硅是电子级多晶硅中的高端产品，区熔级棒状多晶硅是指纯度达到12N、均匀致密且力学性能优异的棒状晶体硅材料。
[0003]现有技术中，对区熔级多晶硅的生产技术主要有采用三氯氢硅法和硅烷法进行制备，三氯氢硅法生产电子级多晶硅具有一定优势，其沉积速率快，安全性相对较好，多晶硅纯度可以满足直拉和区熔的要求，但目前三氯氢硅法生产的大部分多晶硅产品为太阳能级，在质量上无法达到电子级多晶硅的要求，硅烷法是利用硅烷热裂解的方法生产多晶硅，该方法反应温度低，原料硅烷易纯化，可对杂质含量实现严格管控，硅烷法生产的多晶硅棒结晶致密，晶粒尺寸<0.1μm，是生产区熔级单晶硅的最佳原料；同时，硅烷裂解产物无腐蚀性，从而避免对设备的腐蚀。
[0004]但现有技术中，多晶硅在生长过程中硅棒通电维持高温，表面可达到1000～1100℃，温度较高处可达1300℃及以上，在通入硅烷和氢气混合物时，会导致内部温度存在波动，以此导致硅棒浸润性差，不能均匀进行沉积。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统，旨在解决现有技术中的通入硅烷和氢气混合物时，会导致内部温度存在波动，以此导致硅棒浸润性差，不能均匀进行沉积的技术问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术采用的一种基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统，包括化学气象沉积炉、底板、通气柱节、侧围通气柱和通气底槽，所述底板与所述化学气象沉积炉固定连接，并位于所述化学气象沉积炉的内部，所述通气柱节的数量为多个，每个所述通气柱节分别设置于所述化学气象沉积炉的内部，且多个所述通气柱节由下至上依次连通，底部的所述通气柱节贯穿所述底板与所述化学气象沉积炉，所述侧围通气柱的数量为多根，每根所述侧围通气柱分别与所述底板固定连接，并分别位于所述化学气象沉积炉的内部，且每根所述侧围通气柱分别贯穿所述底板与所述化学气象沉积炉，所述通气底槽与所述通气柱节和多根所述侧围通气柱连通，并位于所述化学气象沉积炉的下端。
[0007]其中，每个所述通气柱节包括柱体、第一环、第二环和中间柱，所述第一环与所述柱体固定连接，并位于所述柱体的上端，所述中间柱的数量为多根，多根所述中间柱分别与所述第一环固定连接，并分别位于所述第一环的上端，所述第二环与多根所述中间柱固定
连接，并位于多根所述中间柱的上端。
[0008]其中，每个所述通气柱节还包括中环和导气环，所述中环与多根所述中间柱固定连接，并套设于多根所述中间柱的外表壁，所述导气环与所述中环固定连接，并套设于所述中环的外表壁。
[0009]其中，每根所述侧围通气柱包括侧柱和挡板，所述侧柱与所述底板固定连接，并位于所述化学气象沉积炉的内部，且所述侧柱贯穿所述底板与所述化学气象沉积炉并与所述通气底槽连通，所述侧柱具有多个气孔，多个所述气孔均设置于所述侧柱的一侧，所述挡板的数量为多个，多个所述挡板分别与所述侧柱固定连接，并分别位于对应的所述气孔的一侧。
[0010]其中，所述基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统还包括连通管、预热仓和电加热器，所述连通管与所述通气底槽连通，并位于所述通气底槽的一侧，所述预热仓与所述连通管连通，并位于所述连通管的一端，所述电加热器设置于所述预热仓的内部。
[0011]其中，所述预热仓包括仓体和弹簧管，所述仓体与所述连通管连通，所述弹簧管设置于所述仓体的内部，且所述弹簧管的两端分别与所述仓体和所述连通管连通，所述电加热器设置于所述弹簧管的内部。
[0012]其中，所述基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统还包括柱体和绞片，所述柱体与所述通气底槽固定连接，并位于所述通气底槽的内部，所述绞片与所述柱体固定连接，并套设于所述柱体的内部。
[0013]本专利技术的一种基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统的有益效果为：将硅烷和氢气调配混合后通入至所述化学气象沉积炉之中，通过多个所述通气柱节对所述化学气象沉积炉进行均匀通入混合气，同时通过所述侧围通气柱对硅棒的另一侧进行辅助通气，达到对所述化学气象沉积炉的内部进行同比通气的目的，可以防止低温气体由固定点位通入，导致局部温度过低，导致硅棒发生裂痕的情况，并且可以使硅烷和氢气在所述化学气象沉积炉的内部均匀分布，可以提高硅棒生长的浸润性，使得硅棒均匀沉积，提高硅棒的生长品质。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1是本专利技术的第一实施例的内部结构剖视图。
[0016]图2是本专利技术的第一实施例的局部结构放大图。
[0017]图3是本专利技术的第二实施例的内部结构剖视图。
[0018]图4是本专利技术的第三实施例的内部结构剖视图。
[0019]101
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化学气象沉积炉、102
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底板、103
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侧围通气柱、104
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通气底槽、105
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柱体、106
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第一环、107
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第二环、108
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中间柱、109
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中环、110
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导气环、111
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侧柱、112
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挡板、113
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气孔、201
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连通管、202
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电加热器、203
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仓体、204
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弹簧管、205
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柱体、206
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绞片、301
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混气罐、302
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第一进气管、303
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第二进气管、304
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排气管、305
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驱动电机、306
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扇柱、307
‑
扇片。
具体实施方式
[0020]本申请第一实施例为：
[0021]请参阅图1和图2，其中图1是本专利技术的第一实施例的内部结构剖视图，图2是本专利技术的第一实施例的局部结构放大图。
[0022]本专利技术提供一种基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统：包括化学气象沉积炉101、底板102、通气柱节、侧围通气柱103和通气底槽104，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统，其特征在于，包括化学气象沉积炉、底板、通气柱节、侧围通气柱和通气底槽，所述底板与所述化学气象沉积炉固定连接，并位于所述化学气象沉积炉的内部，所述通气柱节的数量为多个，每个所述通气柱节分别设置于所述化学气象沉积炉的内部，且多个所述通气柱节由下至上依次连通，底部的所述通气柱节贯穿所述底板与所述化学气象沉积炉，所述侧围通气柱的数量为多根，每根所述侧围通气柱分别与所述底板固定连接，并分别位于所述化学气象沉积炉的内部，且每根所述侧围通气柱分别贯穿所述底板与所述化学气象沉积炉，所述通气底槽与所述通气柱节和多根所述侧围通气柱连通，并位于所述化学气象沉积炉的下端。2.如权利要求1所述的一种基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统，其特征在于，每个所述通气柱节包括柱体、第一环、第二环和中间柱，所述第一环与所述柱体固定连接，并位于所述柱体的上端，所述中间柱的数量为多根，多根所述中间柱分别与所述第一环固定连接，并分别位于所述第一环的上端，所述第二环与多根所述中间柱固定连接，并位于多根所述中间柱的上端。3.如权利要求2所述的一种基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统，其特征在于，每个所述通气柱节还包括中环和导气环，所述中环与多根所述中间柱固定连接，并套设于多根所述中间柱的外表壁，所述导气环与所述中环固定连接，并套设于所述中环的外表壁。4.如权利要求3所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁正，孟国均，李建设，吕永峰，郭蕊，钱光凝，仪得志，陈源茂，刘纪江，丁远清，
申请(专利权)人：河南硅烷科技发展股份有限公司，
类型：发明
国别省市：