一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法技术

本发明专利技术公开了一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法。硅烷热解的分解炉由钟罩、硅棒、冷却夹套、石墨电极、进出口构成，本发明专利技术提供了制备多晶硅棒的最佳热通量、压力、进口流量、硅烷比率、冷却夹套的温度和硅烷原料的预热温度，以保证硅棒在炉内的均匀生长、硅烷原料得到有效利用，有效抑制硅烷均相反应，减少硅粉的产生。减少硅粉的产生。减少硅粉的产生。

【技术实现步骤摘要】
一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法


[0001]本专利技术涉及多晶硅制备
，具体涉及一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法。

技术介绍

[0002]随着光电技术的迅速发展，工业硅已经成为通讯。半导体行业的支柱产业，出现了供不应求的前景，现今世界上工业硅生产主要使用改良西门子方法，此方法存在能耗高和污染重的问题，因此硅烷热分解法制备工业硅是取代改良两门子法的必然趋势。
[0003]硅烷法能够使硅烷进行热分解制备得到多晶硅。反应的温度低，原料是气体硅烷容易提纯，杂质的含量可得到较好的控制。硅烷法所制备的多晶硅棒，结晶的形状非常致密，结晶的粒径比三氯氢硅工艺制备的小的多。硅烷和热分解的产物都无腐蚀性，这样就避免对设备腐蚀及硅的腐蚀沾污现象，有更广阔的前景。
[0004]目前现有的硅烷法制取工业硅是硅棒由硅芯通电发热，硅烷进入分解室后，一部分硅烷接触硅棒表面，在硅棒表面发生异相反应，生成沉积硅；另一部分未与硅棒表面接触，在一定浓度和温度下会发生均相反应形成硅粉尘，沉积在分解室各个部位；剩余未分解部分最后随尾气排出。然而在分解室中制备硅烷时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将原料气体进行预热，预热温度为400
‑
500K；S2：将反应炉内的温度调至350
‑
450K；S3：将反应炉内的气压调至0.3
‑
0.6MPa；S4：原料气体以0.2
‑
0.6m/s的速度进入反应炉；S5：将反应炉中的石墨电极(5)接通高压电，使得原料气体发生反应，在硅棒(3)表面沉积形成区熔级硅棒；S6：将反应后的尾气从反应炉中排出。2.根据权利要求1所述的一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法，其特征在于：所述原料气体为硅烷和氢气的混合气体，硅烷的体积分率为0.3
‑
0.6。3.根据权利要求1所述的一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法，其特征在于：所述硅棒(3)表面的热通量为40
‑
60W/m2。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的一种均...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁正，孟国均，李建设，吕永峰，郭蕊，蒋星光，钱光凝，盖艳喆，仪得志，陈源茂，刘纪江，
申请(专利权)人：河南硅烷科技发展股份有限公司，
类型：发明
国别省市：