一种硅基粉体及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基粉体及其制备方法，涉及硅粉的制备技术领域，该方法具体为：在热丝CVD的腔体中通入含有硅烷的反应气体，控制气压≥5Pa，热丝通电升温至1000

【技术实现步骤摘要】
一种硅基粉体及其制备方法


[0001]本专利技术涉及硅粉制备
，具体讲是一种硅基粉体及其制备方法。

技术介绍

[0002]锂离子电池中负极材料，目前的主体是导电石墨材料。如在其中加入部分硅基的粉末，性能将得到大幅提升。所加硅基粉末的类型有n型或者p型导电的硅粉，或者掺氧的硅粉(又称氧化硅粉)，等。目前制备的方法多数是物理类的方法。例如，用硅的块体材料破碎成微米级或亚微米级的粉体；或者采用线切割的方法将硅的块体切割生产亚微米或百纳米级别的粉体等；对粉体进行高温扩散掺杂形成高导电性的粉体或者氧化粉体等。但就目前的情况看，在所得粉体的粒径、导电性、与石墨的结合等方面均有不足。比如说难以得到纳米级(几纳米或者几十纳米的硅粉)。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种硅基粉体及其制备方法。
[0004]本专利技术的技术解决方案如下：
[0005]一种硅基粉体的制备方法，在热丝CVD的腔体中通入含有硅烷的反应气体，控制气压≥5Pa，热丝通电升温至1000
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基粉体的制备方法，其特征在于，在热丝CVD的腔体中通入含有硅烷的反应气体，控制气压≥5Pa，热丝通电升温至1000
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2200℃，反应生成硅基粉；然后将硅基粉收集并进行热处理，制得。2.根据权利要求1所述的一种硅基粉体的制备方法，其特征在于，所述反应气体还包括掺杂气体和辅助气体。3.根据权利要求2所述的一种硅基粉体的其制备方法，其特征在于，所述掺杂气体为磷烷、乙硼烷、二氧化碳、一氧化二氮、氨气、氮气的至少一种。4.根据权利要求2所述的一种硅基粉体的制备方法，其特征在于，所述硅烷：掺杂气体的体积流量比例为100:0.01
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20。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：董仕轩，黄振，
申请(专利权)人：江西汉可泛半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：