半导体装置及电子设备制造方法及图纸

本技术涉及一种可以用于提供对热稳定的光学系统的半导体装置以及一种电子设备。提供了一种配备有传感器和用于保持传感器的保持基板的半导体装置，该半导体装置满足关系(EI×tI)+(ES×tS)>30和1.5

Semiconductor devices and electronic devices

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及电子设备
本技术涉及一种半导体装置和电子设备，并且更具体地涉及一种能够提供热稳定光学系统的半导体装置和一种电子设备。
技术介绍
应用半导体微细加工技术的固态成像元件(诸如电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器)已经广泛用于数码相机、移动电话装置等。随着近年来传感器芯片的像素小型化的发展，存在使用具有小F数的透镜来增加每个像素的光量的趋势。因此，透镜焦深变得更小，并且因此，特别强调实现聚焦所需的传感器翘曲形状的热稳定性。例如，在专利文献1和专利文献2中公开了用于提高传感器翘曲的热稳定性的技术。专利文献1公开了一种用于稳定传感器翘曲形状的技术。通过该技术，对热具有高稳定性(如在高温下烧制的陶瓷)并且对湿度还具有高的形状稳定性等的材料用作保持光学传感器的基板材料。专利文献2公开了一种用于稳定传感器翘曲形状的技术。通过该技术，具有与半导体芯片(传感器芯片)的硅(Si)的线性膨胀系数(CTE)接近的线性膨胀系数的诸如无碱玻璃的材料用作保持光学传感器的基板的芯体的材料。现有技术文献专利文献专利文献1：第2005-340539号日本专利申请公开专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：传感器；以及保持基板，保持所述传感器，其中，满足(EI×tI)+(ES×tS)>30以及1.5<CTEI<4.5，其中ES(GPa)表示所述传感器的杨氏模量，tS(mm)表示所述传感器的厚度，CTEI(ppm/K)表示所述保持基板的线性膨胀系数，EI(GPa)表示所述保持基板的杨氏模量，并且tI(mm)表示所述保持基板的厚度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.30 JP 2017-0143031.一种半导体装置，包括：传感器；以及保持基板，保持所述传感器，其中，满足(EI×tI)+(ES×tS)>30以及1.5<CTEI<4.5，其中ES(GPa)表示所述传感器的杨氏模量，tS(mm)表示所述传感器的厚度，CTEI(ppm/K)表示所述保持基板的线性膨胀系数，EI(GPa)表示所述保持基板的杨氏模量，并且tI(mm)表示所述保持基板的厚度。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述保持基板具有其中所述传感器的外围部分由基板电极从光接收表面侧保持的结构，并且形成在所述保持基板上的导电布线构件的总体积不大于所述保持基板的体积的1/10。3.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：背衬构件，支持所述传感器，其中，满足(EC×tC)<40，其中EC(GPa)表示所述背衬构件的杨氏模量并且tC(mm)表示所述背衬构件的厚度。4.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括：透镜组，包括多个透镜，其中，所述传感器...

【专利技术属性】
技术研发人员：宝玉晋，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP