图像传感器及其形成方法技术

一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括逻辑区，所述逻辑区包括相邻的第一区和第二区；在所述逻辑区第一区的第二面表面形成遮挡结构；在所述遮挡结构表面形成抗反射层；在所述抗反射层的侧壁表面和与侧壁连接的部分顶部表面形成第一固化层。所述方法形成的图形传感器性能得到提升。

Image Sensor and Its Formation Method

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的迅速发展，互补金属氧化物(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，简称CMOS)图像传感器广泛应用在各种电子设备中，作为提供数字成像功能的图像采集设备使用。图像传感器使用感光像素阵列采集图像信息，将像素图像信号转换为像素光电信号，再经过图像信号处理操作还原每个像素的真实图像信息。现有技术中的图像传感器一般采用贝尔模式的感光像素阵列排列方式，随着电气技术和电子技术的快速发展，越来越多应用影像传感器技术的现代移动电子产品，如智能手机、数码相机、笔记本电脑等得到飞速发展及普及。目前，人们在手机等电子产品上的消费比例越来越高，对产品的质量和个人体验要求越来越苛刻。图像传感器作为电子产品成像的主要部件，对其成像品质的要求也越来越高。但是现有的图像传感器的性能仍有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种图像传感器及其形成方法，以提高图像传感器的性能。为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种图像传感器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括逻辑区，所述逻辑区包括相邻的第一区和第二区；在所述逻辑区第一区的第二面表面形成遮挡结构；在所述遮挡结构表面形成抗反射层；在所述抗反射层的侧壁表面和与侧壁连接的部分顶部表面形成第一固化层。可选的，所述第一固化层的材料包括：透明有机材料；所述透明有机材料包括光刻胶。可选的，所述第一固化层的形成方法包括：在所述抗反射层表面以及第二区第二面表面形成固化材料层；对所述固化材料层进行曝光、显影和固化处理，在所述抗反射层的侧壁表面和与侧壁连接的部分顶部表面形成第一固化层。可选的，所述遮挡结构包括第一遮挡层和位于第一遮挡层表面的第二遮挡层，所述第二遮挡层的材料与所述抗反射层的材料不同。可选的，所述第二遮挡层的材料包括有机材料；所述有机材料包括硅胶光阻、铁氟龙、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯丁醛树脂、乙酸乙二醇丁醚酯或聚甲基丙烯酸甲酯。可选的，所述抗反射层的材料包括：氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。可选的，还包括：在所述第二区第二面与抗反射层侧壁连接的部分表面形成第二固化层，所述第一固化层和第二固化层相接。可选的，所述第二固化层与所述第一固化层同时形成。可选的，所述衬底还包括像素区；所述像素区与所述逻辑区相邻，且所述第一区位于所述像素区和第二区之间。可选的，还包括：在所述像素区第二面表面形成滤光层；在所述滤光层表面形成透镜；在所述透镜表面形成抗反射层。可选的，所述第一遮挡层与所述滤光层同时形成。可选的，所述第二遮挡层与所述透镜同时形成。可选的，所述衬底包括：基底和位于基底表面的逻辑电路，所述逻辑电路位于所述衬底的逻辑区内。相应的，本专利技术技术方案还提供一种采用上述任一方法所形成的图像传感器，包括：衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括逻辑区，所述逻辑区包括第一区和第二区；位于逻辑区第一区的第二面表面的遮挡结构；位于所述遮挡结构表面的抗反射层；位于所述抗反射层的侧壁表面和与侧壁连接的部分顶部表面的第一固化层。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：通过在所述抗反射层的侧壁表面和与侧壁连接的部分顶部表面形成第一固化层，则所述第一固化层可以在第一区遮挡结构的侧壁表面和与侧壁连接的部分顶部表面将所述抗反射层进行固定，使得所述抗反射层在外力的影响下，不容易从第一区遮挡结构表面的边缘位置出现缺陷，进而发生膜层破裂以致脱落的情况，从而使得所述图像传感器的可靠性和良率得到提升。进一步，所述像素区第二面表面的透镜表面也有抗反射层，所述第一固化层在第一区遮挡结构的侧壁表面和与侧壁连接的部分顶部表面将所述抗反射层进行固定，避免了所述像素区第二面表面的透镜表面的抗反射层发生破裂以及脱落，使得进入到像素区内的光线入射量减少使得图像传感器的感光度下降的情况，从而使得图像传感器的性能得到提升。附图说明图1是一种图像传感器的剖面结构示意图；图2至图8是本专利技术实施例中图像传感器形成过程的剖面结构示意图。具体实施方式如
技术介绍
所述，现有的图像传感器的性能有待提高。现结合一种图像传感器的结构进行分析说明。图1是一种图像传感器的剖面结构示意图。请参考图1，提供衬底100，所述衬底100包括相对的第一面和第二面，所述衬底100包括像素区A和逻辑区B，所述像素区A和逻辑区B相邻，且所述逻辑区B包围所述像素区A；位于像素区A第二面表面以及部分逻辑区B第二面表面的滤光层101；位于滤光层101表面和侧壁的透镜层102；位于透镜层102表面的抗反射层103。在所述图像传感器的结构中，所述透镜层102的材料为树脂，所述抗反射层103的材料为氧化硅，所述氧化硅和树脂材料二者具有不同的杨氏模量，氧化硅的形变能力小，树脂的形变能力大，在受到外界作用力的情况下，比如受热、受冷或加湿等条件下，所述抗反射层103和所述透镜层102具有不同的形变，故在所述抗反射层103附着于所述透镜层102表面的边缘位置容易产生缺陷，从而使所述抗反射层103从所述透镜层102表面的边缘位置开始发生破裂以及脱落，从而导致所述图像传感器的可靠性变差、良率受损。同时，位于像素区A的透镜层102表面的抗反射层103起到增加光线透过的作用，当所述像素区A的透镜层102表面的抗反射层103也脱落时，则会减少光线进入到像素区A内的入射量，从而使得图像传感器的感光度下降，使得图像传感器的成像性能受到影响。为了解决上述问题，本专利技术技术方案提供了一种图像传感器及其形成方法，通过在所述抗反射层的侧壁表面和与侧壁连接的部分顶部表面形成第一固化层，则所述第一固化层可以在第一区遮挡结构的侧壁表面和与侧壁连接的部分顶部表面将所述抗反射层进行固定，使得所述抗反射层在外力的影响下，不容易从边缘位置出现缺陷，进而发生膜层破裂以致脱落的情况，从而使得所述图像传感器的可靠性和良率得到提升。为使本专利技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。图2至图8是本专利技术实施例中图像传感器形成过程的剖面结构示意图。请参考图2和图3，图3是图2的俯视结构示意图，图2是图3沿剖面线AA’方向的剖面结构示意图，提供衬底200，所述衬底200包括相对的第一面和第二面，所述衬底200包括逻辑区，所述逻辑区包括相邻的第一区I和第二区II。在本实施例中，所述衬底200包括：基底和位于基底表面的逻辑电路，所述逻辑电路位于所述衬底200的逻辑区内。在本实施例中，部分与逻辑电路相连接的衬垫210暴露于所述第二区II的第二面表面，所述衬垫210用于与其他电路或器件电连接。在本实施例中，所述衬底200第一面还与逻辑电路、元器件、导电结构或者晶体管等半导体器件电连接。所述基底的材料为半导体材料。本实施例中，所述基底的材料为硅。其他实施例中，所述基底的材料包括碳化硅、硅锗、Ⅲ-Ⅴ族元素构成的多元半导体材料、绝缘体上硅(SOI)或者绝缘体上锗。其中，Ⅲ-Ⅴ族元素构成的多元半导体材料包括InP、GaAs、GaP、InAs、InSb、InGaAs或者InGaAsP。在本实施例中，所述衬底200还包括像本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括逻辑区，所述逻辑区包括相邻的第一区和第二区；在所述逻辑区第一区的第二面表面形成遮挡结构；在所述遮挡结构表面形成抗反射层；在所述抗反射层的侧壁表面和与侧壁连接的部分顶部表面形成第一固化层。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括逻辑区，所述逻辑区包括相邻的第一区和第二区；在所述逻辑区第一区的第二面表面形成遮挡结构；在所述遮挡结构表面形成抗反射层；在所述抗反射层的侧壁表面和与侧壁连接的部分顶部表面形成第一固化层。2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一固化层的材料包括：透明有机材料；所述透明有机材料包括光刻胶。3.如权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一固化层的形成方法包括：在所述抗反射层表面以及第二区第二面表面形成固化材料层；对所述固化材料层进行曝光、显影和固化处理，在所述抗反射层的侧壁表面和与侧壁连接的部分顶部表面形成第一固化层。4.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述遮挡结构包括第一遮挡层和位于第一遮挡层表面的第二遮挡层，所述第二遮挡层的材料与所述抗反射层的材料不同。5.如权利要求4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二遮挡层的材料包括有机材料；所述有机材料包括硅胶光阻、铁氟龙、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯丁醛树脂、乙酸乙二醇丁醚酯或聚甲基丙烯酸甲酯。6.如权利要求4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述抗反射层的材料包括：氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。7.如权利要求1所述的图像传感...

【专利技术属性】
技术研发人员：张瑞鸿，张松，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32