【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图像传感器及图像传感器的制造方法相关申请的交叉参考本申请要求于2017年5月18日提交的日本在先专利申请JP2017-098622的权益，其全部内容通过引用的方式并入本文。
本技术涉及一种图像传感器。具体地，本技术涉及一种包括透射特定的光偏振方向上的光的光偏振单元的图像传感器和图像传感器的制造方法。
技术介绍
到目前为止，已经使用了一种图像传感器，其中通过为每个像素配置透射特定的光偏振方向上的光的光偏振单元并且进行光电转换来获取入射光的光偏振信息。例如，通过获取光偏振信息，可以容易地掌握物体的三维形状。这是因为来自物体的反射光在物体的表面之间在不同的方向上被偏振，因此通过在选择光偏振方向的同时进行成像可以容易地获取物体的表面形状。进一步地，可以使用用于监视装置等的图像传感器以便去除不希望出现在车辆的挡风玻璃上的图像。这是因为不希望出现在车辆的挡风玻璃上的图像在特定的方向上强烈地光学偏振，并且通过获取光偏振信息可以容易被去除。将由线栅构成的光偏振单元用作这样的光偏振单元。这是由多条线构成的光偏振单元，多条线的布置间距比入射光的波长窄。例如，作为包括这样的光偏振单元的...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：多个像素，每个像素包括：光电转换单元；光偏振单元；像素电路；和多个信号传输单元，其中所述光偏振单元的至少一部分和所述信号传输单元的至少一部分位于所述图像传感器的同一层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.05.18 JP 2017-0986221.一种图像传感器，包括：多个像素，每个像素包括：光电转换单元；光偏振单元；像素电路；和多个信号传输单元，其中所述光偏振单元的至少一部分和所述信号传输单元的至少一部分位于所述图像传感器的同一层。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述光偏振单元包括多条遮光线，所述多条遮光线的间距比入射光的波长窄。3.根据权利要求2所述的图像传感器，进一步地包括：半导体基板，其中所述光电转换单元形成在所述半导体基板中；和第一平坦化膜，其中所述遮光线和所述信号传输单元形成在所述第一平坦化膜上。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述遮光线以等间隔布置，并且其中在像素内相邻遮光线之间的区域充满空气。5.根据权利要求4所述的图像传感器，进一步地包括：保护膜，其位于所述遮光线的光入射侧，其中所述保护膜密封相邻遮光线之间的所述区域。6.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述遮光线和所述信号传输单元由铝形成。7.根据权利要求3所述的图像传感器，进一步地包括：互连件层，其位于所述半导体基板的与光入射侧相对的一侧；多个通孔插塞；和互连件，其作为各个所述信号传输单元的一部分，其中所述互连件层通过各个相应的通孔插塞和各个相应的互连件连接到各个所述信号传输单元，并且其中所述图像传感器是背面照射图像传感器。8.根据权利要求3所述的图像传感器，进一步地包括：互连件层，其位于所述半导体基板的光入射侧和所述像素的所述光偏振单元之间，其中所述图像传感器是前面照射图像传感器。9.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述遮光线由多个材料层形成，并且其中所述遮光线的所述多个材料层中...
【专利技术属性】
技术研发人员：中村祐太，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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