【技术实现步骤摘要】
栅极增强型光控可控硅静电释放器件结构及其制作方法
本专利技术涉及静电防护领域,特别涉及一种栅极增强型光控可控硅静电释放器件结构及其制作方法。
技术介绍
随着社会的不断进步,科学水平的不断提高,集成电路的发展已经进入纳米级别。静电放电(ESD)是造成集成电路芯片失效的主要原因之一,并且静电积累位于人类日常生活中的方方面面。因此,越来越多的IC设计工程师开始关注于半导体ESD的保护。根据相关数据证明,在集成电路微电子领域的大环境下,由于ESD现象造成的电子产品失效达到58%以上,造成的经济损失达到数千亿,这个数据充分说明了静电放电保护的重要性。一个高性能的ESD保护器件,可以提高电子产品的良品率与稳健性。在位于可变的宽电源电压环境下,大电流、可变的工作电压、强电磁干扰等因素给ESD设计造成了很大的麻烦,而且设计ESD保护器件需要占用面积小、抗闩锁能力强是目前ESD设计人员需要克服的最大难题。传统双向可控硅(DDSCR)器件,具有正向和反向对称的ESD放电路径。当该器件开启时,由于器件内部寄生PNP与寄生NPN的类闩锁正反馈机制,导致可控硅的触发电压较高、维持电压较低, ...
【技术保护点】
1.一种栅极增强型光控可控硅静电释放器件结构,其特征在于:包括衬底P‑Sub;所述衬底P‑Sub中设有DN‑Well区;DN‑Well区中从左至右依次设有第一P‑Well区和第二P‑Well区;所述第一P‑Well区中从左至右依次设有第一场氧隔离区、第一P+注入区、第二场氧隔离区、第一N+注入区、第一多晶硅栅、第三场氧隔离区、第二P+注入区;所述第二P‑Well区中从左至右依次设有第三P+注入区、第六场氧隔离区、第二多晶硅栅、第三N+注入区、第七场氧隔离区、第四P+注入区、第八场氧隔离区;所述第二P+注入区横跨在第一P‑Well区和DN‑Well区的表面,所述第三P+注入区 ...
【技术特征摘要】
1.一种栅极增强型光控可控硅静电释放器件结构,其特征在于:包括衬底P-Sub;所述衬底P-Sub中设有DN-Well区;DN-Well区中从左至右依次设有第一P-Well区和第二P-Well区;所述第一P-Well区中从左至右依次设有第一场氧隔离区、第一P+注入区、第二场氧隔离区、第一N+注入区、第一多晶硅栅、第三场氧隔离区、第二P+注入区;所述第二P-Well区中从左至右依次设有第三P+注入区、第六场氧隔离区、第二多晶硅栅、第三N+注入区、第七场氧隔离区、第四P+注入区、第八场氧隔离区;所述第二P+注入区横跨在第一P-Well区和DN-Well区的表面,所述第三P+注入区横跨在DN-Well区和第二P-Well区的表面,所述第二P+注入区与第二P+注入区之间从左至右依次设有第四场氧隔离区、第二N+注入区、第五场氧隔离区;所述第一P+注入区、第一N+注入区、第一多晶硅栅连接在一起并作为器件的阴极;所述第二多晶硅栅、第三N+注入区、第四P+注入区连接在一起并作为器件的阳极。2.根据权利要求1所述的栅极增强型光控可控硅静电释放器件结构,其特征在于:所述第一P-Well区中的第一多晶硅栅、第二P+注入区、第二P-Well区中的第三P+注入区、第二多晶硅栅构成栅极增强型光控结构,所述栅极增强型光控结构在器件的阳极和阴极分别产生与ESD电流泄放路径一致的电场力,从而促进器件中的载流子移动,提高器件的失效电流。3.根据权利要求2所述的栅极增强型光控可控硅静电释放器件结构,其特征在于:所述第一场氧隔离区的左侧与衬底P-Sub的左侧边缘平齐,所述第一场氧隔离区的右侧与第一P+注入区的左侧相连接,所述第一P+注入区的右侧与第二场氧隔离区的左侧相连接,所述第二场氧隔离区的右侧与第一N+注入区的左侧相连接,所述第一N+注入区的右侧与第一多晶硅栅的左侧相连接,所述第一多晶硅栅的右侧与第三场氧隔离区的左侧相连接,所述第三场氧隔离区的右侧与第二P+注入区的左侧相连接。4.根据权利要求3所述的栅极增强型光控可控硅静电释放器件结构,其特征在于:所述第二P+注入区的右侧与第四场氧隔离区的左侧相连接,所述第四场氧隔离区的右侧与第二N+注入区的左侧相连接,所述第二N+注入区的右侧与第五场氧隔离区的左侧相连接,所述第五场氧隔离区的右侧与第三P+注入区的左侧相连接。5.根据权利要求4所述的栅极增强型光控可控硅静电释放器件结构,其特征在于:所述第三P+注入区的右侧与第六场氧隔...
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