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本发明公开了一种栅极增强型光控可控硅静电释放器件结构，包括衬底P‑Sub；衬底P‑Sub中设有DN‑Well区；DN‑Well区中设有第一P‑Well区和第二P‑Well区；第一P‑Well区中设有第一多晶硅栅、第二P+注入区；第二P‑We...
该专利属于湖南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖南师范大学授权不得商用。

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