一种基于SCR结构的新型ESD保护器件制造技术

本发明专利技术公开一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，包含P+sub，P+sub上方设有P‑外延层，P+sub表面到内部有STI隔离层，STI隔离层之间设有N型掺杂层、N+掺杂层和P+掺杂层，P+掺杂层一侧直接与金属层I相接，N型掺杂层位于P+掺杂层另一侧，N+掺杂层位于金属层I下方，N型掺杂层一侧设有P型掺杂层，P型掺杂层下方有P+型掺杂层，N+层位于金属层II两侧，P+层位于金属层II下方，P型掺杂层位于N+层与N型层之间的表面处，P+型掺杂层位于N+层与N型层之间的体内处，P+型掺杂层的区域形状为填充整个P型掺杂层、N+层与N型层之间或填充部分，或多段填充，金属层I和金属层II之间有介质层。有利于保护ESD器件不被较大的电流、较高电压所损伤，避免了器件的表面集中效应。

A New ESD Protection Device Based on SCR Structure

【技术实现步骤摘要】
一种基于SCR结构的新型ESD保护器件
本专利技术属于集成电路静电放电(ESD-ElectrostaticDischarge)保护领域，涉及一种可用于ESD保护器件的新型SCR结构。
技术介绍
静电放电(ESD)现象广泛存在于日常环境中，它是引起集成电路产品损伤甚至失效的重要原因之一。集成电路产品在其生产、制造、装配以及工作过程中极易受到ESD的影响，造成产品内部损伤、可靠性降低。因此，研究高性能、高可靠性的ESD防护器件对提高集成电路的成品率和可靠性具有至关重要的作用。根据静电放电产生的原因及放电方式的不同，静电放电通常分为以下四种模式：HBM(人体放电模式)，MM(机器放电模式)，CDM(组件充电放电模式)，FIM(电场感应模式)。其中，HBM和MM模式是工业界最为关心的两种最常见的静电放电模式。当电路产生静电放电现象时，大量电荷瞬间流入芯片的引脚，此时电路内产生的电流脉冲可达几安培，其电压脉冲高达几伏，特殊情况高达上千伏。电流脉冲可能造成器件部分区域过热烧毁，而高压脉冲容易造成器件内部的氧化层破坏性损伤。因此，为了防止芯片受到ESD的损伤，就需要对芯片的每个引脚都要进行有效的E本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，包含P+sub ，其特征在于：所述P+sub 上方设有P‑外延层，所述P+sub 表面到内部设有STI隔离层，所述STI隔离层一侧设有N型掺杂层、N+掺杂层和P+掺杂层，所述P+掺杂层位于金属层I两侧，N型掺杂层位于P+掺杂层另一侧，不与金属层I相接，N+掺杂层位于金属层I下方，与金属层I直接相接，所述N型掺杂层一侧设有P型掺杂层，所述P型掺杂层下方设有P+型掺杂层，所述P型掺杂层和P+型掺杂层一侧设有N+掺杂层和P+层，所述N+层位于金属层II113两侧，P+层位于金属层II113下方，两者均与金属层II113短接，所述P型掺杂层位于N+层与N型层...

【技术特征摘要】
1.一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，包含P+sub，其特征在于：所述P+sub上方设有P-外延层，所述P+sub表面到内部设有STI隔离层，所述STI隔离层一侧设有N型掺杂层、N+掺杂层和P+掺杂层，所述P+掺杂层位于金属层I两侧，N型掺杂层位于P+掺杂层另一侧，不与金属层I相接，N+掺杂层位于金属层I下方，与金属层I直接相接，所述N型掺杂层一侧设有P型掺杂层，所述P型掺杂层下方设有P+型掺杂层，所述P型掺杂层和P+型掺杂层一侧设有N+掺杂层和P+层，所述N+层位于金属层II113两侧，P+层位于金属层II113下方，两者均与金属层II113短接，所述P型掺杂层位于N+层与N型层之间的表面处，P+型掺杂层位于N+层与N型层之间的体内处，所述P+型掺杂层的区域形状为填充整个P型掺杂层、N+层与N型层之间或填充部分，或多段填充，所述金属层I和金属层II113之间设有介质层。2.根据权利要求1所述的一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨珏琳，
申请(专利权)人：成都吉莱芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51